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NJG1152KA1
- 1 - Ver.2018-03-14
バイパス機能付き広帯域 LNA GaAs MMIC
概要 外形 NJG1152KA1 は、地上波放送での使用を主目的としたバイ
パス機能付き広帯域低雑音増幅器(LNA)です。
動作周波数 40~900MHz において、高利得、低 NF を実現し
ました。ESD 保護素子を内蔵しており、高 ESD 耐圧を有しま
す。
パッケージには、鉛フリー、RoHS 指令、ハロゲンフリーに
対応した FLP6-A1 を採用しました。
アプリケーション
地上波放送用途のデジタルTV及びセットトップボックスなど
特徴
動作周波数 40~900MHz
パッケージ FLP6-A1 (Package size: 1.6x1.6x0.55mm typ.)
[ LNA モード, 50: 電源電圧 3.3V ]
動作電流 20mA typ.
利得 18.0dB typ.
雑音指数 1.2dB typ. @f=40~150MHz
0.9dB typ. @f=150~900
[ Bypass モード, 50: 電源電圧 0V ]
挿入損失 1.0dB typ.
2 次相互変調歪み 75dB typ.
3 次相互変調歪み 85dB typ.
端子配列
真理値表 “H”=VCTL(H)“L”=VCTL(L)
注: 本資料に記載された内容は予告なく変更することがありますので、ご了承下さい。
VCTL LNA Bypass 動作状態
H ON OFF LNA モード
L OFF ON Bypass モード
34
5
6
2
1
VCTL
Bias
Circuit
Logic
Circuit
GND
RFIN RFOUT2
RFOUT1
GND
1pin Index
(Top View) 端子配列
1. RFOUT1
2. GND
3. RFOUT2
4. RFIN
5. GND
6. VCTL
NJG1152KA1
NJG1152KA1
- 2 -
絶対最大定格
Ta=+25°C, Zs=Zl=50
項目 記号 条件 定格 単位
電源電圧 VDD 5.0 V
切替電圧 VCTL 5.0 V
入力電力 PIN VDD=3.3V +10 dBm
消費電力 PD 4 層(74.2x74.2mm スルーホール有)
FR4 基板実装時, Tj=150°C 580 mW
動作温度 Topr -40~+85 °C
保存温度 Tstg -55~+150 °C
電気的特性 1 (DC 特性) VDD=3.3V, Ta=+25°C, 回路は指定の外部回路による
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
電源電圧 VDD 2.3 3.3 3.6 V
切替電圧(High) VCTL(H) 1.3 1.8 3.6 V
切替電圧(Low) VCTL(L) 0.0 0.0 0.5 V
動作電流 1 IDD1 RF OFF, VCTL=1.8V - 20 45 mA
動作電流 2 IDD2 RF OFF, VCTL=0V - 17 35 μA
切替電流 ICTL RF OFF, VCTL=1.8V - 6 20 μA
NJG1152KA1
- 3 -
電気的特性 2 (RF 特性: LNA モード, 50)
VDD=3.3V, VCTL=1.8V, freq=40~900MHz, Ta=+25°C, ZS=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
小信号電力利得 1 Gain1 基板, コネクタ損失除く ※1 15.0 18.0 20.0 dB
利得偏差 1 Gflat1 - 1.0 2.0 dB
雑音指数 1_1 NF1_1 freq=40 to 150MHz,
基板, コネクタ損失除く ※2 - 1.2 2.0 dB
雑音指数 1_2 NF1_2 freq=150 to 900MHz, Exclude PCB & connector losses (Note2)
- 0.9 1.4 dB
1dB 利得圧縮時
入力電力 1 P-1dB(IN)1 -10.0 -5.0 - dBm
入力 3 次インター
セプトポイント 1 IIP3_1
f1=freq, f2=freq+100kHz, PIN=-20dBm
+0.0 +7.0 - dBm
2 次相互変調歪み 1 IM2_1 f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, PIN1=PIN2=-15dBm
18.0 28.0 - dB
3 次相互変調歪み 1 IM3_1 f1=600MHz, f2=650MHz, fmeas=700MHz, PIN1=PIN2=-15dBm
35.0 45.0 - dB
アイソレーション 1 ISL1 15.0 19.0 - dB
RF IN VSWR1 VSWRi1 - 2.5 4.0 -
RF OUT VSWR1 VSWRo1 - 1.5 2.4 -
※1 入出力側基板、コネクタ損失: 0.014dB(40MHz), 0.088dB(620MHz), 0.121dB(900MHz)
※2 入力側基板、コネクタ損失: 0.007dB(40MHz), 0.044dB(620MHz), 0.060dB(900MHz)
NJG1152KA1
- 4 -
電気的特性 3 (RF 特性: Bypass モード, 50)
VDD=3.3V, VCTL=0V, freq=40~900MHz, Ta=+25°C, ZS=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
挿入損失 2 LOSS2 基板, コネクタ損失除く ※1 - 1.0 3.0 dB
1dB 利得圧縮時
入力電力 2 P-1dB(IN)2 +8.0 +15.0 - dBm
入力 3 次インター
セプトポイント 2 IIP3_2
f1=freq, f2=freq+100kHz, PIN=-2dBm
+22.0 +30.0 dBm
2 次相互変調歪み 2 IM2_2 f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, PIN1=PIN2=-8dBm
60.0 75.0 - dB
3 次相互変調歪み 2 IM3_2 f1=600MHz, f2=650MHz, fmeas=700MHz, PIN1=PIN2=-8dBm
70.0 85.0 - dB
RF IN VSWR2 VSWRi2 - 1.5 2.5 -
RF OUT VSWR2 VSWRo2 - 1.5 2.5 -
※1 入出力側基板、コネクタ損失: 0.014dB(40MHz), 0.088dB(620MHz), 0.121dB(900MHz)
電気的特性 4 (RF 特性: LNA モード, 75) VDD=3.3V, VCTL=1.8V, freq=40~900MHz, Ta=+25°C, ZS=Zl=75, 回路は指定の外部回路による
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
