DS21946A JP · TC4421A/TC4422A DS21946A_JP-page 2 © 2006 Microchip Technology Inc. 機能ブロック図等価入力出力入力 GND VDD 300 mV 4.7V TC4421A C = 25 pF

TC4421A/TC4422A9A 高速 MOSFET ドライバ

特徴

• 高いピーク出力電流 : 10A (typ.)• 出力段は貫通電流やクロスコンダクション電流が少ない

• 広い電源電圧範囲 : 4.5V ～ 18V• 連続大出力電流 : 2A (max.)• マッチングのとれた高速立上がり、立下り時間 :

- 4,700 pF 負荷で 15 ns- 47,000 pF 負荷で 135 ns

• マッチングのとれた低伝播遅延 : 42 ns (typ.)• 低消費電流 :

- 論理 ‘1’ 入力のとき – 130 µA (typ.)- 論理 ‘0’ 入力のとき – 33 µA (typ.)

• 低出力インピーダンス : 1.2W (typ.)• ラッチアップ保護 : 1.5A の逆出力電流に耐える

• マイナス 5V までの負入力に耐える

• TC4420/TC4429 や TC4421/TC4422 MOSFETドライバはピン互換

• 小型で熱特性のよい 8 ピン DFN パッケージ

応用例

• 特に重い負荷ライン用のラインドライバ

• パルス発生器

• 大型 MOSFET や IGBT のドライバ

• 電源ユニット用 ON/OFF スイッチ

• モータやソレノイドのドライバ

• キーレスエントリシステムにおける低周波イニシエータ

概要

　TC4421A/TC4422A は、単一出力 MOSFET ドライバである TC4421/TC4422 ファミリの改良版です。このデバイスは大型 MOSFET や絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)をドライブできる大電流バッファ／ドライバです。TC4421A/TC4422A は同じ立上がり、立下り時間と、同じ立上がり、立下り伝播遅延時間となっています。さらに TC4421A/TC4422A デバイスは非常に少ないクロスコンダクション電流となっていて、デバイスの総消費電力を減らします。

　このデバイスは、本来、直接の過電圧や負荷容量オーバー以外のほとんどの使用状態の変化には影響されません。定格以内のどのような電力や電圧の条件でもラッチアップは起きません。このパーツはグランド端子に最大 5V のグランドバウンスがあっても誤動作したり壊れることはありません。また、出力に 1A 以上の誘導電流がどちら向きに加わっても論理が反転したり壊れることはありません。さらにすべてのピンが4 kV までの静電気に対して保護されています。

　TC4421A/TC4422A の入力は TTL でも CMOS (3V ～18V) でも直接ドライブできます。さらに、入力には300 mV のヒステリシスが組み込まれていますので、ノイズにも問題ないですし、ゆっくりした立上がり、立下り波形でも大丈夫です。

　表面実装でもピンスルーホールパッケージでも、さらに広い動作温度範囲でも、TC4421A/TC4422A ファミリの 9A MOSFET ドライバは、ゲートや配線の高容量ドライブが必要な用途に適しています。

パッケージタイプ (1)

8 ピン

1234

VDD

5678

OUTPUT

GND

VDDINPUT

NCGND

OUTPUTTC4421ATC4422A

5-Pin TO-220

VD

DG

ND

INPU

TG

ND

OU

TPU

T

TC4421ATC4422A

タブは

VDD と共通

注 1: 正しく動作させるには同名ピンが複数あっても全て接続すること。

2: DFN パッケージの露出パッドは電気的に絶縁されている。

TC4421A TC4422A

VDDOUTPUT

GNDOUTPUT

PDIP/SOIC8 ピン DFN(2)

VDD

INPUT

NC

GND

2

3

4 5

6

7

81

TC4421ATC4422A

VDD

OUTPUT

GND

OUTPUT

TC4421A TC4422A

VDD

OUTPUT

GND

OUTPUT

© 2006 Microchip Technology Inc. DS21946A_JP-page 1

TC4421A/TC4422A
機能ブロック図
等価入力

出力

入力

GND

VDD

300 mV

4.7V

TC4421A

C = 25 pF

TC4422A

反転

非反転

130 µA

ｸﾛｽｺﾝﾀﾞｸｼｮﾝ電流低減

　および

プリドライブ回路

出力

DS21946A_JP-page 2 © 2006 Microchip Technology Inc.

