DigitDigitáális lis elektronikaelektronika

IC gyártás I.

2

IC gyártás

• Si egykristály rúd készítése• Szeletelés, polírozás (cca. 0.5 mm vastag), a felületen oxidréteg létrehozása• Layout kialakítása• * Aktív ablaknyitás• * lonimplantáció• * Vékonyoxid növesztés (Gate elektródához)• * Ablaknyitás bújtatott kontaktushoz• * Polikristályos Si növesztés (Gate elektróda)• * Polikristályos Si maratás (Gate elektróda)• * Szennyezés (Source, Drain kialakítása) (önbeállitó maszkolás)• * Védőbevonat kialakitása• * Ablaknyitás kontaktushoz• * Al réteg létrehozása• * Fémmaratás• Tesztelés• Tördelés (chip)• Tokozás

3

4

5

6

7

8

9

Aktív ablaknyitás

10

Ionimplantálás és vékonyoxid növesztés

11

Bújtatott kontaktus-ablaknyitás és poliszilícium leválasztás

12

Poliszilícium és vékonyoxid marás,

foszfor diffúzió és PSG üveg leválasztás

13

Kontaktus-ablaknyitás és alumínium leválasztás

14

Fémmaratás

15

A kész inverter