小信号電力利得 3 Gain3 基板、コネクタ損失除く - 18.0 - dB
RF IN VSWR3 VSWRi3 - 2.0 - -
RF OUT VSWR3 VSWRo3 - 2.0 - -
電気的特性 5 (RF 特性: Bypass モード, 75) VDD=3.3V, VCTL=0V, freq=40~900MHz, Ta=+25°C, ZS=Zl=75, 回路は指定の外部回路による
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
挿入損失 4 LOSS4 基板、コネクタ損失除く - 1.5 - dB
複合 2 次歪み 4 CSO4 132channels, CW, PIN=+15dBmV
- 80 - dBc
複合 3 次歪み 4 CTB4 132channels, CW, PIN=+15dBmV
- 80 - dBc
RF IN VSWR4 VSWRi4 - 2.0 - -
RF OUT VSWR4 VSWRo4 - 2.0 - -
NJG1152KA1
- 5 -
端子情報
番号 端子名 機能説明
1 RFOUT1
LNA モードにおける RF信号出力端子です。
この端子は LNA およびロジック回路の電源電圧供給端子も兼ねています。
外部回路図に示す L1 を介して電源電圧を供給して下さい。
2 GND 接地端子(0V)です。端子近傍で接地電位に接続して下さい。
3 RFOUT2
Bypass モードにおける RF 信号出力端子です。
外部回路図に示す DC ブロッキングキャパシタ C2 を介して RFOUT1 端子
と接続して下さい。
4 RFIN RF 信号入力端子です。
外部回路図に示す DC ブロッキングキャパシタ C1 を接続して下さい。
5 GND 接地端子(0V)です。端子近傍で接地電位に接続して下さい。
6 VCTL
切替電圧供給端子です。
この端子に”High”の電圧を印加した場合には LNA モードに
”Low”の電圧を印加した場合には Bypass モードになります。
NJG1152KA1
- 6 -
特性グラフ (LNA モード, 50)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
-30
-20
-10
0
10
20
-40 -30 -20 -10 0
Po
ut
(dB
m)
Pin (dBm)
P-1dB(IN)=-4.8dBm
Pout
Pout vs. Pin(freq=620MHz)
14
15
16
17
18
19
0
20
40
60
80
100
-40 -30 -20 -10 0
Ga
in (
dB
)
IDD (
mA
)
Pin (dBm)
Gain
IDD
Gain, IDD vs. Pin(freq=620MHz)
P-1dB(IN)=-4.8dBm
-80
-60
-40
-20
0
20
40
-40 -30 -20 -10 0 10
Po
ut,
IM
3 (
dB
m)
Pin (dBm)
Pout
IM3
Pout, IM3 vs. Pin(f1=620MHz, f2=f1+100kHz)
IIP3=+7.9dBm
OIP3=+25.8dBm
-15
-10
-5
0
5
0 200 400 600 800 1000
P-1dB(IN) vs. frequency(freq=40~900MHz)
P-1
dB
(IN
) (d
Bm
)
frequency (MHz)
6
8
10
12
14
16
18
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0 500 1000 1500
Ga
in (
dB
)
NF
(d
B)
frequency (MHz)
NF
Gain
NF, Gain vs. frequency(freq=40~1500MHz)
(Exclude PCB, Connector Losses)
5
10
15
20
25
30
0 200 400 600 800 1000
IIP3, OIP3 vs. frequency(f1=40~900MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-20dBm)
IIP
3,
OIP
3 (
dB
m)
frequency (MHz)
OIP3
IIP3
NJG1152KA1
- 7 -
特性グラフ (LNA モード, 50)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
0
5
10
15
20
25
0 500 1000 1500
RF IN Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz)
RL
i (d
B)
frequency (MHz)
0
5
10
15
20
25
0 500 1000 1500
RF OUT Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz)
RL
o (
dB
)
frequency (MHz)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 500 1000 1500
Reverse Isolation vs. frequency(freq=40~1500MHz)
ISL
(d
B)
frequency (MHz)
NJG1152KA1
- 8 -
特性グラフ (LNA モード, 50)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
S11, S22 S21, S12
VSWRi, VSWRo Zin, Zout
S11, S22 50MHz to 20GHz S21, S12 50MHz to 20GHz
NJG1152KA1
- 9 -
特性グラフ (LNA モード, 50)
共通条件: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
0
1
2
3
4
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
NF vs. VDD
NF
(d
B)
VDD (V)
620MHz
40MHz
10
15
20
25
30
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Gain vs. VDD(freq=620MHz)
Ga
in (
dB
)
VDD (V)
-5
0
5
10
15
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
IIP3 vs. VDD(f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-20dBm)
IIP
3 (
dB
m)
VDD (V)
-10
-8
-6
-4
-2
0
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
