7/23/2019 Basikes Eksisoseis Hlektronikhs II-2015

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2015

N-MOS

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(BJT) ( rx rbb, r rbe re rd )

V:Early , VT =kT/q :

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A(RE// RL)/ [ re+ (RE// RL) ]

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Lm

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Rrg

Rrg

RR

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Rrg

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Lm

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MOS

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BJT

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n:

121

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n

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n: 121

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22

2

2

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MOS :

CCt< Z,P2

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: R2:

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(Barkhausen):

Wien: LC:

Colpitts: Hartley:

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