TC4421A/TC4422A

第 1 章電気的特性

絶対最大定格 †電源電圧 ......................................................................+20V入力電圧 .............................. (VDD + 0.3V) ～ (GND – 5V)入力電流 (VIN > VDD)...............................................50 mA

† 注意 : 左記の「最大定格」を超えるストレスを加えると、デ

バイスに恒久的な損傷を与えることがあります。この規定は

ストレス定格のみを規定するものであり、この仕様の動作条

件に記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは

ありません。長時間デバイスを最大定格状態にすると、デバ

イスの信頼性に影響を与えることがあります。

DC 特性

電気的仕様 : 特に指定されない限り、 TA = +25 ℃ で 4.5V ≤ VDD ≤ 18V

パラメータ記号 Min Typ Max 単位条　件

入力

論理 ‘1’、 High 入力電圧 VIH 2.4 1.8 — V

論理 ‘0’、 Low 入力電圧 VIL — 1.3 0.8 V

入力電流 IIN –10 — +10 µA 0V ≤ VIN ≤ VDD

入力電圧 VIN –5 — VDD – 0.3 V

出力

High 出力電圧 VOH VDD – 0.025 — — V DC テスト

Low 出力電圧 VOL — — 0.025 V DC テスト

出力抵抗、 High ROH — 1.25 1.5 W IOUT = 10 mA、 VDD = 18V出力抵抗、 Low ROL — 0.8 1.1 W IOUT = 10 mA、 VDD = 18Vピーク出力電流 IPK — 10.0 — A VDD = 18V

連続出力電流 IDC 2 — — A 10V ≤ VDD ≤ 18V、 TA = +25 ℃(TO220 と DFN パッケージのみ ) ( 注 2)

ラッチアップ保護耐逆電流

IREV — >1.5 — A ﾃﾞｨｰﾃｨｻｲｸﾙ ≤ 2%、 t ≤ 300 µsec

スイッチング時間 ( 注 1)立上り時間 tR — 28 34 ns 図 4-1、 CL = 10,000 pF立下り時間 tF — 26 32 ns 図 4-1、 CL = 10,000 pF伝播遅延時間 tD1 — 38 45 ns 図 4-1、 CL = 10,000 pF伝播遅延時間 tD2 — 42 49 ns 図 4-1、 CL = 10,000 pF電源

電源電流 IS — 130 250 µA VIN = 3V— 35 100 µA VIN = 0V

動作電源電圧 VDD 4.5 — 18 V

注 1: スイッチング時間は設計値

2: 特性把握用のテストで得られた値であり、量産時のテストでは無い


TC4421A/TC4422A

DC 特性 ( 全動作温度範囲 )

温度特性

電気的仕様 : 特に指定されない限り、全動作温度範囲で 4.5V ≤ VDD ≤ 18V.


入力

論理 ‘1’、 High 入力電圧 VIH 2.4 — — V

論理 ‘0’、 Low 入力電圧 VIL — — 0.8 V

入力電流 IIN –10 — +10 µA 0V ≤ VIN ≤ VDD

出力

High 出力電圧 VOH VDD – 0.025 — — V DC テスト

Low 出力電圧 VOL — — 0.025 V DC テスト

出力抵抗、 High ROH — — 2.0 W IOUT = 10 mA、 VDD = 18V出力抵抗、 Low ROL — — 1.6 W IOUT = 10 mA、 VDD = 18Vスイッチング時間 ( 注 1)立上り時間 tR — 38 45 ns 図 4-1、 CL = 10,000 pF立下り時間 tF — 33 40 ns 図 4-1、 CL = 10,000 pF伝播遅延時間 tD1 — 50.4 60 ns 図 4-1、 CL = 10,000 pF伝播遅延時間 tD2 — 53 60 ns 図 4-1、 CL = 10,000 pF電源

