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LT1228
11228fd
標準的応用例
特長 概要
DC利得制御が可能な 100MHz電流帰還アンプ
LT®1228はDCからビデオ帯域の信号まで容易に利得を制御でき、利得が外部から制御される電流に比例するトランスコンダクタンス・アンプ(電圧を電流に変換)で利得制御を実行します。通常は出力電流を電圧に変換するために抵抗が使用され、その電圧は次に電流帰還アンプで増幅されます。LT1228
はトランスコンダクタンス・アンプおよび電流帰還アンプ両方を8ピンパッケージへ封入し、4V(±2V)から30V(±15V)までのどんな電源電圧でも動作します。LT1228はわずかな外付け抵抗で完全な差動入力で利得制御が可能なアンプを構成することができます。
LT1228のトランスコンダクタンス・アンプは高いインピーダンスの差動入力と広範な出力電圧に応じた電流源出力を備えています。トランスコンダクタンス(gm)はピン5(ISET)に流れ込む電流により設定されます。小信号gmはISETの値の10倍に等しくなり、この関係は設定電流が数十倍は変化しても保たれます。ピン5の電圧は負電源(ピン4)より2個のダイオードの電圧降下分高くなります。
LT1228の電流帰還アンプは非常に高い入力インピーダンスを持っているので、トランスコンダクタンス・アンプの出力の優れたバッファとなっています。電流帰還アンプは広範な電圧利得で広い帯域幅を保持できるので、トランスコンダクタンス・アンプ出力と他の回路との容易なインタフェースが可能です。内部電流帰還アンプはケーブルのような低いインピーダンスの負荷を高い周波数においても優れたリニアリティでドライブできるように設計されています。
アプリケーション
n 超高速トランスコンダクタンス・アンプ 75MHz帯域幅 トランスコンダクタンス(gm)= 10×ISET
低THD:0.2%@30mVRMS入力 広い ISET範囲:1µA~1mAn 超高速電流帰還アンプ 100MHz帯域幅 1000V/µsスルーレート 30mA出力ドライブ電流 0.04%の微分利得 0.1°微分位相 高入力インピーダンス:25MΩ、6pFn 広い電源電圧範囲:±2V~±15Vn 同相入力電圧:V+–1.5V~V–+1.5Vn 出力振幅電圧:V+–0.8V~V–+0.8Vn 電源電流:7mAn 8ピンPDIPおよびSOパッケージ
n ビデオクランプ回路n ビデオ差動入力アンプn ビデオスイッチャー /フェーダアンプn AGCアンプn チューナブル・フィルタn 発振器L、LT、LTC、LTM、Linear TechnologyおよびLinearのロゴはリニアテクノロジー社の登録商標です。その他すべての商標の所有権は、それぞれの所有者に帰属します。
LT1228 • TA01
–
+–
+
+
+
R3A10k
R2A10k
R3100Ω
R2100Ω
4.7µFR41.24k
R66.19k
R510k
ISET
R1270Ω
RG10Ω
RF470Ω
4.7µF15V
gm
CFA VOUT
1
8
6
3
2
7
54
–15V
+
–VIN
HIGH INPUT RESISTANCEEVEN WHEN POWER IS OFF–18dB < GAIN < 2dBVIN ≤ 3VRMS
FREQUENCY (Hz)
100k–24
GAIN
(dB)
–15
–3
3
6
1M 10M 100M
LT1228 • TA02
0
–6
–9
–12
–18
–21ISET = 100µA
VS = ±15VRL = 100Ω
ISET = 1mA
ISET = 300µA
差動入力可変利得アンプ周波数応答
LT1228
21228fd
ピン配置絶対最大定格(Note 1)
発注情報
無鉛仕上げ テープアンドリール 製品マーキング パッケージ 温度範囲LT1228CN8#PBF LT1228CN8#TRPBF LT1228CN8 8-Lead Plastic DIP 0°C to 70°CLT1228IN8#PBF LT1228IN8#TRPBF LT1228IN8 8-Lead Plastic DIP –40°C to 85°CLT1228CS8#PBF LT1228CS8#TRPBF 1228 8-Lead Plastic SO 0°C to 70°CLT1228IS8#PBF LT1228IS8#TRPBF 1228I 8-Lead Plastic SO –40°C to 85°C
廃止パッケージLT1228MJ8 LT1228MJ8#TRPBF LT1228MJ8 8-Lead CERDIP –55°C to 125°CLT1228CJ8 LT1228CJ8#TRPBF LT1228CJ8 8-Lead CERDIP 0°C to 70°Cさらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。 非標準の鉛仕上げの製品の詳細については、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。無鉛仕上げの製品マーキングの詳細については、Webサイトhttp://www.linear-tech.co.jp/leadfree/ をご覧ください。 テープアンドリールの仕様の詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/tapeandreel/をご覧ください。
電気的特性 l は全動作温度範囲での規格値を意味する。それ以外はTA =25°Cでの値。電流帰還アンプ(ピン1、6、8)。 注記がない限り、±5V ≤ VS ≤ ±15V、ISET = 0µA、VCM = 0V。
8
7
6
54
3
2
1IOUT
–IN
+IN
V– ISET
VOUT
V+
GAIN
TOP VIEW
N8 PACKAGE8-LEAD PDIP
S8 PACKAGE8-LEAD PLASTIC SO
+ –gm
TJMAX = 150°C, θJA = 100°C/W (N)TJMAX = 150°C, θJA = 150°C/W (N)
J8 PACKAGE8-LEAD CERDIP
TJMAX = 175°C, θJA = 100°C/W (J)
廃止パッケージ
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
VOS Input Offset Voltage TA = 25°C
l
±3 ±10 ±15
mV mV
Input Offset Voltage Drift l 10 µV/°CIIN+ Noninverting Input Current TA = 25°C
l
±0.3 ±3 ±10
µA µA
IIN– Inverting Input Current TA = 25°C
l
±10 ±65 ±100
µA µA
en Input Noise Voltage Density f = 1kHz, RF = 1k, RG = 10Ω, RS = 0Ω 6 nV/√Hzin Input Noise Current Density f = 1kHz, RF = 1k, RG = 10Ω, RS = 10k 1.4 pV/√Hz