P-1dB(IN) vs. VDD(freq=620MHz)
P-1
dB
(IN
) (d
Bm
)
VDD (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
IM2 vs. VDD(f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-15dBm)
IM2
(d
B)
VDD (V)
0
20
40
60
80
100
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
IM3 vs. VDD(f1=600MHz, f2=650MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-15dBm)
IM3
(d
B)
VDD (V)
NJG1152KA1
- 10 -
特性グラフ (LNA モード, 50)
共通条件: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
0
10
20
30
40
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
IDD vs. VDD(RF OFF)
IDD (
mA
)
VDD (V)
0
5
10
15
20
25
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
RF IN Return Loss vs. VDD(freq=620MHz)
RL
i (d
B)
VDD (V)
0
5
10
15
20
25
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
RF OUT Return Loss vs. VDD(freq=620MHz)
RL
o (
dB
)
VDD (V)
10
15
20
25
30
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Reverse Isolation vs. VDD(freq=620MHz)
Re
ve
rse
Is
ola
tio
n (
dB
)
VDD (V)
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20
K factor vs. frequency(freq=50MHz~20GHz)
VDD 2.0V
VDD 3.3V
VDD 4.0V
K f
ac
tor
frequency (GHz)
NJG1152KA1
- 11 -
特性グラフ (LNA モード, 50)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
-8
-6
-4
-2
0
-40 -20 0 20 40 60 80 100
P-1dB(IN) vs. Temperature(freq=620MHz)
P-1
dB
(IN
) (d
Bm
)
Temperature (oC)
4
6
8
10
12
-40 -20 0 20 40 60 80 100
IIP3 vs. Temperature(f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-20dBm)
IIP
3 (
dB
m)
Temperature (oC)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-40 -20 0 20 40 60 80 100
IM2 vs. Temperature(f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-15dBm)
IM2
(d
B)
Temperature (oC)
0
20
40
60
80
100
-40 -20 0 20 40 60 80 100
IM3 vs. Temperature(f1=600MHz, f2=650MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-15dBm)
IM3
(d
B)
Temperature (oC)
0
1
2
3
4
-40 -20 0 20 40 60 80 100
NF vs. Temperature
NF
(d
B)
Temperature (oC)
620MHz
40MHz
10
15
20
25
30
-40 -20 0 20 40 60 80 100
Gain vs. Temperature(freq=620MHz)
Ga
in (
dB
)
Temperature (oC)
NJG1152KA1
- 12 -
特性グラフ (LNA モード, 50)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
0
5
10
15
20
25
-40 -20 0 20 40 60 80 100
RF IN Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz)
RL
i (d
B)
Temperature (oC)
0
5
10
15
20
25
-40 -20 0 20 40 60 80 100
RF OUT Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz)
RL
o (
dB
)
Temperature (oC)
10
15
20
25
30
-40 -20 0 20 40 60 80 100
Reverse Isolation vs. Temperature(freq=620MHz)
Re
ve
rse
Is
ola
tio
n (
dB
)
Temperature (oC)
0
10
20
30
40
-40 -20 0 20 40 60 80 100
IDD vs. Temperature(RF OFF)
IDD (
mA
)
Temperature (oC)
0
5
10
15
20
25
30
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
IDD vs. Temperature(RF OFF)
Ta -40oC
Ta +25oC
Ta +85oC
IDD (
mA
)
VCTL (V)
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20
K factor vs. frequency(freq=50MHz~20GHz)
Ta -40oC
Ta +25oC
Ta +85oC
K f
ac
tor
frequency (GHz)
NJG1152KA1
- 13 -
特性グラフ (Bypass モード, 50)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
0
1
2
3
4
5
6
7
0 500 1000 1500
Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz)