電源電流 IS — 200 500 µA VIN = 3V— 50 150 µA VIN = 0V

動作電源電圧 VDD 4.5 — 18 V

注 1: スイッチング時間は設計値

電気的仕様 : 特に指定されない限り、全パラメータは 4.5V ≤ VDD ≤ 18V にて


温度範囲

規定温度範囲 (V) TA –40 — +125 ℃

最大接合部温度 TJ — — +150 ℃

保存温度 TA –65 — +150 ℃

パッケージ熱抵抗

熱抵抗、 5 ピン TO-220 qJA — 71 — ℃ /W 放熱器なし

熱抵抗、 8 ピン 6x5 DFN qJA — 33.2 — ℃ /W 標準 4 層基板グランド層にスルーホールを介して接続

熱抵抗、 8 ピン PDIP qJA — 125 — ℃ /W熱抵抗、 8 ピン SOIC qJA — 155 — ℃ /W


TC4421A/TC4422A

第 2 章典型的な性能グラフ

注 : 特に指定されない限り、 TA = +25 ℃ で 4.5V ≤ VDD ≤ 18V

図 2-1: 電源電圧に対する立上り時間

図 2-2: 容量性負荷に対する立上り時間

図 2-3: 電源電圧に対する立下り時間

図 2-4: 容量性負荷に対する立下り時間

図 2-5: 温度に対する立上り、立下り時間

図 2-6: 電源電圧に対するクロスオーバーエネルギー（アンペア秒）

注 : 以下の本項のグラフや表は、有限のサンプルの統計値に基づいており、情報提供のためだけのものです。ここに記述された性能特性は未テストか非保証です。いくつかのグラフや表では、仕様の動作範囲を超えています（例えば供給電源範囲外）従って保証範囲外です。

020406080

100120140160180

4 6 8 10 12 14 16 18

電源電圧 (V)

立上

り時

間 (n

s) 22,000 pF

10,000 pF

1,000 pF 100 pF

0

50

100

150

200

250

300

100 1000 10000 100000

容量性負荷 (pF)

立上

り時

間 (n

s)

5V

10V

15V

020406080

100120140160180

4 6 8 10 12 14 16 18

電源電圧(V)

立下

り時

間 (n

s)

22,000 pF

10,000 pF

1,000 pF 100 pF

0

50

100

150

200

250

300

100 1000 10000 100000


立下

り時

間 (n

s) 5V

15V

10V

20

25

30

35

40

45

50

55

-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125

温度 (°C)

時間

(ns)

tRISE

tFALL

VDD = 15V

1E-9

1E-8

1E-7

4 6 8 10 12 14 16 18

電源電圧 (V)

クロスオーバ

エネル

ギ (A

·sec

) 10-7

10-8

10-9


TC4421A/TC4422A
図 2-7: 電源電圧に対する伝播遅延

図 2-8: 入力振幅に対する伝播遅延

図 2-9: 温度に対する伝播遅延

図 2-10: 電源電圧に対する消費電流

図 2-11: 温度に対する消費電流

図 2-12: 温度に対する入力スレッショルド

3035404550556065707580

4 6 8 10 12 14 16 18

電源電圧 (V)

伝播

遅延

(nS)

tD2

tD1

CLOAD = 10,000 pF

40

45

50

55

60

65

70

75

2 3 4 5 6 7 8 9 10

入力振幅(V)

伝播

遅延

(ns)

tD1

tD2

VDD = 12V

30

35

40

45

50

55

60

-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125

温度 (°C)

伝播

遅延

(ns)

tD2

tD1

VDD = 12VVIN = 5VCLOAD = 10,000 pF

20

40

60

80

100

120

140

4 6 8 10 12 14 16 18

電源電圧 (V)

I QU

IESC

ENT

(µA

) 入力 = High

入力 = Low

20406080

100120140160180200220

-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125

温度 (°C)

I QU

IESC

ENT (

µA)

入力 = Low

入力 = High

VDD = 18V

1.01.11.21.31.41.51.61.71.81.92.0

-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125

温度 (°C)

