DCE_01

CURS_01

DISPOZITIVEDISPOZITIVECIRCUITECIRCUITE ELECTRONICEELECTRONICE

titular: Alexandru [email protected]

ETTI IASI DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

DATE DESPRE DISCIPLINA

Tipul disciplinei: obligatorieNr. ore saptamanal: 2C+2L/2C+1L (Laboratorul se afla in corpul A Copou, sala I-15)Forma de verificare : colocviuNr. credite: 4/4 Modalitati de examinare:

1. Examinarea final-prob scris (10 subiecte) pondere:60%

2. Evaluare periodic-5 probe scrise la laborator, din 2 in 2 sptmni(rezolvare de probleme) pondere:20%

3. Evaluarea activitatii de laborator: pondere:20%


OBIECTIVELE DISCIPLINEI

Intelegerea structurii, funcionarii i modelarii dispozitivelor electronice de baz.Studiul circuitelor electronice analogice fundamentale -principii de funcionare, analiz i proiectare.Cunoaterea unor structuri specifice circuitelor integrate analogice. nsuirea unor circuite de baza cu amplificatoare operaionale.Crearea abilitatilor de utilizare a aparaturii de baz din laboratorul de electronic i a unor programe de simulare a dispozitivelor i circuitelor electronice.


BIBLIOGRAFIE

[1] M. Florea, Dispozitive i circuite electronice, Ed. Gh. Asachi, 1999

[2] Thomas L. Floyd, Dispozitive Electronice, Ed. Teora, 2003; Prentice Hall, 2005

[3] R. Boylestad &L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, PRENTICE HALL, 2006

[4] Donald A. Neamen, Electronic Circuit Analysis and Design, McGraw-Hill, 2001

[5] A. Sedra, K. Smith, Microelectronic Circuits, Oxford University Press Inc., 2004


CONVENTII DE NOTARE A SEMNALELOR

VBE vBE(t1)

vbe(t1) Vbe

t1 t

vBE

0

vbe

)t(vV)t(v 1beBE1BE +=)tsin(V)t(v bebe =

a) litere mari i indici litere mari, VB, IC, UCE, VBE, ECC, IEE = mrimi continue i valori mediiale mrimilor variabile (indicedublu = sursa de alimentare). b) litere mici i indici litere mici, ic, vbe,vb = valori instantanee ale mrimilor pur variabile(excluznd componentelecontinue). c) litere mici i indici litere mari, iC, vBE, vB = mrimi totale, componenta continu plus componenta variabil. d) litere mari i indici litere mici, Ve, Ib, Vb = amplitudini sau valoriefective complexe ale mrimiloralternative.


CONVENTII PENTRUELEMENTELE DE CIRCUIT


RELATII SI TEOREME UTILIZATE


DIVIZOR DE TENSIUNE


DIVIZOR DE CURENT


METODA SUPRAPUNERII EFECTELOR

201

1 2

13,2SRV V V

R R= =

+1 2

021 2

7,5SR RV I V

R R= =

+

0 01 02 5,7V V V V= + =

The current through, or voltage across, an element in a linear bilateral network is equal to the algebraic sum of the currents or voltages produced independently by each source.


TEOREMA LUI THEVENIN

(Teorema generatorul echivalent de tensiune)


TEOREMA LUI NORTON


TEOREMA LUI MILLMAN(POTENTIALE LA NODURI)


1.1 STRUCTURA ATOMULUI Cea mai mic particul dintr+un element,

care pstreaz proprietile acelui element


ISTORICISTORIC

Termenul de atom apare pentru prima dat ctre anul 450 .e.n.Filozoful grec Leucip dezvolt teoria conform creia materia nueste infinit divizibil i introduce noiunea de atomos, ceea ce nupoate fi divizat. Civa ani mai trziu, Democrit, un discipol al luiLeucip, definete materia ca fiind un ansamblu de particuleindivizibile, invizibile i eterne: atomul. Aceast nou concepienu a fost rezultatul unor observaii sau experiene, ci maidegrab al unor intuiii. Teoria a fost dezvoltat ulterior de Epicur, apoi de poetul latin Lucreiu. Au trecut ns 2000 de ani pncnd teoria atomic a fost formulat tiinific.

n anul 1803, fizicianul i chimistul englez John Dalton a elaborato teorie atomic proprie care explic Legea proporiilor multiple, afirmnd c din moment ce substanele se combin numai nproporii integrale, atomii trebuie s existe la baza materiei.


MODELUL PLANETAR-BOHR

Numrul Atomic=numrul de protoni coninut de nucleu La atomii neutrii electric, numrul de protoni i electroni este

egal


PATURI ELECTRONICE SI ORBITE

Energiile corespunztoare electronilor sunt mrimi discrete i cresc odat cu distana fa de nucleu

Electronii graviteaz pe orbite (nivele energetice) ce sunt grupate in pturi energetice, notate cu K,L,M,N,etc.

In ficare ptur sunt un numr bine definit de nivele energetice ce pot fi ocupate (Ne=2; 8; 18; 32; etc)

Electronii din ultima ptur sunt electronii de valen ce sunt slab legai, sunt implicai in reaciile chimice i determin proprietile electrice ale substanelor

Utilizarea modelului echivalent de benzi energetice

Ionizarea =procesul de captare sau pierdere a unor electroni din BV datorit micorrii sau creterii energiei energiei ecestor electroni.

2e n2N =


TABELUL LUI MENDELEEV

Numrul atomic i numrul electronilor de valen determin poziia n tabel


SEMICONDUCTOARE,CONDUCTOARE SI IZOLATOARE

Energia electronului este 0 n afara atomului La conductoare cmpul electric este mai puin

intens n zona Benzii de Valen


CARACTERIZAREA CONDUCTIBILITATII MATERIALELOR

(REZISTIVITATEA SI BANDA INTERZISA)


SILICIU SI GERMANIU(STRUCTURA & LEGATURI COVALENTE)

Structura atomica Forma cristalizare Reprezentare

conventionala


SARCINI ELECTRICEIN SEMICONDUCTOARELE INTRINSECI

T=0K el in BV T>0K apar perechi

electron-gol


CONDUCTIA ELECTRICA IN SEMICONDUCTOARE

Curenti de drift E Curenti de difuzie ~


SEMICONDUCTOAREEXTRINSECI TIP N

Dopare Extrinseci n Extrinseci p Nd -donori Na -acceptori


SEMICONDUCTOAREEXTRINSECI TIP P


JONCTIUNEA PN NEPOLARIZATA


MARIMI ELECTRICE IN JONCTIUNEA PN NEPOLARIZATA

PN abrupta si regiunea de trecere complet saracita


JONCTIUNEA PNPOLARIZATA INVERS


CONCENTRATIA PURTATORILORLA POLARIZARE DIRECTA

x

pn0

np0

-W1 W20

p

n

(

W

2

)

n-regionp-region

Lp

diffusion


CONCENTRATIA PURTATORILORLA POLARIZARE INVERSA

x

pn0

np0

-W1 W20n-regionp-region

diffusion


JONCTIUNEA PNPOLARIZATA DIRECT

Documents

DCE_01