Lo
ss
(d
B)
frequency (MHz)
(Exclude PCB, Connector Losses)
0
1
2
3
4
5 0
10
20
30
40
50
-20 -10 0 10 20
Lo
ss
(d
B)
IDD (
mA
)
Pin (dBm)
Loss
IDD
Loss, IDD vs. Pin(freq=620MHz)
P-1dB(IN)=+14.4dBm
-30
-20
-10
0
10
20
-20 -10 0 10 20
Po
ut
(dB
m)
Pin (dBm)
P-1dB(IN)=+14.4dBm
Pout
Pout vs. Pin(freq=620MHz)
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
-30 -20 -10 0 10 20 30 40
Po
ut,
IM
3 (
dB
m)
Pin (dBm)
Pout
IM3
Pout, IM3 vs. Pin(f1=620MHz, f2=f1+100kHz)
IIP3=+34.4dBm
OIP3=+33.6dBm
5
10
15
20
25
0 200 400 600 800 1000
P-1dB(IN) vs. frequency(freq=40~900MHz)
P-1
dB
(IN
) (d
Bm
)
frequency (MHz)
20
25
30
35
40
45
0 200 400 600 800 1000
IIP3, OIP3 vs. frequency(f1=40~900MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-2dBm)
IIP
3,
OIP
3 (
dB
m)
frequency (MHz)
OIP3
IIP3
NJG1152KA1
- 14 -
特性グラフ (Bypass モード, 50)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
0
5
10
15
20
25
0 500 1000 1500
RF IN Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz)
RL
i (d
B)
frequency (MHz)
0
5
10
15
20
25
0 500 1000 1500
RF OUT Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz)
RL
o (
dB
)
frequency (MHz)
NJG1152KA1
- 15 -
特性グラフ (Bypass モード, 50)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=0V, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
S11, S22 S21, S12
VSWRi, VSWRo Zin, Zout
S11, S22 50MHz to 20GHz S21, S12 50MHz to 20GHz
NJG1152KA1
- 16 -
特性グラフ (Bypass モード, 50)
共通条件: VCTL=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
0
1
2
3
4
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Loss vs. VDD(freq=620MHz)
Lo
ss
(d
B)
VDD (V)
0
5
10
15
20
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
P-1dB(IN) vs. VDD(freq=620MHz)
P-1
dB
(IN
) (d
Bm
)
VDD (V)
20
25
30
35
40
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
IIP3 vs. VDD(f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-2dBm)
IIP
3 (
dB
m)
VDD (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
IM2 vs. VDD(f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-8dBm)
IM2
(d
B)
VDD (V)
0
20
40
60
80
100
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
IM3 vs. VDD(f1=600MHz, f2=650MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-8dBm)
IM3
(d
B)
VDD (V)
NJG1152KA1
- 17 -
特性グラフ (Bypass モード, 50)
共通条件: VCTL=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
0
5
10
15
20
25
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
RF IN Return Loss vs. VDD(freq=620MHz)
RL
i (d
B)
VDD (V)
0
5
10
15
20
25
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
RF OUT Return Loss vs. VDD(freq=620MHz)
RL
o (
dB
)
VDD (V)
0
10
20
30
40
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
IDD vs. VDD(RF OFF)
IDD (
uA
)
VDD (V)
NJG1152KA1
- 18 -
特性グラフ (Bypass モード, 50)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=0V, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
0
5
10
15
20
-40 -20 0 20 40 60 80 100
P-1dB(IN) vs. Temperature(freq=620MHz)
P-1
dB
(IN
) (d
Bm
)
Temperature (oC)
20
25
30
35
40
-40 -20 0 20 40 60 80 100
IIP3 vs. Temperature(f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-2dBm)
IIP
3 (
dB
m)
Temperature (oC)
0
1
2