電源電圧........................................................................... ±18V入力電流(ピン1、2、3、5、8)(Note 8) .......................... ±15mA出力短絡時間(Note 2) ...................................................... 連続動作温度範囲 LT1228C............................................................... 0°C~70°C LT1228I ............................................................ –40°C~85°C LT1228M(廃品) ............................................ –55°C~125°C保存温度範囲.................................................... –65°C~150°C接合部温度 プラスチック・パッケージ ............................................150°C セラミック・パッケージ(廃品) ....................................175°Cリード温度(半田付け、10秒) ..........................................300°C
LT1228
31228fd
電気的特性 l は全動作温度範囲での規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。電流帰還アンプ(ピン1、6、8)。 注記がない限り、±5V ≤ VS ≤ ±15V、ISET = 0µA、VCM = 0V。
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
RIN Input Resistance VIN = ±13V, VS = ±15V VIN = ±3V, VS = ±5V
l
l
2 2
25 25
MΩ MΩ
CIN Input Capacitance (Note 3) VS = ±5V 6 pF
入力電圧範囲 VS = ±15V、TA = 25°C
l
±13 ±12
±13.5 V V
VS = ±5V, TA = 25°C
l
±3 ±2
±3.5 V V
CMRR Common Mode Rejection Ratio VS = ±15V, VCM = ±13V, TA = 25°C VS = ±15V, VCM = ±12V VS = ±5V, VCM = ±3V, TA = 25°C VS = ±5V, VCM = ±2V
l
l
55 55 55 55
69
69
dB dB dB dB
Inverting Input Current Common Mode Rejection
VS = ±15V, VCM = ±13V, TA = 25°C VS = ±15V, VCM = ±12V VS = ±5V, VCM = ±3V, TA = 25°C VS = ±5V, VCM = ±2V
l
l
2.5
2.5
10 10 10 10
µA/V µA/V µA/V µA/V
PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = ±2V to ±15V, TA = 25°C VS = ±3V to ±15V
l
60 60
80 dB dB
Noninverting Input Current Power Supply Rejection
VS = ±2V to ±15V, TA = 25°C VS = ±3V to ±15V
l
10 50 50
nA/V nA/V
Inverting Input Current Power Supply Rejection
VS = ±2V to ±15V, TA = 25°C VS = ±3V to ±15V
l
0.1 5 5
µA/V µA/V
AV Large-Signal Voltage Gain VS = ±15V, VOUT = ±10V, RLOAD = 1k VS = ±5V, VOUT = ±2V, RLOAD = 150Ω
l
l
55 55
65 65
dB dB
ROL Transresistance, ∆VOUT/∆IIN– VS = ±15V, VOUT = ±10V, RLOAD = 1k VS = ±5V, VOUT = ±2V, RLOAD = 150Ω
l
l
100 100
200 200
kΩ kΩ
VOUT Maximum Output Voltage Swing VS = ±15V, RLOAD = 400Ω, TA = 25°C
l
±12 ±10
±13.5 V V
VS = ±5V, RLOAD = 150Ω, TA = 25°C
l
±3 ±2.5
±3.7 V V
IOUT Maximum Output Current RLOAD = 0Ω, TA = 25°C
l
30 25
65 125 125
mA mA
IS Supply Current VOUT = 0V, ISET = 0V l 6 11 mA
SR Slew Rate (Notes 4 and 6) TA = 25°C 300 500 V/µs
SR Slew Rate VS = ±15V, RF = 750Ω, RG = 750Ω, RL = 400Ω 3500 V/µs
tr Rise Time (Notes 5 and 6) TA = 25°C 10 20 ns
BW Small-Signal Bandwidth VS = ±15V, RF = 750Ω, RG = 750Ω, RL = 100Ω 100 MHz
tr Small-Signal Rise Time VS = ±15V, RF = 750Ω, RG = 750Ω, RL = 100Ω 3.5 ns
Propagation Delay VS = ±15V, RF = 750Ω, RG = 750Ω, RL = 100Ω 3.5 ns
Small-Signal Overshoot VS = ±15V, RF = 750Ω, RG = 750Ω, RL = 100Ω 15 %
tS Settling Time 0.1%, VOUT = 10V, RF =1k, RG = 1k, RL =1k 45 ns
Differential Gain (Note 7) VS = ±15V, RF = 750Ω, RG = 750Ω, RL = 1k 0.01 %
Differential Phase (Note 7) VS = ±15V, RF = 750Ω, RG = 750Ω, RL = 1k 0.01 DEG
Differential Gain (Note 7) VS = ±15V, RF = 750Ω, RG = 750Ω, RL = 150Ω 0.04 %
Differential Phase (Note 7) VS = ±15V, RF = 750Ω, RG = 750Ω, RL = 150Ω 0.1 DEG
LT1228
41228fd
電気的特性 l は全動作温度範囲での規格値を意味する。それ以外はTA =25°Cでの値。 トランスコンダクタンス・アンプ(ピン 1、2、3、5)。注記がない限り、±5V ≤ VS ≤ ±15V、ISET = 100µA、VCM = 0V。
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
VOS Input Offset Voltage ISET = 1mA, TA = 25°C
l
±0.5 ±5 ±10
mV mV
Input Offset Voltage Drift l 10 µV/°CIOS Input Offset Current TA = 25°C
l
40 200 500
nA nA
IB Input Bias Current TA = 25°C
l
0.4 1 5
µA µA
en Input Noise Voltage Density f = 1kHz 20 nV/√HzRIN Input Resistance-Differential Mode VIN ≈ ±30mV l 30 200 kΩ
