Upload
admir-salagic
View
59
Download
9
Embed Size (px)
DESCRIPTION
Ees 1 Parcijale
Citation preview
1
I TEST EES - VARIJANTA 1 Zadatak broj 1. 1.1. Napisati relaciju kojom je moguće odrediti ukupan broj elektrona na nekoj orbiti:
Z0= [ ])12(5312)12(21
0
−+++=+∑−
=
nln
l
=2n2
1.2. Napisati relaciju koja povezuje koncentracije elektrona i šupljina kod čistog (intrinsic) poluvodiča:
2innp =
1.3. Napisati izraz za kapacitet prostornog naboja, kada je pn spoj inverzno polariziran:
)(1
FA
Cjegdje
Vu
CdudQ
Cdo
sjo
j
R
jo
R
nj ω
ε=
+
==
1.4. Napisati aproksimativni izraz kojim se određuje interval vođenja kod poluvalnog ispravljača: 1.5. Napisati pojednostavljene jednačine Gummel-Poon-a za direktnu aktivnu oblast rada tranzistora: Zadatak broj 2. Tačan odgovor zaokružiti 2.1. Ako je koncentracija elektrona za čisti Si 1010 (1/cm3), ND=1018 (1/cm3) i NA=0, onda je koncentracija elektrona kod n tipa poluvodiča: a) 1010(1/cm3) b) 1018 (1/cm3) c) 1028 (1/cm3) 2.2. Energetski nivo donorskih atoma kod normalno dopiranih poluvodiča. nalazi se u: a) slobodnoj (vodljivoj) zoni b) zabranjenoj zoni u blizini slobodne zone b) valentnoj zoni
;21
P
r
VV
Tω
≈∆
TVEBU
FB
TVEBU
FE
TVEBU
C
eIsi
eIsi
Isei
β
α
=
=
=
Skinuto sa www.etf.ba
2
2.3. Zener dioda se koristi kada radi u oblasti: a) direktne polarizacije b) proboja c) direktne i inverzne polarizacije 2.4 Ako je vršna diodna struja kod punovalnog ispravljača 25 A, onda je kod poluvalnog ispravljača ona: a) 50 A b) 25 A c) 12,5 A 2.5 Ako je tranzistor polariziran sa 4 otpornika i jednim izvorom napajanja za rad u direktnoj aktivnoj oblasti i ako je zadovoljen uvjet REQ<<(1+ßF)RE i VEQ-VBE)>>IBREQ, a struja emitera bipolarnog tranzistora iznosi 10 mA, tada je struja kolektora: a) 5 mA b)10⋅ßF mA c) 10 mA 3. Naći Q tačke za diodni krug sa dvije diode sa slike 1. , ako je napon vođenja kod obje diode isti i iznosi Von= 0,7 V, koristeći: a) model idealne diode b) CVD model.