3
4
-40 -20 0 20 40 60 80 100
Loss vs. Temperature(freq=620MHz)
Lo
ss
(d
B)
Temperature (oC)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-40 -20 0 20 40 60 80 100
IM2 vs. Temperature(f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-8dBm)
IM2
(d
B)
Temperature (oC)
0
20
40
60
80
100
-40 -20 0 20 40 60 80 100
IM3 vs. Temperature(f1=600MHz, f2=650MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-8dBm)
IM3
(d
B)
Temperature (oC)
NJG1152KA1
- 19 -
特性グラフ (Bypass モード, 50)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=0V, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による
0
5
10
15
20
25
-40 -20 0 20 40 60 80 100
RF IN Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz)
RL
i (d
B)
Temperature (oC)
0
5
10
15
20
25
-40 -20 0 20 40 60 80 100
RF OUT Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz)
RL
o (
dB
)
Temperature (oC)
0
10
20
30
40
-40 -20 0 20 40 60 80 100
IDD vs. Temperature(RF OFF)
IDD (
uA
)
Temperature (oC)
NJG1152KA1
- 20 -
特性グラフ (LNA モード, 75)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=75, 回路は指定の外部回路による
6
8
10
12
14
16
18
20
0 500 1000 1500
Gain vs. frequency(freq=40~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)
Ga
in (
dB
)
frequency (MHz)
(Exclude PCB, Connector Losses)
0
5
10
15
20
25
0 500 1000 1500
RF IN Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)
RL
i (d
B)
frequency (MHz)
0
5
10
15
20
25
0 500 1000 1500
RF OUT Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)
RL
o (
dB
)
frequency (MHz)
NJG1152KA1
- 21 -
特性グラフ (LNA モード, 75)
共通条件: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=75, 回路は指定の外部回路による
10
15
20
25
30
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Gain vs. VDD(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)
Ga
in (
dB
)
VDD (V)
0
5
10
15
20
25
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
RF IN Return Loss vs. VDD(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)
RL
i (d
B)
VDD (V)
0
5
10
15
20
25
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
RF OUT Return Loss vs. VDD(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)
RL
o (
dB
)
VDD (V)
NJG1152KA1
- 22 -
特性グラフ (LNA モード, 75)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=75, 回路は指定の外部回路による
10
15
20
25
30
-40 -20 0 20 40 60 80 100
Gain vs. Temperature(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)
Ga
in (
dB
)
Temperature (oC)
0
5
10
15
20
25
-40 -20 0 20 40 60 80 100
RF IN Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)
RL
i (d
B)
Temperature (oC)
0
5
10
15
20
25
-40 -20 0 20 40 60 80 100
RF OUT Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)
RL
o (
dB
)
Temperature (oC)
NJG1152KA1
- 23 -
特性グラフ (Bypass モード, 75)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=75, 回路は指定の外部回路による
0
1
2
3
4
5
6
7
0 500 1000 1500
Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)
Lo
ss
(d
B)
frequency (MHz)
(Exclude PCB, Connector Losses)
0
5
10
15
20
25
0 500 1000 1500
RF IN Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)
RL
i (d
B)
frequency (MHz)
0
5
10
15
20
25
0 500 1000 1500
RF OUT Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)
RL
o (
dB
)