Input Resistance-Common Mode VS = ±15V, VCM = ±12V VS = ±5V, VCM = ±2V
l
l
50 50
1000 1000
MΩ MΩ
CIN Input Capacitance 3 pF
Input Voltage Range VS = ±15V, TA = 25°C VS = ±15V
l
±13 ±12
±14 V V
VS = ±5V, TA = 25°C VS = ±5V
l
±3 ±2
±4 V V
CMRR Common Mode Rejection Ratio VS = ±15V, VCM = ±13V, TA = 25°C VS = ±15V, VCM = ±12V
l
60 60
100 dB dB
VS = ±5V, VCM = ±3V, TA = 25°C VS = ±5V, VCM = ±2V
l
60 60
100 dB dB
PSRR Power Supply Rejection Ratio VS = ±2V to ±15V, TA = 25°C VS = ±3V to ±15V
l
60 60
100 dB dB
gm Transconductance ISET = 100µA, IOUT = ±30µA, TA = 25°C 0.75 1.00 1.25 µA/mV
Transconductance Drift l –0.33 %/°CIOUT Maximum Output Current ISET = 100µA l 70 100 130 µA
IOL Output Leakage Current ISET = 0µA (+IIN of CFA), TA = 25°C
l
0.3 3 10
µA µA
VOUT Maximum Output Voltage Swing VS = ±15V , R1 = ∞ VS = ±5V , R1 = ∞
l
l
±13 ±3
±14 ±4
V V
RO Output Resistance VS = ±15V, VOUT = ±13V VS = ±5V, VOUT = ±3V
l
l
2 2
8 8
MΩ MΩ
Output Capacitance (Note 3) VS = ±5V 6 pF
IS Supply Current, Both Amps ISET = 1mA l 9 15 mA
THD Total Harmonic Distortion VIN = 30mVRMS at 1kHz, R1 = 100k 0.2 %
BW Small-Signal Bandwidth R1 = 50Ω, ISET = 500µA 80 MHz
tr Small-Signal Rise Time R1 = 50Ω, ISET = 500µA, 10% to 90% 5 ns
Propagation Delay R1 = 50Ω, ISET = 500µA, 50% to 50% 5 ns
Note 1: 絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可能性がある。また、長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と寿命に悪影響を与える恐れがある。Note 2: 電源電圧によってはヒートシンクが必要なことがある。Note 3: これはピン1の総容量で、電流帰還アンプの入力容量とトランスコンダクタンス・アンプの出力容量を含む。Note 4: スルーレートは、RF = 1k、RG = 110Ω、およびRL = 400Ωを使って、±15Vの電源でデバイスを動作させ、±10Vの出力信号の±5Vで測定する。入力がオーバドライブされるとスルーレートはかなり大きくなる(「アプリケーション情報」のセクションを参照)。
Note 5: 立ち上がり時間は、RF = 1k、RG = 110Ω、およびRL = 100Ωを使って、±15Vの電源でデバイスを動作させ、±500mVの出力信号の10%から90%を測定する。この条件が最速とは限らないが、内部容量が適正であることを保証し、自動テストを可能にする。Note 6: ACパラメータは、セラミックおよびプラスチックDIPパッケージのデバイス(末尾がJおよびN)で全数テストされ、SOパッケージのデバイス(末尾がS)のすべてのロットで抜き取りテストされる。Note 7: 出力レベルが2VのNTSCコンポジット・ビデオ信号。Note 8: ESD保護のため、ピン2とピン3の間に6Vの双方向ツェナー・ダイオードが接続されている。
LT1228
51228fd
標準的性能特性
全高調波歪みと入力電圧 出力スポット・ノイズ電流と周波数 入力同相制限と温度
小信号制御経路の帯域幅と 設定電流
小信号制御経路の利得と 入力電圧 出力飽和電圧と温度
小信号帯域幅と設定電流小信号トランスコンダクタンス および設定電流とバイアス電圧
小信号トランスコンダクタンスとDC入力電圧
トランスコンダクタンス・アンプ(ピン1、2、3、5)
SET CURRENT (µA)
100.1
–3dB
BAN
DWID
TH (M
Hz)
1
10
100
100 1000
LT1228 • TPC01
R1 = 100k
R1 = 10k
R1 = 1k
R1 = 100ΩVS = ±15V
BIAS VOLTAGE, PIN 5 TO 4, (V)
0.01TRAN
SCON
DUCT
ANCE
(µA/
mV)
0.1
1
10
100
0.9 1.2 1.3 1.5
LT1228 • TPC02
0.0011.0 1.1 1.4
VS = ±2V TO ±15VTA = 25°C
1.0
10
100
1000
10000
0.1
SET CURRENT (µA)
INPUT VOLTAGE (mVDC)
–2000
TRAN
SCON
DUCT
ANCE
(µA/
mV)
0.2
0.4
1.4
2.0
–150 –100 –50 200
LT1228 • TPC03
0 100 150
1.8
1.6
1.2
0.6
0.8
–55°C
VS = ±2V TO ±15VISET = 100µA
50
1.025°C
125°C
INPUT VOLTAGE (mVP–P)
10.01
OUTP
UT D
ISTO
RTIO
N (%
)
0.1
1
10
10 1000
LT1228 • TPC04
ISET = 100µA
VS = ±15V
ISET = 1mA
100
FREQUENCY (Hz)
1010
SPOT
NOI
SE (p
A/√H
z)
100
1000
1k 100k
LT1228 • TPC05
VS = ±2V TO ±15VTA = 25°C
100 10k
ISET = 1mA
ISET = 100µA
TEMPERATURE (°C)
–50V–
COM
MON
MOD
E RA
NGE
(V)
0.5
1.0
–1.5
V+
–25 0 25 125
LT1228 • TPC06
50 75 100
–0.5
–1.0
–2.0
1.5
2.0
V– = –2V TO –15V
V+ = 2V TO 15V
SET CURRENT (µA)
101
–3dB
BAN
DWID
TH (M
Hz)
10
100
100 1000
LT1228 • TPC07
VS = ±2V TO ±15VVIN = 200mV(PIN 2 TO 3)
∆IOUT∆ISET
INPUT VOLTAGE, PIN 2 TO 3, (mVDC)
00
CONT
ROL
PATH
GAI
N (µ
A/µA
)
1.0
120 200
LT1228 • TPC08
∆IOUT∆ISET
40 80 160
0.2
0.4
0.6
0.8
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
TEMPERATURE (°C)
–50V–
OUTP
UT S
ATUR