Slika1 REZULTATI: a) Q1 (1 mA; 0V) Q2 (0A: -15 V) b) Q1* (0,93 mA; 0,7V) Q2* (0A: -15,7 V)
Skinuto sa www.etf.ba
1
I TEST EES - VARIJANTA 2 Zadatak broj 1. 1.1. Napisati izraz za Bohr-ov postulat, kojim se određuju stabilne orbite u atomu vodonika
mvr = nh/2π =n ћ ⇒ v=nh/(2πmr) 1.2. Napisati aproksimativne izraze za koncentracije elektrona i šupljina kod n tipa poluvodiča, ako su poznate koncentracije donora i akceptora
nn
pinNNNN
n iiADAD222
24)()(
=+−±−
= n∼ )( AD NN −
1.3. Napisati izraz za širinu osiromašene oblasti kod pn spoja kada je pn spoj u nultoj polarizaciji
jDA
snpdo V
NNqxx
−=+=
112)(
εω
1.4. Napisati izraz koji približno određuje iznos struje pražnjenja kondenzatora (Idc) kod poluvalnog ispravljača. 1.5. Napisati pojednostavljene jednačine Gummel-Poon-a za oblast kočenja tranzistora i definirati koliko iznose struje tranzistora u tom slučaju Sve tri struje su približno jednake nuli. Zadatak broj 2. Tačan odgovor zaokružiti 2.1. Ako je koncentracija elektrona za čisti Si 1010 (1/cm3), NA=1015 (1/cm3) i ND=0, onda je koncentracija šupljina kod p tipa poluvodiča: a) 105 (1/cm3) b) 1015 (1/cm3) c) 1025 (1/cm3) 2.2. Fermijev nivo akceptorskih atoma kod deformiranih poluvodiča. nalazi se u: a) slobodnoj (vodljivoj) zoni b) zabranjenoj zoni u blizini valentne zone b) valentnoj zoni
RV
RVV
I dconPdc =
−=
)(
RFB
FE
RC
IsIsiIsiIsiββββ
−−=−=+=
Skinuto sa www.etf.ba
2
2.3. Kapacitet varikap diode : a) raste sa povećanjem inverznog napona b) opada sa povećanjen inverznog napona c) ostaje konstantnan pri promjeni inverznog napona 2.4. Ako je kapacitet detektora vršnog naboja kod poluvalnog ispravljača 0,025 F, onda je kapacitet detektora vršnog naboja kod punovalnog ispravljača, sa istim naponom ripla: a) 0,050 F b) 0,0125 F c) 0,025 F 2.5 Ako je tranzistor polariziran sa dva otpornika i dva izvora napajanja, da radi u direktboj aktivnoj oblasti, i ako je UBE i ßF konstantno, struja kolektora iznosi a) ßF IE b) ßF IB c) IE Zadatak broj 3. Naći Q tačke za diodni krug sa dvije diode sa slike 1. , ako je napon vođenja kod obje diode isti i iznosi Von= 0,7 V, koristeći: a) model idealne diode b) CVD model.
Slika 1. REZULTATI: a) Q1 (2 mA; 0V) Q2 (1 mA: 0 V) b) Q1* (1,86 mA; 0,7V) Q2* (1 mA: 0,7 V)
Skinuto sa www.etf.ba
1
I TEST EES - VARIJANTA 3 Zadatak broj 1. 1.1.Napisati izraz kojim je određena ukupna energija elektrona na nekoj orbiti („n“)
W= Wp+ Wk=- Ze2/ (8πε0r)=-m Z2e4/ (8h2ε02n2)
1.2. Napisati aproksimativne izraze za koncentracije elektrona i šupljina kod p tipa poluvodiča, ako su poznate koncentracije donora i akceptora
pn
ninNNNN
p iiDADA222
24)()(
=+−±−
= p∼ )( DA NN −
1.3. Napisati izraz za kontakni potencijal koji se javlja na pn spoju 1.4. Napisati izraz koji približno određuje iznos vršne struje kod poluvalnog ispravljača. 1.5. Napisati odnose između struja tranzistora koristeći koeficijent strujnog pojačanja ß a koje rezultiraju iz pojednostavljenih jednačina Gummel-Poon-a za direktnu aktivnu oblast rada tranzistora. Zadatak broj 2. Tačan odgovor zaokružiti 2.1. Ako je koncentracija elektrona za čisti Si 1010 (1/cm3), NA=1015 (1/cm3) i ND=0, onda je koncentracija elektrona kod p tipa poluvodiča: a) 105 (1/cm3) b) 1025 (1/cm3) c) 1015 (1/cm3) 2.2. Energetski nivo akceptorskih atoma kod normalno dopiranih poluvodiča. nalazi se u: a) slobodnoj (vodljivoj) zoni b) zabranjenoj zoni u blizini valentne zone b) valentnoj zoni u blizini zabranjene zone
TTIIiliTITIQ dcPdcP ∆
==∆
=2
2
2lni
DATj
nNN
VV =
)1( FBBCE
FBC
FEC
iiiiiiii
ββα
+=+===
Skinuto sa www.etf.ba
2
2.3. Spojna kristalna dioda se koristi kada radi u oblasti: a) direktne polarizacije b) inverzne polarizacije c) direktne i inverzne polarizacije 2.4. Ako je interval vođenja kod poluvalnog ispravljača sa detektorom vršnog naboja 0,8 ms, onda je interval vođenja kod punovalnog ispravljača približno: a) 1,6 ms b) 0,8 ms c) 0,4 ms 2.5 Ako je tranzistor polariziran sa 4 otpornika i jednim izvorom napajanja za rad u direktnoj aktivnoj oblasti i ako su zadovoljeni uvjeti REQ<<(1+ßF)RE i (VEQ-VBE)>>IBREQ , tada je struja kolektora a) Nezavisna od struje baze b) Nezavisna od koeficijenta strujnog pojačanja ßF c) Nezavisna od struje baze i koeficijenta strujnog pojačanja ßF Zadatak broj 3. Naći Q tačke za diodni krug sa dvije diode sa slike 1. koristeći: a) model idealne diode b) CVD model.