frequency (MHz)
NJG1152KA1
- 24 -
特性グラフ (Bypass モード, 75)
共通条件: VCTL=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=75, 回路は指定の外部回路による
0
1
2
3
4
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Loss vs. VDD(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)
Lo
ss
(d
B)
VDD (V)
0
5
10
15
20
25
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
RF IN Return Loss vs. VDD(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)
RL
i (d
B)
VDD (V)
0
5
10
15
20
25
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
RF OUT Return Loss vs. VDD(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)
RL
o (
dB
)
VDD (V)
NJG1152KA1
- 25 -
特性グラフ (Bypass モード, 75)
共通条件: VDD=3.3V, VCTL=0V, Zs=Zl=75, 回路は指定の外部回路による
0
1
2
3
4
-40 -20 0 20 40 60 80 100
Loss vs. Temperature(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)
Lo
ss
(d
B)
Temperature (oC)
0
5
10
15
20
25
-40 -20 0 20 40 60 80 100
RF IN Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)
RL
i (d
B)
Temperature (oC)
0
5
10
15
20
25
-40 -20 0 20 40 60 80 100
RF OUT Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)
RL
o (
dB
)
Temperature (oC)
NJG1152KA1
- 26 -
Parts List
Parts ID Manufacture
L1 TAIYO-YUDEN HK1608 Series
L2 TAIYO-YUDEN HK1005 Series
C1~C4 MURATA GRM15 Series
R1, R2 KOA RK73 Series
34
5
6
2
1
VCTL
Bias
Circuit
Logic
Circuit
GND
RFIN RFOUT2
RFOUT1
GND
1pin Index
RF IN
RF OUT
VDD
C1
0.01u
C2
0.01u
C3
0.01u
L1
470n
C4
0.01u
VCTL
L2
18n
R2
680
R1
180k
(Top view)
外部回路図
基板実装図
デバイス使用上の注意
- C1~C3 は DC ブロッキングキャパシタ、C4 はバイパスキャパシタです。
- L1 はチョークインダクタです。
- R1 は動作電流調整用の抵抗です。
- R2 は発振対策用の抵抗です。
- L2 はインピーダンス調整用のインダクタです。
- チップ部品は IC 近傍に実装して下さい。
- RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐ為に IC の下にグランドパターンを配置して下さい。
基板材質: FR-4, t=0.2mm
マイクロストリップライン幅: 0.4mm
基板サイズ: 16.8mm x 16.8mm
C1
C3 RFIN RFOUT C2
C4
R2
L1
VDD VCTL
R1
L2
(Top View)
1pin Index
NJG1152KA1
- 27 -
NF 測定ブロックダイアグラム
使用測定器
NF アナライザ : Agilent 8973A
ノイズソース : Agilent 346A
NF アナライザ設定
Measurement mode form
Device under test : Amplifier
System downconverter : off
Mode setup form
Sideband : LSB
Averages : 4
Average mode : Point
Bandwidth : 4MHz
Loss comp : off
Tcold : ノイズソース本体の温度を入力 (303K)
キャリブレーション時
Noise Source (Agilent 346A)
NF Analyzer (Agilent 8973A)
Input (50) Noise Source Drive Output
※ノイズソースと NF
アナライザは直接接続
NF 測定時
Noise Source (Agilent 346A)
DUT
NF Analyzer (Agilent 8973A)
Input (50) Noise Source Drive Output
IN OUT
※ノイズソースと DUT、
DUT と NF アナライザ
は直接接続
NJG1152KA1
- 28 -
パッケージ外形図 (FLP6-A1)
1.6 0.05
1.6
0
.05
1.2
0
.05
0.5 0.5
0.55 0.05
0.1
0.1
0.22 0.05
0.13 0.05
0.2
0
.10
.2 0
.1
単位 : mm 端子材質 : Copper 端子処理 : SnBi メッキ モールド樹脂 : エポキシ樹脂 重量 : 3.1mg
<注意事項>
このデータブックの掲載内容の正確さには
万全を期しておりますが、掲載内容について
何らかの法的な保証を行うものではありませ
ん。とくに応用回路については、製品の代表
的な応用例を説明するためのものです。また、
工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴
うものではなく、第三者の権利を侵害しない
ことを保証するものでもありません。
ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項
この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止
のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄す
る場合は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。
この製品は静電放電 ・ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。