ATIO
N VO
LTAG
E (V
)
+0.5
+1.0
–1.0
V+
–25 0 25 125
LT1228 • TPC09
50 75 100
–0.5
±2V ≤ VS ≤ ±15VR1 = ∞
LT1228
61228fd
標準的性能特性
電圧利得および位相と周波数 (利得 = 20dB)
–3dB帯域幅と電源電圧 (利得 = 10、RL = 100Ω)
–3dB帯域幅と電源電圧 (利得 = 10、RL = 1k)
電圧利得および位相と周波数 (利得 = 40dB)
–3dB帯域幅と電源電圧 (利得 = 100、RL = 100Ω)
–3dB帯域幅と電源電圧 (利得 = 100、RL = 1k)
電圧利得および位相と周波数 (利得 = 6dB)
–3dB帯域幅と電源電圧 (利得 = 2、RL = 100Ω)
–3dB帯域幅と電源電圧 (利得 = 2、RL = 1k)
電流帰還アンプ(ピン1、6、8)
FREQUENCY (MHz)
0
VOLT
AGE
GAIN
(dB)
2
4
6
8
0.1 10 100
LT1228 • TPC10
–21
7
5
3
1
–1
PHASE SHIFT (DEG)
180
90
0
45
135
225
PHASE
GAIN
VS = ±15VRL = 100ΩRF = 750Ω
SUPPLY VOLTAGE (±V)
2
–3dB
BAN
DWID
TH (M
Hz)
40
100
120
12 16
LT1228 • TPC11
40 6 8 10 14 180
20
60
140
160
180
RF = 500Ω
80
PEAKING ≤ 0.5dBPEAKING ≤ 5dB
RF = 750Ω
RF = 1k
RF = 2k
SUPPLY VOLTAGE (±V)
2
–3dB
BAN
DWID
TH (M
Hz)
40
100
120
12 16
LT1228 • TPC12
40 6 8 10 14 180
20
60
140
160
180
80PEAKING ≤ 0.5dBPEAKING ≤ 5dB
RF = 750Ω
RF = 1k RF = 2k
RF = 500Ω
FREQUENCY (MHz)
14
VOLT
AGE
GAIN
(dB)
16
18
20
22
0.1 10 100
LT1228 • TPC13
121
21
19
17
15
13
PHASE SHIFT (DEG)
180
90
0
45
135
225
PHASE
GAIN
VS = ±15VRL = 100ΩRF = 750Ω
SUPPLY VOLTAGE (±V)
2
–3dB
BAN
DWID
TH (M
Hz)
40
100
120
12 16
LT1228 • TPC14
40 6 8 10 14 180
20
60
140
160
180
RF = 500Ω80
PEAKING ≤ 0.5dBPEAKING ≤ 5dB
RF = 750Ω
RF = 1k
RF = 2k
RF = 250Ω
SUPPLY VOLTAGE (±V)
2
–3dB
BAN
DWID
TH (M
Hz)
40
100
120
12 16
LT1228 • TPC15
40 6 8 10 14 180
20
60
140
160
180
RF = 500Ω
80
PEAKING ≤ 0.5dBPEAKING ≤ 5dB
RF = 750Ω
RF = 1k
RF = 2k
RF = 250Ω
FREQUENCY (MHz)
34
VOLT
AGE
GAIN
(dB)
36
38
40
42
0.1 10 100
LT1228 • TPC16
321
41
39
37
35
33
PHASE SHIFT (DEG)
180
90
0
45
135
225
PHASE
GAIN
VS = ±15VRL = 100ΩRF = 750Ω
SUPPLY VOLTAGE (±V)
2
–3dB
BAN
DWID
TH (M
Hz)
4
10
12
12 16
LT1228 • TPC17
40 6 8 10 14 180
2
6
14
16
18
RF = 500Ω
8RF = 1k
RF = 2k
SUPPLY VOLTAGE (±V)
2
–3dB
BAN
DWID
TH (M
Hz)
4
10
12
12 16
LT1228 • TPC18
40 6 8 10 14 180
2
6
14
16
18
RF = 500Ω
8
RF = 1k
RF = 2k
LT1228
71228fd
標準的性能特性
入力同相制限と温度 出力飽和電圧と温度 出力短絡電流と温度
スポット・ノイズの電圧および 電流と周波数 電源除去比と周波数 出力インピーダンスと周波数
最大容量性負荷と帰還抵抗 全高調波歪みと周波数2次および3次の高調波歪みと 周波数
電流帰還アンプ(ピン1、6、8)
FEEDBACK RESISTOR (kΩ)
10CAPA
CITI
VE L
OAD
(pF)
100
1k
10k
0 2 3
LT1228 • TPC19
11
VS = ±5V
VS = ±15V
RL = 1kPEAKING ≤ 5dBGAIN = 2
FREQUENCY (Hz)
TOTA
L HA
RMON
IC D
ISTO
RTIO
N (%
)
0.01
0.10
10 1k 10k 100k
LT1228 • TPC20
0.001100
VS = ±15VRL = 400ΩRF = RG = 750Ω
VO = 7VRMS
VO = 1VRMS
FREQUENCY (MHz)
1–70
DIST
ORTI
ON (d
Bc)
–60
–50
–40
–30
–20
10 100
LT1228 • TPC21
VS = ±15VVO = 2VP–PRL = 100ΩRF = 750ΩAV = 10dB 2nd
3rd
TEMPERATURE (°C)
COM
MON
MOD
E RA
NGE
(V)
2.0
V+
–50 25 75 125
LT1228 • TPC22
V–
0
1.0
–1.0
–2.0
–0.5
–1.5
1.5
0.5
–25 50 100
V+ = 2V TO 15V
V– = –2V TO –15V
TEMPERATURE (°C)
OUTP
UT S
ATUR
ATIO
N VO
LTAG
E (V
)
V+
–50 25 75 125
LT1228 • TPC23
V–
0
1.0
–1.0
–0.5
0.5
–25 50 100
RL = ∞±2V ≤ VS ≤ 15V
TEMPERATURE (°C)
–25
OUTP
UT S
HORT
-CIR
CUIT
CUR
RENT
(mA)
40
60
100 150
LT1228 • TPC24
0–50 25 50 75 125 17530
70
50
FREQUENCY (Hz)
SPOT
NOI
SE (n
V/√H
z OR
pA/
√Hz)
10
100
10 1k 10k 100k
LT1228 • TPC25
1100
en
+in
–in
FREQUENCY (Hz)
POW
ER S
UPPL
Y RE
JECT
ION
(dB)
40
80
10k 1M 10M 100M
LT1228 • TPC26
0100k
VS = ±15VRL = 100ΩRF = RG = 750Ω
NEGATIVE20
60POSITIVE
FREQUENCY (Hz)
OUTP
UT IM
PEDA
NCE
(Ω)
0.1
100
10k 1M 10M 100M
LT1228 • TPC27
0.001100k
0.01
10
VS = ±15V
1.0RF = RG = 2k
RF = RG = 750Ω
LT1228
81228fd
標準的性能特性
簡略回路図
電流帰還アンプ(ピン1、6、8)
10mVまでのセトリング時間と 出力ステップ
1mVまでのセトリング時間と 出力ステップ 電源電流と電源電圧
SETTLING TIME (ns)
