ICIC 製程介紹製程介紹

IC 製程講義目錄

一 :IC 製程概述二 : 晶圓的制造三 : 前工序的主要工藝四 : 后工序 . 組裝 . 封裝和測試五 :IC 製程技術發展趨勢六 :IC 製程几個小知識 a.CMOS.BI-POLAR.BI-CMOS 工藝 b.IC 失效的分析

IC 制造過程概述IC 制造工藝概述1. 先將硅單晶切成大片2. 研磨﹑拋光3. 氧化﹑光刻﹑擴散﹑外延﹑蒸發﹑在單晶片上按照一定 的圖形和結构制造出電路﹒4. 初測﹑畫片 .5. 燒結 ( 固定到管位 )﹑壓焊 ( 焊上引線 )6. 封管﹑老化﹑總測﹑分檔﹑噴漆﹑打印 1 2 3 4﹑ ﹑ ﹑ 合 稱為前工序 .4 5﹑ 合稱為后工序 .

前工序主要工藝

前工序主要工藝主要包括以下六個工藝

1. 外延2. 本征氧化3. 光刻4. 淀積5. 摻雜 ( 改性 )6. 腐蝕

以上工藝主要為制造出集成電路中所需的各個晶体管﹑二級体﹑電阻﹑電容等元件 .

后工序

1. 組裝和封裝 主要任務　　一﹕圓片切割与中測分類　　二﹕芯片互連2﹒測試 ( 測試划分為﹕測試應用﹑工藝過程檢測 . 一﹕應用測試基本有四种﹕ (1)﹕ 中測 (2)﹕成品測試 (3)﹕質量測試 (4)﹕可靠性測試 二 : 工藝過程檢測 (1) 材料檢測 (2) 工藝檢測

IC基本制造工藝

IC 的基本制造工藝主要包括以下三重：

　　　　 1.CMOS 集成工藝

　　　　 2.BIPOLAR 工藝

　　　　 3.BI-CMOS 工藝

基區擴散電阻結構示意圖

利用集成晶體管的基區擴散層做成 ,N 型外延層接電路的最高電位 , 或接至電阻器中兩端中電位較高的一端 ,澈底接電路的最負端 , 這樣 ,R-R 之間就形成了一個獨立的電阻器 .

利用長基區擴散電阻進行交叉走線( 上圖 ) 頂視圖 ( 下圖 ) 橫截面圖利用基區擴散電阻﹑隱埋層電阻上的氧化層走線

發射區擴散層－隔离擴散層－隱埋層 PN 結電容結构

等效圖 ( 實際上是兩個電容并聯 )

Failure analysis flow

Verify reject@High temperature

Receive test fail

Bake reject150’c,24hrs

Determin fail mode(bitmap)

Made engineeringdecision

Is deviceFailure parmetric?

Is device failureFunction?

Deprocesses andOm/sem/eds

Verify reject@Low temperature

Curve trace(by HP4145)

determine temp/voltsensitivity

1.probing 2.hot spot(emmi/liquid crystal

Decap andOm/sem

Sat/x-rayPackage problem?

Fae checkApplicationenvironment

Verify reject@Room temperature

Failure historyCheck (FT/QCtest

failed item

fail

pass

fail

fail

Electrical problem

no

yes

no

yes