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SAN MARTIN Resumen circuitos Instructor: Gabriel Zegovia Chonate

Clase 7 Semeste VI

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Presentacion clase 7

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Page 1: Clase 7 Semeste VI

SAN MARTIN

Resumen circuitosInstructor: Gabriel Zegovia Chonate

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Componentes semiconductoresComponentes pasivos

Se fabrican con carbón, acero, cobre.

Resistencias.CondensadoresBobinas

Se fabrican con materiales específicos como: selenio, germanio y silicio.

Diodos.Transistores.Circuitos integrados

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

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Oponerse al paso de la corrienteFunción

Valorlongitud (l)sección (S)ρ = Resistividad

Depende de:

Unidades

Ohmio (Ω)Múltiplos: kΩ kiloohmio (1.103 Ω)MΩ megaohmio (1.106 Ω)

RESISTENCIAS

Utilidad de las resistencias:

Para ajustar la tensión.

Para limitar la intensidad.

Montaje en serie.

Montaje en paralelo.

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Existen dos formas de conectar una batería a una unión PN

1 POLARIZACIÓN

DIRECTA

El polo negativo de la batería inyecta electrones en la zona N y el polo positivo recibe electrones de la zona P, con lo que se origina una corriente eléctrica.

Hemos conseguido disminuir o vencer la barrera de potencial

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2 POLARIZACIÓN

INVERSA

En este caso no hay corriente en ningún sentido porque los huecos libres de la zona P se recombinan con los electrones procedentes del polo negativo de la batería y los electrones libres de la zona N son absorbidos por el polo positivo de la batería, alejándose tanto huecos como electrones de la zona de unión

El efecto ha sido el de aumentar la barrera de potencial

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2.5 Aplicaciones Rectificadores: Su principal uso es en sistemas electrónicos encargados de realizar una conversión de potencia de ac, en potencia de dc.

DE MEDIA ONDA:

V1

D21 2

1k

0

120 1k

12

Time

0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10msV(D1:2)

-20V

0V

20V

SEL>>

V1(V2)-20V

0V

20V

Time

0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10msV(R1:1)

-20V

0V

20V

SEL>>

V1(V2)-20V

0V

20V

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T11 5

6

4 8

Si

Si

R

CON TRANSFORMADORES:

DE ONDA COMPLETA:

1k

12 1

2

12 1

2

Time

0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0msV(V2:+)

-20V

-10V

0V

10V

20V

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Recortadores:

Tienen la capacidad de recortar una porción de la señal de entrada sin distorisionar la parte restante de la forma de onda alterna.

SERIE:

Time

0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0msV(R1:2)

-20V

0V

20V

SEL>>

V(V10:+)-20V

0V

20V

1k

D2

5V

Time

0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0msV(D1:2) V(V1:+)

-20V

-10V

0V

10V

20V

4V

1k

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EL TRANSISTORLa ampliación mas sencilla que se puede hacer de la unión PN es añadirle otra nueva zona N o P. Resulta así el transistor, que puede ser de dos tipos:

EMISOR COLECTORBASE

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En el transistor hay dos uniones PN que se pueden polarizar de formas distintas mediante una batería.

Según tengamos polarizadas estas uniones el transistor se comporta de forma diferente.

Diremos entonces que está trabajando en una u otra “zona” y las posibilidades son tres:

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ON

OF

Con el transistor en la zona de SATURACIÓN los electrones circulan a través de las dos uniones PN en el sentido indicado y a través de la base hay corriente

Con el transistor en la zona de CORTE, las dos uniones PN están polarizadas de forma inversa y no hay paso de electrones a través de ninguna de las dos, por lo que no hay corriente

El transistor ha funcionado como un interruptor (ON-OF)

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Si sólo tenemos conectada la batería A en la forma indicada, los electrones (portadores mayoritarios) pasan del emisor (N) a la base (P) originando una corriente bastante intensa.

¿Cómo es el funcionamiento en la ZONA ACTIVA?

Si desconectamos la batería A y conectamos la B en la forma indicada, la unión PN base-colector está polarizada de forma inversa y no se produce paso de corriente.

Equivale a decir que la resistencia en la unión PN es pequeña

Equivale a decir que la resistencia en la unión PN es GRANDE

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Pero, ¿qué ocurre al conectar las dos baterías a la vez?

En la unión BE polarizada de forma directa, la barrera de potencial es pequeña, pero en la BC, polarizada de forma inversa, la barrera de potencial es grande.

Los electrones empiezan a desplazarse desde el emisor (de tipo N) a la base (de tipo P) aproximándose al colector (de tipo N) y consiguen atravesar la unión base-colector gracias a la gran atracción que ejerce el el borne muy positivo de la batería B al que está conectado el colector.

¿Por qué no se recombinan los electrones y los huecos de la base?

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Cada civilización ha desarrollado sus propios sistemas de numeración, no sólo en los símbolos, sino en los criterios usados para contar.

En esta unidad conocerás distintos sistemas de numeración y los podrás comparar con el sistema que actualmente usamos: es sistema de numeración decimal.

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• Sistemas de numeración

Sistema de numeración egipcio

(Tercer milenio a. C.)

Utiliza un sistema de base 10 con distintos símbolos para las sucesivas potencias de 10.

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• Sistemas de numeración

Sistema de numeración romano

(3000 a. C.)

Utiliza un sistema de base decimal (10).

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• Sistemas de numeración

Sistema de numeración babilónico

(1900 a. C.)

Utiliza un sistema de base sexagesimal (60).

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• Sistemas de numeración

Sistema de numeración maya

(s. IV d. C.)

Utiliza un sistema de numeración vigesimal (20).

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• Sistemas de numeración

Sistema de numeración mapuche

Se representa mediante palabras y su base es 10.

1 = kiñe 6 = kayu

2 = epu 7 = regle

3 = kula 8 = pura

4 = meli 9 = aylla

5 = kechu 10 = mari

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Muchas Gracias

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