OUTP
UT S
TEP
(V)
60
LT1228 • TPC28
200 40 80 100–10
10
0
–8
–6
–4
–2
2
4
6
8 NONINVERTING
INVERTING
VS = ±15VRF = RG = 1k
INVERTING
NONINVERTING
SETTLING TIME (µs)
OUTP
UT S
TEP
(V)
12
LT1228 • TPC29
40 8 16 20–10
10
0
–8
–6
–4
–2
2
4
6
8 NONINVERTING
INVERTING
VS = ±15VRF = RG = 1k
NONINVERTING
INVERTING
SUPPLY VOLTAGE (±V)
SUPP
LY C
URRE
NT (m
A)
12
LT1228 • TPC30
40 8 160
10
5
1
2
3
4
6
7
8
9
2 6 10 14 18
–55°C
25°C
125°C
175°C
LT1228 • TA03
IOUT GAIN VOUT
V+
V–
–IN+IN
ISET
BIAS
123
5
6
4
7
8
LT1228
91228fd
アプリケーション情報LT1228は、トランスコンダクタンス・アンプ(電圧から電流)と電流帰還アンプ(電圧から電圧)の2つのアンプを搭載しています。トランスコンダクタンス・アンプの利得は、外部設定されてピン5に流れ込む電流に比例します。どちらのアンプも、4V
(±2V)~30V(±15V)のほとんどすべての利用可能な電源電圧で動作するように設計されています。どちらも8ピン・パッケージに収まるように、トランスコンダクタンス・アンプの出力が電流帰還アンプの非反転入力に接続されています。
トランスコンダクタンス・アンプLT1228のトランスコンダクタンス・アンプは、高いインピーダンスの差動入力(ピン2とピン3)と広範な出力電圧に対応した電流源出力(ピン1)を備えています。電圧から電流への利得つまりトランスコンダクタンス(gm)は、ピン5(ISET)に流れ込む電流により設定されます。ピン5の電圧は、負電源(ピン4)から順方向にバイアスされた2個のダイオードの電圧降下分高くなります。したがって、ピン5の電圧(V–を基準)は約1.2V
になり、設定電流の対数で変化します(120mV/decade)。特性曲線を参照してください。この電圧の温度係数は約–4mV/°C(–3300ppm/°C)、ロギング特性の温度係数は3300ppm/°Cです。ピン5に流れ込む電流を15mA以下に制限することが重要です。ピン5をグランドまたは正電源に短絡すると、LT1228を破壊することになります。制限抵抗(2k程度)を使って、ピン5
に15mA以上の電流が流れ込まないようにする必要があります。
小信号のトランスコンダクタンス(gm)は、gm(単位:A/V)とISET(単位:A)を使って、gm = 10 • ISETで与えられます。この関係は設定電流の数十倍に及びます(特性曲線を参照)。トランスコンダクタンスは絶対温度に反比例します(–3300ppm/°C)。トランスコンダクタンス・アンプの入力段は、通常の差動アンプで可能な信号よりもはるかに大きな信号で動作するように設計されています。入力段のトランスコンダクタンスの変化は、±30mVの範囲の差動入力信号に対して1%
よりはるかに小さい値です(「小信号トランスコンダクタンスとDC入力電圧」の特性曲線を参照)。
抵抗による利得制御抵抗またはポテンショメータによって設定電流を設定するかあるいは変化させる場合、ピン5の負の温度係数(ピン4を基準)を使ってトランスコンダクタンスの負の温度係数を補償することができます。LT1004-2.5(2.5Vリファレンス・ダイオード)を使った最も容易な方法を以下に示します。
2.5Vリファレンスを使ったgmの温度補償
LT1228 • TA04
LT1004-2.5
V–
gm
5
4
R ISET
ISET
R
Vbe
Vbe
2.5V2Eg
ピン5に流れ込む電流には正の温度係数があり、トランスコンダクタンスの負の温度係数をキャンセルします。2.5Vリファレンスにより温度に対する利得の変化がゼロになる理由を以下の導出式に示します。
Sincegm =q
kT×
ISET3.87
= 10 •ISET
and Vbe = Eg –akTq
where a = IncTn
Ic
≈ 19.4 at 27°C c = 0.001, n = 3, Ic = 100µA( )Egが約1.25Vなので2.5Vリファレンスは2Egになります。設定電流に対するループを解くと以下が与えられます。
ISET =
2Eg – 2 Eg –akTq
Ror ISET = 2akT
Rq
LT1228
101228fd
アプリケーション情報トランスコンダクタンスの式に代入すると以下が与えられます。
gm = a
1.94R= 10
R
aの項の温度変動は、Vbeの式のTの項の温度変動よりはるかに小さいので無視できます。2.5V電源を使用することにより、この方法は–55°C~125°Cの全温度範囲で利得を1%以内に保ちます。2.5V電源が10%変動しても、同じ温度範囲で利得が変化するのは約±6%だけです。
負電源が安定化されていると、2.5Vリファレンスを使用することなく、トランスコンダクタンスを温度補償することもできます。2本の抵抗からリファレンスに代わる2.5Vのテブナン等価電圧が生成されます。この2本の抵抗によって約1.1V/RTHの最大設定電流も決まります。テブナンの式を整理し直してR4とR6を決定することにより、RTHと負電源VEEに関する以下の式が得られます。
R4 = RTH
1–2.5VVEE
and R6 = RTHVEE2.5V
テブナン電圧を使ったgmの温度補償
高いので、多くのアプリケーションでは制御電圧源からピン5
に1本の抵抗を接続するだけで十分です。制御電圧は負電源を基準としたもので、約900mVのオフセットがあります。変換は単調になりますが、直線性はピン5の電圧変化(120mV/
decadeの電流)によって決まります。ピン5の電圧のデバイス間のばらつきは±5%より小さいので、特性の再現性は非常に良好です。前のセクションで説明したように、ピン5の電圧には負の温度係数もあります。複数のLT1228の利得を同時に変える場合、各デバイスのピン5への抵抗を同じ値にすることにより、電流を等しく分割することができます。
1つのオペアンプを使った電圧–電流変換回路を使用して、より高精度(および高直線性)の制御を行うことができます。以下の回路にはいくつかの利点があります。入力は、負電源を基準にする必要がなく、両方の極性(つまり差動)が可能です。入力電圧とピン5の電圧が互いに独立しているので、この回路は単一電源と両電源のどちらでも動作します。出力電流の温度係数はR5によって設定されます。
LT1228 • TA05
R41.24kΩ
–15V
gm
5
4
R' ISET
ISET
1.03k
Vbe
Vbe
VTH = 2.5V
R'
R66.19kΩ
電圧による利得制御電圧を使ってトランスコンダクタンス・アンプの利得を制御するには、電圧をピン5に流れ込む電流に変換する必要があります。ピン5の電圧は負電源より2個のダイオードの電圧降下分
LT1228 • TA19
R51k
R11M
V1
V2
IOUTTO PIN 5OF LT1228
50pF
R1 = R2R3 = R4
IOUT = • = 1mA/V
–
+R21M
R31M
R41M
(V1 – V2)R5
R3R1
LT1006
トランスコンダクタンス・アンプの利得のデジタル制御は、DAC
の出力をピン5に流れ込む電流に変換することによって行われます。残念ながら、ほとんどの電流出力DACは電流をソー
LT1228
111228fd