入力

スレッショル

ド (V

)

VIH

VIL

VDD = 12V


TC4421A/TC4422A
図 2-13: 電源電圧に対する入力スレッショルド

図 2-14: 電源電圧に対する High 状態の出力抵抗

図 2-15: 電源電圧に対する Low 状態出力抵抗

図 2-16: 容量性負荷に対する電源電流(VDD = 18V)

図 2-17: 容量性負荷に対する電源電流 (VDD = 12V)

図 2-18: 容量性負荷に対する電源電流 (VDD = 6V)

1.01.11.21.31.41.51.61.71.81.92.0

4 6 8 10 12 14 16 18

電源電圧 (V)

入力スレッショル

ド (V

)

VIH

VIL

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

4 6 8 10 12 14 16 18

電源電圧 (V)

R OU

T-H

I (Ω

)

TJ = 25°C

TJ = 150°C

VIN = 5V (TC4422A)V = 0V (TC4421A)

0.00.51.01.52.02.53.03.5

4 6 8 10 12 14 16 18

電源電圧 (V)

R OU

T-LO

(Ω)

TJ = 25°C

TJ = 150°C

VIN = 0V (TC4422A)V 5V (TC4421A)

020406080

100120140160180

100 1,000 10,000 100,000


電源

電流

(mA

) 2 MHz1 MHz

200 kHz

100 kHz

50 kHz

10 kHz

VDD = 18V

020406080

100120140160180200

100 1,000 10,000 100,000


電源

電流

(mA

)2 MHz 1 MHz

200 kHz

100 kHz

50 kHz

10 kHz

VDD = 12V

020406080

100120140160180200220

100 1,000 10,000 100,000

容量性負荷(pF)

電源

電流

(mA

)

2 MHz

1 MHz

200 kHz

100 kHz

50 kHz

10 kHz

VDD = 6V


TC4421A/TC4422A
図 2-19: 周波数に対する電源電流 (VDD = 18V)



020406080

100120140160180

10 100 1000 10000

周波数 (kHz)

電源

電流

(mA

)

VDD = 18V

470 pF

1000 pF

10,000 pF

22,000 pF

47,000 pF

0.1 µF

020406080

100120140160180200

10 100 1000 10000

周波数 (kHz)

電源

電流

(mA

)

470 pF

1000 pF

10,000 pF

22,000 pF

47,000 pF

0.1 µF

VDD = 12V

020406080

100120140160180200220

10 100 1000 10000

周波数 (kHz)

電源

電流

(mA

)

470 pF

1000 pF

10,000 pF

22,000 pF47,000 pF

0.1 µF

VDD = 6V


TC4421A/TC4422A

第 3 章ピン説明

ピンの説明を表 3-1 に示します。

表 3-1 ピン機能一覧表

3.1 電源入力 (VDD)　VDD 入力は MOSFET ドライバに対するバイアス入力で、グランドピンに対して 4.5V ～ 18V の範囲です。VDD 入力と GND ピン間は、近くでセラミックコンデンサによりバイパスします。コンデンサの容量は、ドライブする負荷容量によって選択します。最小値は1 µF です。

3.2 制御入力

　MOSFET ドライバ入力は、ハイインピーダンスでTTL/CMOS 互換入力です。また、入力には high と low間に 300 mV のヒステリシスが設けられていて、入力の立上り、立下りが非常に遅い場合でも出力グリッチが出ないようになっています。

3.3 CMOS プッシュプル出力

　MOSFET ドライバの出力は、低インピーダンスのCMOS のプッシュプル構成となっていて、ピーク電流で 9.0A の容量性負荷をドライブできます。このMOSFET ドライバ出力は、どちらの極性であっても1.5A ピークの逆電流に耐えられます。

3.4 グランド

　グランドピンは、バイアス電流の帰路であり、かつ容量負荷を放電する大きなピーク電流の帰路でもあります。したがってグランドピンはグランド層に接続するか、非常に短いパターンで電源供給リターンに接続するようにします。

