IC gyártásÚj technológiák

2

Strained Silicon (laza szilícium)

3

Strained Silicon (laza szilícium)

4

Strained Silicon (laza szilícium)

5

Strained Silicon (SiGe)

6

Strained Silicon (laza szilícium)

7

Strained Silicon (laza szilícium)

• E lazább szerkezetű, módosított szilíciumon a kisebb ellenállásnak köszönhetően 70%-kal gyorsabban áramolnak keresztül az elektronok !!!

• IBM szilícium-germánium tranzisztor: (210 GHz)

• (chip órajel cca. 100 GHz lehet)

• Pl. 12.5 Gbit Ethernet

8

Strained Silicon (laza szilícium)

9

SOI ( Silicon On Insulator )

10

SOI ( Silicon On Insulator )

11

SOI ( Silicon On Insulator )

12

GaAs

13

GaAs

14

GaAs

15

IntelSpacer Gate technológia

16

Intel (45nm technológia: 2007 második félév)

Gateoxid: 1.2nm (cca.5 atom vastag)

17

Intel (45nm technológia: 2007 második félév)

Tri-gate

18

Intel (45nm technológia: 2007 második félév)

Tri-gate SRAM: cella kiolvasási árama 50%-kal nagyobb, mint a hagyományos planár tanzisztoroké

19

Intel Penryn

„Az Intel a Penryn lapkákat 45nm-es technológiával gyártja, amely hafnium alapú dielektrikumot és fém kaput használ. Ezek a megoldások csökkentik a szivárgó áram mértékét és így a jelenleginél sokkal energiahatékonyabb lapkák előállítását teszi lehetővé. Csökken az energia-felvételük és mégis nő a sebességük. Az új anyagok használata megkönnyíti a gyártást, javítja a kihozatalt és beépíthetők a következő, kisebb méretű eszközökbe.

 Az Intel 45nm-es gyártási eljárás az első, amely nagy tömegben gyártott CPU-khoz használja ezeket az újításokat. …A 45nm-es Penryn lapkák szállítása az év második felében kezdődik.”(Prim Online 2007.02.26)