アプリケーション情報スせずにシンクするので、出力がLT1228のピン5に対応しません。したがって、設定電流をデジタル制御する最も容易な方法は、電圧出力DACと電圧 -電流変換回路を使用することです。前の電圧 -電流コンバータは、あらゆる電圧出力DAC
の出力を取り込み、比例する電流でピン5をドライブします。電圧スイッチング・モードで動作するR、2R CMOS乗算DAC
は、上記の回路を使った単一電源と両電源のどちらにも適しています。
多くの場合、対数制御を使用する方がリニア制御を使用するよりも容易です。入力が1V上がるごとに設定電流を2倍にするシンプルな回路が、このデータシートの末尾近くの「電圧制御の状態可変フィルタ」のアプリケーションに示されています。
トランスコンダクタンス・アンプの周波数応答特性曲線に示すように、トランスコンダクタンス・アンプの帯域幅は設定電流と相関関係があります。100µA以下の設定電流では、帯域幅はほぼ次のようになります。
–3dB帯域幅 = 3 • 1011 ISET
500µAでのピーク帯域幅は約80MHzです。抵抗を使って出力電流を電圧に変換すると、出力の容量が抵抗とともにポールを形成します。ベストケースの出力容量は、±15Vの電源で
約5pF、±5Vの電源で約6pFです。PC基板やソケットのすべての容量をこれらの値に加えて、総出力容量を求める必要があります。トランスコンダクタンス・アンプの出力に1k抵抗を使用すると、出力容量によって帯域幅が約25MHzに制限されます。
トランスコンダクタンス・アンプの出力スルーレートは、設定電流を出力容量(6pFに基板とソケットの容量を加えた値)で割ったものです。たとえば、1mAの設定電流の場合、スルーレートは100V/µs以上になります。
トランスコンダクタンス・アンプの小信号応答ISET = 500µA、R1 = 50Ω
電流帰還アンプLT1228の電流帰還アンプの非反転入力インピーダンスは非常に大きいので、トランスコンダクタンス・アンプの出力に対して優れたバッファになります。非反転入力はピン1、反転入力はピン8、出力はピン6です。電流帰還アンプはほとんどすべての電圧利得で広い帯域幅を保持するので、トランスコンダクタンス・アンプの出力レベルを他の回路に容易にインタフェース可能です。電流帰還アンプは、ケーブルのような低いインピーダンスの負荷を高い周波数においても優れた直線性でドライブできるように設計されています。
帰還抵抗の選択LT1228の電流帰還アンプの小信号帯域幅は外付けの帰還抵抗と内部の接合容量によって設定されます。したがって、帯域幅は電源電圧、帰還抵抗の値、閉ループ利得および負荷抵抗と相関関係があります。帯域幅と電源電圧の特性曲線は重負荷(100Ω)と軽負荷(1k)で作成されており、負荷の影響
LT1228
121228fd
アプリケーション情報を表しています。これらのグラフは帰還抵抗の様々な値から得られる曲線群も示しています。これらの曲線は、応答のピーキングが0.5dBより小さいときは実線を使用し、応答のピーキングが0.5dB~5dBのときは破線を使用しています。曲線は、応答のピーキングが5dBを超えるところで終っています。
電流帰還アンプの小信号応答VS = ±15V、RF = RG = 750Ω、RL = 100Ω
反転入力の容量電流帰還アンプは、安定動作のため、出力から反転入力への抵抗性帰還を必要とします。出力と反転入力の間の浮遊容量を最小限に抑えるように注意します。反転入力からグランドへの容量により、周波数応答のピーキング(およびトランジェント応答のオーバーシュート)が生じますが、アンプの安定性は下がりません。ピーキングを生じるのに必要な容量値は、得られる閉ループ利得と相関関係があります。利得が大きいほど、ピーキングを生じるのに必要な容量が大きくなります。たとえば、利得が100のアプリケーションでは、以下に示すように、2200pFのコンデンサを追加することによって帯域幅を10MHz
から17MHzまで拡大することができます。CGにはシルバーマイカなどの直列抵抗が非常に小さいものが必要です。
750Ωの帰還抵抗を使用し、±15Vの電源で利得が2の場合、軽負荷になるときの帯域幅はピーキングなしで160MHzを超え、重負荷になるときの帯域幅は100MHzまで縮小します。出力段には軽い共振を持たせており軽負荷時には帯域幅が伸びますが、重負荷時にQは減少します。帯域幅が拡大するのは低い利得設定のときだけで、利得が10のときには帯域幅は拡大しません。ユニティゲインでは、帯域幅の拡大は非常に有効で、帰還抵抗の値が帯域幅に影響することはほとんどありません。閉ループ利得が非常に大きいと、帯域幅は約1GHz
の利得帯域幅積によって制限されます。曲線は、閉ループ利得が100のときの帯域幅が10MHzで、利得が2のときの1/10
しかないことを示しています。
LT1228 • TA08
–
+
CGRG5.1Ω
RF510Ω
VOUTCFA
VIN6
1
8
反転入力の容量を使った高利得アンプの帯域幅の拡大
FREQUENCY (MHz)
119
GAIN
(dB)
22
25
28
31
46
49
10 100
LT1228 • TA09
34
37
40
43CG = 4700pF
CG = 2200pF
CG = 0
LT1228
131228fd
アプリケーション情報容量性負荷適切な値の帰還抵抗が使用されている場合、LT1228の電流帰還アンプは容量性負荷を直接ドライブできます。「最大容量性負荷と帰還抵抗」のグラフを使って適切な値を選択します。利得が2で1kの負荷をドライブするときに5dBのピーキングを得る値が示されています。これはワーストケースの条件で、アンプは高い利得で大きな負荷をドライブするほど安定します。代わりに、小さな抵抗(10Ω~20Ω)を出力と直列に接続して、アンプの出力から容量性負荷を絶縁することができます。これには、容量性負荷を接続したときだけアンプの帯域幅が縮小するという利点と、利得が負荷抵抗と相関関係を持つという欠点があります。
スルーレート電流帰還アンプのスルーレートは、従来のオペアンプのようにアンプの利得設定と無関係ではありません。これは、入力段と出力段のどちらもスルーレートが制限されているからです。LT1228の電流帰還アンプの入力段の非線形になる前のスルーレートは約100V/µsです。入力信号を高速にすると、入力トランジスタの通常逆バイアスされるエミッタがオンして、スルーレートが大幅に向上します。この向上したスルーレートは3500V/µsにもなることがあります。
電流帰還アンプの大信号応答VS = ±15V、RF = RG = 750Ω、スルーレートが向上
出力のスルーレートは帰還抵抗の値と内部容量によって設定されます。1kの帰還抵抗と±15Vの電源を使って利得を10にすると、出力スルーレートは標準で500V/µsと–850V/µsになります。高利得のため、入力段は向上しません。低い電源電圧でそうなるように、帰還抵抗を大きくすると、帯域幅が縮小するとともにスルーレートが低下します。
電流帰還アンプの大信号応答VS = ±15V、RF = 1k、RG = 110Ω、RL = 400Ω
セトリング時間特性曲線は、LT1228の電流帰還アンプが10V以下のすべての出力ステップに対して、40ns~55nsで最終値の10mV以内に安定することを示しています。最終値の1mV以内にセトリングする曲線は、20µsまで遅らせる熱的影響があることを示しています。熱的なセトリング要素は出力段と入力段から生じます。出力段の出力変化への影響は1mV/V弱で、入力段の入力変化への影響は300µV/Vです。幸い、入力段の熱は出力段の熱をキャンセルする傾向があります。このため、2に設定された非反転利得の方が1の反転利得よりも早く安定します。
LT1228
141228fd
電源LT1228アンプは、単一電源または±2V(合計4V)~±18V(合計36V)の両電源で動作します。等しい値の両電源を使用する必要はありませんが、電流帰還アンプのオフセット電圧と反転入力バイアス電流が小さくなります。オフセット電圧は1V