3.5 露出メタルパッド

　6x5 DFN パッケージの露出メタルパッドは、内部ではどの電位にも接続されてはいません。したがって、このパッドは、パッケージの放熱用としてプリント基板 (PCB) のグランド層か、他の銅層に接続できます。

3.6 メタルタブ

　TO-220 パッケージのメタルタブは、デバイス内部で VDD に接続されていますので、デバイスの電流路として利用できます。

ピン番号

8 ピン PDIP、 SOIC

ピン番号

8 ピン DFNピン番号

5 ピン TO-220 記号説明

1 1 — VDD 電源入力 4.5V ～ 18V2 2 1 INPUT 制御入力、 TTL/CMOS 互換入力

3 3 — NC 未接続

4 4 2 GND グランド

5 5 4 GND グランド

6 6 5 OUTPUT CMOS プッシュプル出力

7 7 — OUTPUT CMOS プッシュプル出力

8 8 3 VDD 電源入力、 4.5V ～ 18V— PAD — NC 露出メタルパッド

— — TAB VDD メタルタブ　 VDD 電位


TC4421A/TC4422A

第 4 章応用情報

図 4-1: スイッチング時間テスト回路

反転ドライバ

非反転ドライバ

入力

tD1tF

tR

tD2入力 : 100 kHz、方形波、

tRISE = tFALL ≤ 10 nsec

出力

入力

出力

tD1tF

tR

tD2

+5V

10%

90%

10%

90%

10%

90%+18V

0V

90%

10%

10% 10%

90%

+5V

+18V

0V

0V

0V

90%

2 6

7

54

1 8

CL = 10,000 pF

0.1 µF 4.7 µF

入力

VDD = 18V

出力

0.1 µF

TC4421A

TC4422A注 : ピン配置は DFN、 PDIP、SOIC パッケージ用です。

VDD VDD

Input

GND GND

Output

Output


TC4421A/TC4422A

第 5 章パッケージ情報

5.1 パッケージマーキング情報

XXXXXXXXXXXXXNNN

YYWW

8 ピン PDIP (300 mil) 例 :

TC4421APA ^ 256

0514

5 ピン TO-220

XXXXXXXXXXXXXXXXXXYYWWNNN

例 :

TC4421AXXXXXXXXX

0514256VAT^^

凡例 : XX...X カスタマ仕様情報Y 年コード ( カレンダ年の下位１桁目 )YY 年コード ( カレンダ年の下位２桁目 )WW 週コード (1 月 1 日を週 ‘01’ とする )NNN 英数字のトレース用コード錫メッキ (Sn) に関する鉛フリー JEDEC 区別コード * 本パッケージは鉛フリーです。鉛フリー JEDEC 区別　 ( )

はパッケージの外観から見えるようにしています。

注意 : マイクロチップのパーツ番号全体が１行で入らないときは、次の行に渡ります。このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます。

3e

3e

8 ピン DFN 例 :

TC4421AVMF^

0514256

8 ピン SOIC (150 mil) 例 :

XXXXXXXXXXXXYYWW

NNN

TC4421ASN 0514

2563e

3e

3e

3e

XXXXXXXXXXXXXXXXYYWW

NNN


TC4421A/TC4422A

5 ピン Plastic Transistor Outline (AT) (TO-220)

L H1

Q

E

b

e1

e

C1

J1

F

A

D

a (5X)

ØPEJECTOR PIN

e3

Drawing No. C04-036

Notes:

Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash orprotrusions shall not exceed .010" (0.254mm) per side.JEDEC equivalent: TO-220

