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Ch5 CMR 和电子关联 ( 2 )

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Ch5 CMR 和电子关联 ( 2 ). 2 学时. 引言 问题的意义 第一部分 较早的工作 --对凝聚态物理的挑战 --能带论的困难; --反铁磁性和 ABO3 材料的普遍意义 --庞磁电阻( CMR )的发现;双交换模型 --对绝缘性和金属性的不同理解 第二部分 近年的进展 --关联导致电荷、自旋和轨道有序 --新的凝聚状态:相共存、相分离 -- 2 维“关联”电子. 第二部分 近年进展 12 ,关联和有序(电荷、自旋、轨道)( 1 ). 前面, - PowerPoint PPT Presentation

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Page 1: Ch5   CMR 和电子关联 ( 2 )

Ch5 CMR 和电子关联( 2 )

2 学时

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引言 问题的意义

第一部分 较早的工作 --对凝聚态物理的挑战 --能带论的困难; --反铁磁性和 ABO3 材料的普遍意义 --庞磁电阻( CMR )的发现;双交换模型 --对绝缘性和金属性的不同理解

第二部分 近年的进展 --关联导致电荷、自旋和轨道有序 --新的凝聚状态:相共存、相分离 -- 2 维“关联”电子

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第二部分 近年进展

12 ,关联和有序(电荷、自旋、轨道)( 1 )

前面,已经讨论过了电荷有序

-- Wigner 电子晶体

为甚麽同时有序?

右图示意:波函数重叠方式→ 交换作用→ 自旋“序”就不同

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* 电荷、自旋、轨道有序( 2 ) 的反铁磁?

Mn3 +离子自旋排列为反铁磁( AFM )。

原因:同一格座上 eg 与 t2g 的洪德铁磁( FM )耦合。

相邻格座超交换 AFM 作用

实际的轨道波函数的情况稍微复杂, Jahn - Teller 效应(电声子作用)

结果:自旋序和轨道序关联(看下图)

3LaMnO

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* 电荷、自旋、轨道有序( 3 )

原子 3d -波函数之间的距离、相对取向决定 交换作用的大小、符号。从而决定 自旋取向。

自旋用箭头表示

轨道为 eg 电子波函数

参看前面的简易图(含有氧原子)

3LaMnO

2222 3,3 ryrx

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* 电荷、自旋、轨道有序( 4 )

掺杂情况 (各种 x =?)

右图中,

圆圈 Mn4 +

波瓣 Mn3 +

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电荷、自旋、轨道有序( 5 )

(计算另讲)Mn3+ 和 Mn4 +

1 ,电荷棋盘

2 ,自旋 zigzag

3 ,轨道转向,

35.05.0 MnOSrLa

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电荷、自旋、轨道有序

35.05.0 MnOSrLa

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电荷、自旋、轨道有序( 6 )

小结:形成电荷、自旋和轨道有序的原因? 1 ,电荷有序: 势能大于动能 U 》 t , 例如,一个格点只能有一个 eg 电子。

2 ,轨道有序:畸变能大于动能 g 》 t 。 例如, eg 、 t2g 电子的轨道要对于 J - T

晶格畸变方向取向。

3 ,自旋有序 (接下一页)

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电荷、自旋、轨道有序( 7 ) 3 ,自旋有序: 离子内, Hund 耦合大于动能 JH 》 t , 例如,离子内部 eg 自旋要平行於 t2g 自旋。 相邻离子间,超交换作用。

本质上都是库仑作用 Pauli 原理保证轨道有序与自旋有序的协调

总之,库仑作用的强关联效应。

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13 ,相分离

本讲开始部分提出的问题是: ( 一块 ) 材料是金属还是绝缘体?

本讲结束部分指出,还可以提出下列问题: ( 一块 ) 材料可以是金属和绝缘体多相共存?

为什么?1 ,这里是多种相互作用竞争的“临界点”。2 ,“显微镜”的分辨率大大提高。看到了真实。3 ,真正的量子图像是超越“平均场”近似的。 ---电子的关联效应。

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相分离现象( 1 ) 各种有序相的互动?

La0.7Ca0.3MnO3/STO薄膜 在稍低于 Tc时的扫描隧道谱 :

共存的绝缘相与金属相团簇随磁场增加而此消彼长

rf. Science ,285(1999)

1540

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相分离现象( 2 )

各种有序相的分离?共存?

高分辨的原子像 I- V 特性图

电子绝缘相(左)

半导体相(右)

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14 ,电场效应和低维 CMR 性质

以前,改变掺杂(浓度)和薄膜厚度(维度),导致相变

如果,引进电场到多层膜结构, 也可以导致维度、浓度改 变,从而导致相变。

优点 : 电场导致的相变,并不增加晶体的缺陷。

课题:( 1 )双交换和 J - T 效应。 库仑作用更强,声子模式特别( 2 ) “有序化”相分离的维度特点。 ( 3 )材料:同构异质材料较多,多层膜的界面和功能

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低维高温超导的临界点 8 纳米厚度的 YBaCuO在

MIS结构中:

门电压的改变→载流子浓度改变,→从而临界温度改变。

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CMR 的 p-n 和 MIS结构的奇特性质

手段是用电场改变电子系统的浓度和维度

近年的成果 : ( 1 ) p- n 异质结的整流和相变,强关联效应。 ( 2 )电控浓度导致的相变和输运。强关联效应( 3 )通过铁电绝缘层,电控浓度导致的相变和输运。( 4 )光学过程中的多体效应、量子液体。( 5 ) MIS中“反型层”的实现。 ( 6) Mn基MIS中的 2 维电子气的实现。( 7 )电控维度导致的库仑作用改变强度。( 8)电控维度导致的 John - Teller 效应的改变。

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一个例子

强关联特征

整流效应:温度上升,电导反而降低。和半导体相反。

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回忆:半导体界面 ,电场(门电压)

改变载流子浓度、维度和类型

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15 ,氧化物的场效应晶体管( FET ) ABO3 的 MIS

电场(门电压)改变载流子浓度、维度和类型rf . Nature 424,1015-1018(2003) C.H.Ahn et al

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困难点――― ABO3 MIS 在较高浓度。

而,半导体 MIS 在较低浓度。

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结语:我们讨论了下列问题

1 ,自旋电子学的一条途径2 ,高温超导性机制尚未解决3 ,什么是“电子关联效应”?4 , ABO3 的普遍意义5 ,(未掺杂的) LaMnO3 是反铁磁绝缘体?6,(掺杂的) LSMO 是导体7, 双交换模型8, J - T 效应9,电荷、自旋、轨道有序10,相的分离11 ,低维“关联电子”系统12 ,相关理论

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谢谢