Upload
clara
View
37
Download
0
Embed Size (px)
DESCRIPTION
Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD). Mizsei János 2013. PVD és CVD. Physical Vapor Deposition : Vákuum gőzölés Katód porlasztás Chemical Vapor Deposition : Két féle gőz a szelet felületén lép reakcióba Vákuumtechnológia során a rendszer felnyitása nélküli rétegleválasztás. - PowerPoint PPT Presentation
Citation preview
Kémiai leválasztás gőzfázisból(CVD)
Mizsei János
2013
PVD és CVD
• Physical Vapor Deposition:– Vákuum gőzölés– Katód porlasztás
• Chemical Vapor Deposition:– Két féle gőz a szelet felületén lép reakcióba– Vákuumtechnológia során a rendszer felnyitása
nélküli rétegleválasztás
EPI-CVD reaktorok
EPI-CVD reaktorok
Rétegleválasztás (CVD)
V. ö.: oxidáció
V. ö.: oxidáció
Rétegleválasztás (CVD)
Rétegleválasztás (CVD)
Si epitaxia, kémiai reakciók
• Szilános (SiH4) és tetrakloridos (SiCl4) rendszerek.
• Si tetrakloridos: 800-1200 C°
SiCl4+H2 -------------- SiCl2+HCl
Gáztérben: Si felületén adszorbálódik a SiCl2
2 SiCl2Si+SiCl4 SiCl4deszorbálódik
Si epitaxia, kémiai reakciók
• A teljes reakció:
SiCl4+H2 Si+4 HCl
• A kémiai reakciók megfordíthatók Si- tetraklorid koncentrációtól függően rétegnövekedés vagy marás is lehet.
Si epitaxia, kémiai reakciók
Rétegnövekedés sebessége SiCl4 epitaxiával.
Si epitaxia, kémiai reakciók
• Szilános rendszerek:
1000 C°
SiH4 --------- Si+ 2H2
A rétegnövekedés sebességét a hidrogén deszorpciója határozza meg.
A rétegnövekedés nem fordítható meg marás nem történik.
Rétegleválasztás (CVD) összefoglalás