*Controlling Parameter

Mold Draft Angle

Lead Width

Lead Thickness

a

C1

b

.014

Dimension Limits

Overall Height

Lead Length

Overall Width

Lead Pitch

A

L

E

.540

MINe

Units

.060

INCHES*

.022 0.36 0.56

MILLIMETERS

.190

.560 13.72

MINMAX

4.83

14.22

MAX

.160 4.06

3° 7° 3° 7°

Overall Length D

1.020.64.040.025

Overall Lead Centers e1 .263

.385

.560

.273 6.68 6.93

.072 1.52 1.83

.415 9.78 10.54

.590 14.22 14.99

Through Hole Diameter P .146 .156 3.71 3.96

J1Base to Bottom of Lead .090 2.29.115 2.92

Through Hole Center Q .103 2.87.113 2.62

Flag Thickness F .045 1.40.055 1.14

Flag Length H1 .234 6.55.258 5.94

Space Between Leads e3 .030 1.02.040 0.76


TC4421A/TC4422A

8 ピン Plastic Dual Flat No Lead Package (MF) 6x5 mm Body (DFN-S) – Saw Singulated


TC4421A/TC4422A

8 ピン Plastic Dual In-line (PA) – 300 mil (PDIP)

B1

B

A1

A

L

A2

p

α

E

eB

β

c

E1

n

D

1

2

単位インチ * ミリメータ

寸法限界 MIN NOM MAX MIN NOM MAXピン数 n 8 8ピッチ p .100 2.54実装面から上面 A .140 .155 .170 3.56 3.94 4.32モールドパッケージ厚 A2 .115 .130 .145 2.92 3.30 3.68実装面かた底面 A1 .015 0.38肩間幅 E .300 .313 .325 7.62 7.94 8.26モールドパッケージ幅 E1 .240 .250 .260 6.10 6.35 6.60全長 D .360 .373 .385 9.14 9.46 9.78実装面から先端 L .125 .130 .135 3.18 3.30 3.43リード厚 c .008 .012 .015 0.20 0.29 0.38リード上部幅 B1 .045 .058 .070 1.14 1.46 1.78リード下部幅 B .014 .018 .022 0.36 0.46 0.56全実装幅 § eB .310 .370 .430 7.87 9.40 10.92モールド抜き角頂部 α 5 10 15 5 10 15モールド抜き角底部 β 5 10 15 5 10 15* 制御パラメータ

注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドのはみ出しや突出部は側面から

JEDEC 準拠 : MS-001Drawing No. C04-018

.010” (0.254mm) 以上はありません。

§ 有意特性


TC4421A/TC4422A

8 ピン Plastic Small Outline (OA) – Narrow、 150 mil (SOIC)

足角 φ 0 4 8 0 4 8

1512015120βモールド抜き角底部

1512015120αモールド抜き角頂部

0.510.420.33.020.017.013Bリード幅

0.250.230.20.010.009.008cリード厚

0.760.620.48.030.025.019L足長

0.510.380.25.020.015.010h面取り長

5.004.904.80.197.193.189D全長

3.993.913.71.157.154.146E1モールドパッケージ幅

6.206.025.79.244.237.228E全幅

0.250.180.10.010.007.004A1スタンドオフ §1.551.421.32.061.056.052A2モールドパッケージ厚

1.751.551.35.069.061.053A全高

1.27.050pピッチ

88nピン数

MAXNOMMINMAXNOMMIN寸法限界

ミリメータインチ *単位

2

1

D

n

p

B

E

E1

h

Lβ

c

45°

φ

A2

α

A

A1

* 制御パラメータ

注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドのはみ出しや突出部は側面から .010” (0.254mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MS-012Drawing No. C04-057

§ 有意特性


TC4421A/TC4422A
ノート :

TC4421A/TC4422A

付録 A: 改版履歴

レビジョン A (2005 年 5 月 )

• 初版リリース


TC4421A/TC4422A
ノート :

TC4421A/TC4422A

製品識別システム

注文や資料請求、または価格や納期などの照会は工場もしくは後述のセールスオフィスへお問い合わせください。

デバイス : TC4421A: 9A High-Speed MOSFET Driver, InvertingTC4422A: 9A High-Speed MOSFET Driver, Non-Inverting

温度範囲 : V = -40°C ～ +125°C

パッケージ : * AT = TO-220, 5 ピン MF = Dual, Flat, No ピン (6x5 mm Body), 8 ピンMF713 = Dual, Flat, No ピン (6x5 mm Body), 8 ピン

( テープでリール )PA = Plastic DIP (300 mil Body), 8 ピンOA = Plastic SOIC (150 mil Body), 8 ピンOA713 = Plastic SOIC (150 mil Body), 8 ピン

( テープでリール )

* 全パッケージが Pb フリーです ( リードフリー ).