Slika 1.
REZULTATI: a) Q1 (2 mA; 0V) Q2 (3 mA: 0 V) b) Q1* (1,65 mA; 0,7V) Q2* (2,72 mA: 0,7 V)
Skinuto sa www.etf.ba
1
I TEST EES - VARIJANTA 4 Zadatak broj 1. 1.1. Napisati relaciju koju zadovoljavaju poluprečnici orbita Bohr-ovog modela atoma
r1:r2:.....:rn=12:22:....:n2
1.2. Napisati relaciju za kvadrat koncentracije elektrona (šupljina) kod čistog (intrinsic) poluvodiča u zavisnosti od temperature.
kTGE
ii eBTpn−
== 322 1.3. Napisati izraz za širinu osiromašene oblasti kod pn spoja kada je pn spoj inverzno polariziran
( )
+=
⇒+
−=+=
j
Rdd
RjDA
snpd
Vu
uVNNq
xx
1
112)(
0ωω
εω
1.4. Napisati izraz koji približno određuje iznos napona ripla kod poluvalnog ispravljača. 1.5. Definirati tabelarno 4 radne oblasti tranzistora u zavisnosti od polarizacije spojeva kolektor-baza i emiter baza. SPOJ EMITER- BAZA
SPOJ KOLEKTOR-BAZA
SPOJ KOLEKTOR-BAZA
DIREKTNA POLARIZACIJA
INVERZNA POLARIZACIJA
DIREKTNA POLARIZACIJA
Oblast zasićenja (zatvoren prekidač)
Oblast direktne aktivne polarizacije (dobro pojačanje)
INVERZNA POLARIZACIJA
Oblast inverzne aktivne polarizacije (slabo pojačanje)
Oblast kočenja (otvoren prekidač)
Zadatak broj 2. Tačan odgovor zaokružiti 2.1. Ako je koncentracija elektrona za čisti Si 1010 (1/cm3), ND=1018 (1/cm3) i NA=0, onda je koncentracija šupljina kod n tipa poluvodiča: a) 1010(1/cm3) b) 1018 (1/cm3) c) 102 (1/cm3)
CT
RVV
RCTVVV onP
onPr)(
)(−
=−≈
Skinuto sa www.etf.ba
2
2.2. Fermijev nivo donorskih atoma kod deformiranih poluvodiča nalazi se u: a) slobodnoj (vodljivoj) zoni b) zabranjenoj zoni u blizini valentne zone b) valentnoj zoni 2.3. Varikap dioda se koristi kada radi u oblasti: a) direktne polarizacije b) inverzne polarizacije c) proboja 2.4. Ako je napon ripla poluvalnog ispravljača iznosi 1 V, za isti kapacitet detektora vršnog naboja je napon ripla kod punovalnog ispravljača : a) 2 V b) 0,5 V c) 1 V 2.5 Ako je bazna struja tranzistora IB>IC/ßF, tada je tranzistor polariziran da radi u : a) direktnoj aktivnoj oblasti b) inverznoj aktivnoj oblasti c) u oblasti zasićenja Zadatak broj 3. Naći Q tačke za diodni krug sa dvije diode sa slike 1. koristeći: a) model idealne diode b) CVD model.
