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4.- Amplificadores de una etapa en pequeña señal con bjts modelados con parámetros híbridos h

BJT en señal

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transistores bjt

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  • 4.- Amplificadores de una etapa en pequea seal con bjts modelados

    con parmetros hbridos h

  • Contenido

    4.1 Introduccin a los circuitos amplificadores

    4.2 Modelo de parmetros hbridos en emisor comn.

    4.3 Calculo de la ganancia e impedancia de un amplificador

    4.4 El transistor bipolar en configuracin colector comn.

    4.5 Especificaciones tcnicas de transistores bipolares en pequea seal.

  • 4.1 Introduccin a los Circuitos Amplificadores

  • Introduccin a los Circuitos Amplificadores

  • Introduccin a los Circuitos Amplificadores

  • El Cuadripolo y el Modelo Hibrido:

    Si la corriente I1 el voltaje V2 son independientes y si el cuadripolo es lineal:

    2221212

    2121111

    vhihi

    vhihv

    4.2 Modelo de parmetros hbridos en emisor comn

  • El modelo

    2221212

    2121111

    vhihi

    vhihv

  • Parmetros Hbridos

    Resistencia de entrada con salida en cortocircuito (ohm)

    02

    222

    01

    221

    02

    112

    01

    111

    1

    2

    1

    2

    i

    v

    i

    v

    v

    ih

    i

    ih

    v

    vh

    i

    vh

    Amplificacin inversa de tensin con circuito abierto (sin dimensin)

    Ganancia de corriente en cortocircuito (sin dimensin)

    Conductancia de salida con la entrada en circuito abierto (ohm-1)

  • Las normas IEEE recomiendas los siguientes subndices:

    i =11 = entrada

    f = 21 = transferencia directa

    o = 22 = salida

    r = 12 = transferencia inversa

    Para los transistores se agregan otros subndices (e, b, c) para designar el tipo de configuracin por ejemplo:

    hie = resistencia de entrada en configuracin emisor comn.

  • 4.2 Modelo de parmetros hbridos en emisor comn

    hre0

    hoe0

  • 4.2 Modelo de parmetros hbridos en emisor comn

    Modelo simplificado

    Los valores de los parmetros h: hie, hfe son obtenidos de la hoja de datos del transistor.

    Si no se tiene hoja de datos: hie=25mV./ICQ y hfe=

  • Amplificador en configuracin emisor comn.

    Ci : condensador de acoplo de la seal vi.

    Co: condensador de acoplo de la carga RL.

    Ce: Condensador de desacoplo , de la resistencia de emisor

  • Amplificador en configuracin emisor comn.

    Ci : Para que al acoplar la seal vi al amplificador no afecte el punto de operacin.

    Co: Para que al acoplar la carga RL no afecte el punto de operacin.

    Ce: Aumenta la ganancia

  • 4.3. Clculo de la impedancia y ganancia de un amplificador en

    configuracin emisor comn. Hallar la ganancia de voltaje vo/vi (Av), de corriente io/ii (Ai),

    impedancia de entrada Zi, impedancia de salida Zo, del siguiente amplificador.

  • Caractersticas de la configuracin Emisor comn

    |Av| >1 se puede lograr

    |Ai| > 1 se puede lograr

    Zi medio

    Zo medio

    Invierte la seal

  • Amplificador con BJT en Configuracin Colector Comn

    Hallar Zi, Zo, Av, Ai

  • Caractersticas de la configuracin Colector comn

    |Av| < 1

    |Ai| > 1 se puede lograr

    Zi alto

    Zo bajo

    No invierte la seal

  • Especificaciones tcnicas de los transistores bipolares en pequea seal

  • Determinar los parmetros Hbridos en Emisor Comn para el Transistor 2N3904, si ICQ=8mA

  • Determinar los parmetros Hbridos en Emisor Comn para el Transistor 2N3904, si ICQ=8mA

    hfe = 160

  • Determinar los parmetros Hbridos en Emisor Comn para el Transistor 2N3904, si ICQ=8mA

    hoe = 50mhos 1/hoe=20k

  • Determinar los parmetros Hbridos en Emisor Comn para el Transistor 2N3904, si ICQ=8mA

    hie = 0.6k

  • Determinar los parmetros Hbridos en Emisor Comn para el Transistor 2N3904, si ICQ=8mA

    hre = 2.2x10-4

  • Determinar los parmetros Hbridos en Emisor Comn para el Transistor 2N3904, si ICQ=8mA

  • Normalmente se trabaja con el modelo de parmetros h simplificado, si ICQ=8mA

  • Modelo de parmetros h es el mismo tanto para un transistor NPN como PNP

  • Mxima Excursin Simtrica

    Anlisis DC

    )( ECCQCEQCC RRIVV

  • Mxima Excursin Simtrica

    Anlisis AC

    )//( LCCce RRiv

  • del anlisis AC

    El valor mximo de iC se presenta cuando vCE=0

    Para obtener la mxima excursin simtrica, Q debe estar situado en el centro de la recta de carga de corriente alterna.

    Ecuacin MES

    )//( LCCce RRiv

    )(//

    1CEQCE

    LC

    CQC VvRR

    Ii

    LC

    CEQ

    CQCRR

    VIi

    //max,

    LCce

    C

    RRv

    i

    //

    1

    dcac

    CCCQ

    RR

    VI

  • Mxima Excursin Simtrica

  • Mxima Excursin

  • Mxima excursin a la salida sin distorsin = Mximo voltaje a la salida sin distorsin.

    Mximo Vopico = Mnimo (VCEQ, ICQRac)

    Mximo Vipico = Mximo Vopico/Av

    Cuando nos encontramos en MES (Mxima excursin simetrica), VCEQ=ICQRac y en este caso el mximo Vo pico sera VCEQ o ICQRac, debido a que son iguales.

  • Ejercicios

    Hallar Zi, Zo, Av, Ai en el siguiente amplificador. =100

  • Ejercicios

    Hallar vo en el siguiente amplificador. =100