PART NO. X XX

パッケージ　温度範囲デバイス

例 :

a) TC4421AVAT: 9A 高速、反転MOSFET Driver,TO-220 パッケージ , -40°C ～ +125°C.

b) TC4421AVOA: 9A 高速、反転MOSFET Driver,SOIC パッケージ ,-40°C ～ +125°C.

c) TC4421AVMF: 9A 高速、反転 MOSFET Driver,DFN パッケージ ,-40°C ～ +125°C.

a) TC4422AVPA: 9A 高速、非反転MOSFET Driver,PDIP パッケージ ,-40°C ～ +125°C.

b) TC4422AVOA: 9A 高速、非反転 MOSFET Driver,SOIC パッケージ ,-40°C ～ +125°C.

c) TC4422AVMF: 9A 高速、非反転 MOSFET Driver, DFN パッケージ ,-40°C ～ +125°C.

XXX

　テープとリール


TC4421A/TC4422A
ノート :

マイクロチップデバイスのコード保護についての詳細

• マイクロチップ製品は、マイクロチップが発行するデータシートに記載された仕様を満たしています。

• マイクロチップの製品ファミリは、正常かつ通常条件下で使用される限り、現在の半導体市場で最も確実で安全な製品です。

• コード保護を侵害する不正または不法な行為、または、マイクロチップが発効するデータシートに記載されている仕様範囲

外でマイクロチップ製品を使用し不正または不法な行為を行った場合は、知的財産の侵害となります。

• マイクロチップは、コードの完全性について懸念されるカスタマをサポートします。

• マイクロチップおよびその他の半導体メーカは、コードのセキュリティを保証しておりません。コード保護機能は、製品が破

損しないことを保証するものではありません。

コード保護機能は常に改善されています。マイクロチップでは、弊社の製品のコード保護機能に対して不断な努力を重ねてお

ります。弊社のコード保護機能を侵害する行為は、デジタルミレニアム著作権法 (DMCA) に違反します。カスタマのソフト

ウェアまたはその他の著作物への不正アクセスが生じた場合は、この著作権法に則り訴訟を起こす場合があります。

この文書に含まれるデバイスアプリケーションに関する情

報は、ユーザーが任意で入手可能できるため、入手した文書

が常に最新版であるとは限りません。したがって、ユーザー

アプリケーションが製品仕様を満たしているかの判断はユー

ザー側の責任とします。

マイクロチップは、条件、品質、パフォーマンス、市場性ま

たは適合性を含む関連情報 ( この限りではない ) が、明示また

は暗示、書面または口頭、制定内またはそうでない場合でも

いかなる種類の保証を致しかねます。

マイクロチップは、この情報とその使用に起因する全ての責

任を負いかねます。生命維持装置の重要な構成要素としてマ

イクロチップ製品を使用する場合は、マイクロチップによる

正式な書面での承認以外は認可されません。いかなる知的所

有権の下でも、明示的またはその他のライセンスの譲渡は認

められません。

© 2006 Microchip Technology Inc.

商標

マイクロチップの名前およびロゴ (Microchip logo、 Accuron、dsPIC、 KEELOQ、 microID、 MPLAB、 PIC、 PICmicro、PICSTART、 PRO MATE、 PowerSmart、 rfPIC、および SmartShunt ) は、米国およびその他の国における、 Microchip Technology Incorporated の登録商標です。AmpLab, FilterLab、 Migratable Memory、 MXDEV、 MXLAB、 PICMASTER、 SEEVAL、 SmartSensor、および Embedded Control Solutions Company は、米国 Microchip Technology Incorporated の登録商標です。