の電源不整合あたり約350µV変化し、反転バイアス電流は1Vの電源不整合あたり約2.5µA変化します。
電力損失アンプのワーストケースの電力損失は、静止電流の合計に全電源電圧を掛けた値に、負荷によるデバイスの電力損失を加えたものです。LT1228のトランスコンダクタンス・アンプの静止時電源電流は、全温度での設定電流の3.5倍に等しくなります。LT1228の電流帰還アンプの静止時電源電流には大きな負の温度係数があり、150°Cで7mA以下、標準で4.5mAしか流れません。負荷によるデバイスの電力損失は、出力電圧、電源電圧および負荷抵抗と相関関係があります。ワーストケースが生じるのは、出力電圧がその電圧まで達するのが可能な場合には電源電圧の1/2、電源電圧の1/2に達するのが不可能な場合にはその最大値のときです。
アプリケーション情報
標準的応用例
たとえば、150Ωに最大2Vを供給する±12V電源で動作する可変利得のビデオ・ケーブル・ドライバのワーストケースの電力損失を計算してみます。最大設定電流は1mAです。
PD = 2VS ISMAX + 3.5ISET( )+ VS – VOMAX( ) VOMAXRL
PD = 2 •12V • 7mA + 3.5 •1mA( ) + 12V – 2V( ) 2V150Ω
= 0.252 + 0.133 = 0.385W
総電力損失にパッケージの熱抵抗を掛けると、ダイの周囲からの温度上昇が得られます。SO-8表面実装パッケージ(熱抵抗が150°C/W)の上記の例では以下のとおりです。
温度上昇 = PDθJA = 0.385W • 150°C/W = 57.75°C
したがって、最大接合部温度は70 °C+57.75 °Cつまり127.75°Cで、プラスチック・パッケージの150°Cの絶対最大接合部温度を十分下回っています。
基本的な利得制御基本的な利得制御アンプがこのデータシートの表紙に示されています。利得は設定電流に正比例します。信号は入力から出力までの3つの段を通過します。
まず、入力信号はトランスコンダクタンス・アンプのダイナミックレンジに対応するように低減されます。減衰器は100mVのピーク以下に信号を低減します。特性曲線を使って、最大入力信号で生じる歪みの大きさを推定することができます。シングルエンド入力ではR2AまたはR3Aを推定します。
次に、信号はトランスコンダクタンス・アンプ(gm)によって増幅され、グランドと比較されます。トランスコンダクタンス・アンプの電圧利得は次のとおりです。
gm • R1 = 10 • ISET • R1
最後に、信号はバッファされ、電流帰還アンプ(CFA)によって増幅されます。電流帰還アンプの電圧利得は次のとおりです。
1+ RF
RG
利得制御アンプの総合利得は次のように3つの段すべての積になります。
AV = R3
R3+R3A
•10 •ISET •R1• 1+ RF
RG
トランスコンダクタンス・アンプの出力は電流なので、複数の出力をR1に統合することができます。これはビデオ・ミキサを形成する最も簡単な方法です。
LT1228
151228fd
標準的応用例ビデオ・フェーダ ビデオDCクランプ回路
LT1228 • TA12
–
+–
+1k
100Ω
gm
LT1223CFA VOUT
3
2
5
1VIN1
1k
–
+gm
31kVIN2
10k
5.1k10k
5.1k10k
100Ω
2
1k
5
1
–5V VS = ±5V
このビデオ・フェーダでは、別の電流帰還アンプLT1223の帰還ループ内の2個のLT1228から成るトランスコンダクタンス・アンプを使用しています。各入力からの出力での信号の大きさは、それらの絶対値ではなく、2個のLT1228の設定電流の比によって設定されます。この構成では、電流帰還アンプの帯域幅は設定電流に反比例します。したがって、ポテンショメータの範囲の大部分で設定電流が大きく保たれるので、信号が20dB減衰しても15MHz以上の帯域幅が維持されます。ポテンショメータは、各方向に最後まで回したときに一方のLT1228をオフするように設定されています。
LT1228 • TA13
–
+–
+gm
CFA VOUT8
3
25
V–
3k
RF
RG
4 10k
3k
5V
LOGICINPUT
RESTORE
0.01µF
VIDEOINPUT
2N3906
1
6
V+
7
200Ω1000pF
NOT NECESSARY IF THE SOURCE RESISTANCE IS LESS THAN 50Ω
ビデオ・クランプ回路は、コンポジット・ビデオ信号の黒レベルを各信号の開始時にゼロ・ボルトに再生します。これが必要なのは、AC結合されたビデオ信号は画面の平均輝度に応じてDCレベルが変化するからです。DC再生により、ハムなどの低周波数ノイズも除去されます。
この回路にはコンポジット・ビデオ信号とロジック信号の2つの入力があります。ロジック信号は、水平同期パルス直後のバックポーチ期間を除き“H”になります。ロジック信号が“H”の間、PNPがオフしてISETがゼロになります。ISETがゼロに等しいと、ピン2への帰還による影響はありません。ビデオ入力は、利得がRFとRGによって設定される電流帰還アンプの非反転入力をドライブします。ロジック信号が“L”の場合、PNP
がオンしてISETが約1mAになります。次いで、トランスコンダクタンス・アンプはコンデンサを充電して、出力をピン3の電圧に釣り合うように強制します(この場合はゼロ・ボルト)。
この回路は、アンプを反転構成で動作させることにより、ビデオ信号がDC結合されるように変更できます。示されているビデオ入力を接地し、RGをグランドの代わりにビデオ入力に接続するだけです。
LT1228
161228fd
単一電源のウィーンブリッジ発振器
標準的応用例
LT1228 • TA15
–
+–
+gm
CFAVO
8
3
2
1k
330Ω
4
1
6
V+
7
1k
30pF
51Ω
50Ω
VO = 10dB
AT VS = ±5V ALL HARMONICS 40dB DOWNAT VS = ±12V ALL HARMONICS 50dB DOWN
9.1k
750ΩV–
5
4.3k4.7µH
10k 0.1µF
V–
2N3904
2N3906
このアプリケーションでは、LT1228を単一電源で動作するようにバイアスします。2本の10k抵抗を使って電源電圧の1/2
の擬似信号グランドを生成し、コンデンサでバイパスします。RGと直列にコンデンサを使って、電流帰還アンプのDC利得を1に設定します。
トランスコンダクタンス・アンプは、利得を制御するための可変抵抗として使用されます。可変抵抗は、反転入力をドライブし、出力を反転入力に戻すことによって形成されます。等価抵抗値はgmの逆数になります。これは1.8k抵抗と一緒に動作して可変減衰器を形成します。2個の1000pFコンデンサと2本の160Ω抵抗から成るウィーンブリッジ・ネットワークにより、1MHzの発振周波数が設定されます。
クリーンな正弦波発振をさせるには、回路のループ全体の正味利得を1にする必要があります。電流帰還アンプの利得は34であり、トランスコンダクタンス・アンプの入力電圧を低く維持します。ウィーンブリッジの共振時の減衰が1/3であるため、
1.8k抵抗とトランスコンダクタンス・アンプでの減衰を約1/11
にする必要があり、結果的に発振時の設定電流が約600µA
になります。起動時には設定電流は流れないので、ループ全体の正味利得が約1/11になることはありません。出力の発振が生じると、PNPトランジスタがオンし、設定電流を発生して出力電圧を安定化します。
12MHzの負抵抗LC発振器
LT1228 • TA14
–
+–
+gm
CFA
VO
8
3
2
5
RF680Ω
RG20Ω
4
1
6
V+
710kΩ
10kΩ
1.8k
160Ω
1000pF 1000pF160Ω