Slika1 REZULTATI: a) Q1 (0 A; -6,7V) Q2 (1,67 mA: 0 V) b) Q1* (0 mA; -6,2V) Q2* (1,62 mA: 0,7 V)
Skinuto sa www.etf.ba
3
Skinuto sa www.etf.ba
1
I POPRAVNI TEST EES Zadatak broj 1. 1.1. Napisati izraz za razliku energije između dva energetska nivoa(b i a) u Bohrovom modelu atoma i čemu je ona jednaka.
ΔWba= Wb–Wb= m Z2e4/ (8h2ε02 )[1/a2-1/b2]=hf
1.2. Napisati približan izraz za specifičnu vodljivost u poluvodiču sa primjesama za n i p tip kristala koji je izložen dejstvu spoljašnjeg električnog polja E,
materijalatippzaqNNpq
materijalatipnzaqNNnq
pDAp
nADn
µµσ
µµσ
)(
)(
−≈≈
−≈≈
1.3. Napisati izraz za difuzioni kapacitet diode (dioda je direktno polarizirana).
TT
DT
T
sD
d
DD V
iV
IidudQ
C ττ ≈+
==)(
1.4. Napisati koliko iznosi vršni inverzni napon [Uinv(max)] diode za poluvalni ispravljač.
(2VP-Von) 1.5. Tabelarno prikazati radne oblasti bipolarnog pnp tranzistora. SPOJ EMITER- BAZA SPOJ KOLEKTOR-
BAZA SPOJ KOLEKTOR-
BAZA DIREKTNA
POLARIZACIJA INVERZNA
POLARIZACIJA DIREKTNA
POLARIZACIJA Oblast zasićenja
(zatvoren prekidač) Oblast direktne aktivne
polarizacije ( dobro pojačanje)
INVERZNA POLARIZACIJA
Oblast invezne aktivne polarizacije
(slabo pojačanje)
Oblast kočenja (otvoren prekidač)
Zadatak broj 2. 2.1. Poznata je koncentracija šupljina u p tipu poluvodiča i ona iznosi p=1016 1/cm3. Koliko iznosi koncentracija manjinskih nosilaca u datom tipu poluvodiča:
a) 1016 1/cm3; b) 106 1/cm3; c) 104 1/cm3.
Skinuto sa www.etf.ba
2
2.2. Dioda ima inverznu struju zasićenja Is= 40 fA. Ako je napon diode uD =0,7 V, struja kroz diodu u direktnoj polarizaciji (iD) iznosi:
a) 140 µ A b) 57,9 mA c) 30,5 mA
2.3. Ako je amplituda sinusnog napona koji se ispravlja Vp=12,7 V, napon vođenja diode Von=0,7 V, period signala koji se ispravlja T=20 ms, otpor potrošača 10KΩ, i kapacitet detektora vršnog napona C= 2 mF, onda je napon ripla Vr poluvalnog ispravljača:
a) 24 mV; b) 6 mV; c) 12 mV.
2.4. Na slici 1. je data:
a) shema poluvalnog ispravljača; b) shema punovalnog ispravljača;
c) shema punovalnog ispravljača u mostnom spoju. 2.5. Na slici 2 je data:
a) izlazna karakteristika bipolarnog tranzistora u spoju sa zajedničkom bazom; b) izlazna karakteristika bipolarnog tranzistora u spoju sa zajedničkim
emiterom; c) prenosna karakteristika bipolarnog tranzistora.
Slika 1. Slika 2. 3) REZULTATI: A) Q1 (0 mA; 0 V)-inverzno; Q2 (3 mA; 0 V)-direktno; Q3 (2 mA; 0 V)-direktno; B) Q1* (0 mA; -0,7 V) ; Q2* (2,8 mA; 0,7 V); Q3* ( 1,86 mA; 0,7 V);
Skinuto sa www.etf.ba