Analog-for-the-Digital Age、 Application Maestro、 dsPICDEM、

dsPICDEM.net、 dsPICworks、 ECAN、 ECONOMONITOR、FanSense、 FlexROM、 fuzzyLAB、 In-Circuit Serial Programming、ICSP、 ICEPIC、 Linear Active Thermistor、 MPASM、 MPLIB、MPLINK、 MPSIM、 PICkit、 PICDEM、 PICDEM.net、 PICLAB、PICtail、 PowerCal、 PowerInfo、 PowerMate、 PowerTool、 rfLAB、 rfPICDEM、 Select Mode、 Smart Serial、 SmartTel、 Total Endurance、および WiperLock は、米国およびその他の国にお

ける、 Microchip Technology Incorporated の商標です。

SQTP は、米国における、 Microchip Technology Incorporated のサービス商標です。

ここに示されるその他の商標はそれぞれの企業の著作物です。

© 2006, Microchip Technology Incorporated, Printed in the U.S.A., All Rights Reserved.

再生紙を使用

DS21946A_JP-page 21

マイクロチップ社は、 2003 年 10 月に本社、設計およびウエハ工場 ( アリゾナ州チャンドラーおよびテンピー、カリフォルニア州マウンテンビュー ) 品質システムが、 ISO/TS-16949:2002 の認証を取得しました。マイクロチップの品質システムプロセスおよび手順は、PICmicro® 8 ビット MCU、 KEELOQ® コードホッピングデバイス、シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、およびアナログ製品を使用しています。また、マイクロチップの開発システムの設計および製造は、 ISO 9001:2000 の認定を取得しています。



世界各国の営業所およびサポート

07/21/06

アメリカ合衆国

本社2355 West Chandler Blvd.Chandler, AZ 85224-6199Tel: 480-792-7200 Fax: 480-792-7277テクニカルサポート : http://support.microchip.comウェブサイトアドレス : www.microchip.com

アトランタ AtlantaAlpharetta, GA Tel: 770-640-0034 Fax: 770-640-0307

ボストン BostonWestborough, MA Tel: 774-760-0087 Fax: 774-760-0088

シカゴ ChicagoItasca, IL Tel: 630-285-0071 Fax: 630-285-0075

ダラス DallasAddison, TX Tel: 972-818-7423 Fax: 972-818-2924

デトロイト DetroitFarmington Hills, MI Tel: 248-538-2250Fax: 248-538-2260

コーコモ KokomoKokomo, IN Tel: 765-864-8360Fax: 765-864-8387

ロサンゼルス Los AngelesMission Viejo, CA Tel: 949-462-9523 Fax: 949-462-9608

サンタクララ Santa ClaraSanta Clara, CA Tel: 408-961-6444Fax: 408-961-6445

トロント TorontoMississauga, Ontario, CanadaTel: 905-673-0699 Fax: 905-673-6509

アジア / パシフィックアジアパシフィック営業所

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オーストラリア - シドニーTel: 61-2-9868-6733Fax: 61-2-9868-6755

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中国 - 瀋陽

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中国 - 深川

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中国 - 順徳

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中国 - 武漢

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中国 - 西安

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アジア / パシフィック

インド - バンガロールTel: 91-80-4182-8400 Fax: 91-80-4182-8422

インド - ニューデリー

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インド - プーナ

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日本 - 横浜

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韓国 - クミTel: 82-54-473-4301Fax: 82-54-473-4302

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マレーシア - ペナン

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フィリピン - マニラ

Tel: 63-2-634-9065Fax: 63-2-634-9069

シンガポールTel: 65-6334-8870Fax: 65-6334-8850

台湾 - 新竹

Tel: 886-3-572-9526Fax: 886-3-572-6459

台湾 - 高雄Tel: 886-7-536-4818Fax: 886-7-536-4803

台湾 - 台北Tel: 886-2-2500-6610 Fax: 886-2-2508-0102

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ヨーロッパ

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デンマーク - コペンハーゲンTel: 45-4450-2828 Fax: 45-4485-2829

フランス - パリ

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ドイツ - ミュンヘンTel: 49-89-627-144-0 Fax: 49-89-627-144-44

イタリア - ミラノ Tel: 39-0331-742611 Fax: 39-0331-466781

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