+10µF+
10µF
V+
470Ω +10µF
100Ω
0.1µF
51Ω
50Ω
2N3906
6V TO 30V
f = 1MHz
FOR 5V OPERATION SHORT OUT 100Ω RESISTOR
VO = 6dBm (450mVRMS)2nd HARMONIC = –38dBc3rd HARMONIC = –54dBc
この発振器は、負抵抗にトランスコンダクタンス・アンプを使って発振を生じます。トランスコンダクタンス・アンプの正入力をドライブして出力を正入力に戻すと、負抵抗になります。この例では、分圧器を使って正入力の信号レベルを小さくすることにより、歪みを軽減しています。トランスコンダクタンス・アンプの出力が非常に小さい抵抗をドライブしている場合を除き、負抵抗は適切なDCバイアスを行いません。DCでの利得がゼロになるようにグランドにインダクタが接続されています。発振器を起動するのに負抵抗が必要で、ピン5に4.3k抵抗を接続することにより得られます。出力レベルが上昇するとPNPトランジスタがオンし、次いでNPNトランジスタがオンします。NPNトランジスタはトランスコンダクタンス・アンプのバイアス入力から電流を吸収します。
LT1228
171228fd
標準的応用例フィルタ
LT1228 • TA16
–
+–
+gm
CFA VOUT8
3
2
RF1k
R2120Ω
5
1
6R3
120Ω C330pF
fC = × × ×
R3A1k
ISET RG1k
R2A1k
VINLOWPASS
INPUT
VINHIGHPASS
INPUT
fC = 109 ISET FOR THE VALUES SHOWN
102π
ISETC
RF + 1RG
R2R2 + R2A
1ポールのローパス /ハイパス /オールパス・フィルタ
オールパス・フィルタの位相応答
FREQUENCY (Hz)
10k
PHAS
E SH
IFT
(DEG
REES
)
–90
–45
0
100k 1M 10M
LT1228 • TA17
–135
–180
1mA SET CURRENT
100µA SET CURRENT
LT1228の可変トランスコンダクタンスを使用することにより、可変フィルタを容易で予測可能にします。最も直接的な方法は、トランスコンダクタンス・アンプの出力にコンデンサを接続することによって積分器を形成し、電流帰還アンプでバッファリングすることです。電流帰還アンプの入力バイアス電流はトランスコンダクタンス・アンプから供給する必要があるので、設定電流を10µA以下にしてはなりません。これにより、フィルタの調整範囲が約100:1に制限されます。
1ポール回路により、コーナー周波数(fC)が設定電流に比例する1ポール・フィルタが実現します。示された値は、100µAの
設定電流に対して100kHzのコーナー周波数を与えます。この回路には、ローパス・フィルタ入力とハイパス・フィルタ入力の
2つの入力があります。ローパス・フィルタを形成するには、ハイパス入力を接地してローパス入力をドライブします。逆にハイパス・フィルタを形成するには、ローパス入力を接地してハイパス入力をドライブします。両方の入力をドライブすると、オールパス・フィルタや位相シフタになります。オールパス・フィルタの振幅応答は平坦で、低周波数での位相シフトは0°、高周波数では–180°までシフトします。オールパス・フィルタのコーナー周波数での位相シフトは–90°です。
LT1228
181228fd
標準的応用例電圧制御の状態可変フィルタ
LT1228 • TA18
–
+–
+gm
CFALOWPASSOUTPUT
8
3
2
1k
4
1
6100Ω
18pF
–5V
3.3k
7
5
–
+–
+gm
CFABANDPASSOUTPUT8
3
2
1k
4
1
6
100Ω
18pF–5V
3.3k 7
5
100Ω
VIN
5V
5V
3k
3k
–
+
100pF
LT10061k
180Ω
10kVC
51k
–5V
2N3906
3.3k
3.3k
fO = 100kHz AT VC = 0VfO = 200kHz AT VC = 1VfO = 400kHz AT VC = 2VfO = 800kHz AT VC = 3VfO = 1.6MHz AT VC = 4V
状態可変フィルタはローパスとバンドパスの両方の出力を備えています。各LT1228は減衰器、コンデンサおよび設定電流によって周波数が設定される可変積分器として構成されています。積分器には正と負の両方の入力があるので、通常必要とする追加オペアンプが不要です。入力の減衰器により、回路の処理する信号が最大3VP–Pに設定されます。
設定電流は、電流制御に対する対数電圧を与えるシンプルな回路によって生成されます。最高の精度を引き出すためには、2個のPNPトランジスタは同じパッケージの整合したペア
にします。ディスクリート・トランジスタを使用する場合、VCがゼロに等しいときに適切な周波数応答を与えるように、51k抵抗を微調整します。この回路はVCがゼロ・ボルトに等しいときに100µAを発生し、1V増えるごとに電流が2倍になります。 2本の3k抵抗が2個のLT1228の間で電流を分割します。したがって、各アンプの設定電流は0V~4Vの制御電圧に対して50µA~800µAになります。得られるフィルタの周波数はVC
がゼロに等しいと100kHzになり、制御入力の1オクターブ /V
で変化します。
LT1228
191228fd
パッケージ最新のパッケージ図面については、 http://www.linear-tech.co.jp/designtools/packaging/ を参照してください。
J8 0801
.014 – .026(0.360 – 0.660)
.200(5.080)
MAX
.015 – .060(0.381 – 1.524)
.1253.175MIN
.100(2.54)BSC
.300 BSC(7.62 BSC)
.008 – .018(0.203 – 0.457)
0° – 15°
.005(0.127)
MIN
.405(10.287)
MAX
.220 – .310(5.588 – 7.874)
1 2 3 4
8 7 6 5
.025(0.635)
RAD TYP.045 – .068
(1.143 – 1.650)FULL LEAD
OPTION
.023 – .045(0.584 – 1.143)
HALF LEADOPTION
CORNER LEADS OPTION (4 PLCS)
.045 – .065(1.143 – 1.651)NOTE: リードの寸法は半田ディップ /メッキ・リード
または錫メッキ・リードに適用される
J8 Package3-Lead CERDIP (Narrow .300 Inch, Hermetic)
(Reference LTC DWG # 05-08-1110)
廃止パッケージ
J8パッケージ8ピンCERDIP(細型、0.300インチ、ハーメチック)
(Reference LTC DWG # 05-08-1110)
LT1228
201228fd
パッケージ最新のパッケージ図面については、 http://www.linear-tech.co.jp/designtools/packaging/ を参照してください。
.016 – .050(0.406 – 1.270)
.010 – .020(0.254 – 0.508)
× 45°
0°– 8° TYP.008 – .010
(0.203 – 0.254)
SO8 REV G 0212
.053 – .069(1.346 – 1.752)
.014 – .019(0.355 – 0.483)
TYP
.004 – .010(0.101 – 0.254)
.050(1.270)
BSC
1 2 3 4
.150 – .157(3.810 – 3.988)
NOTE 3
8 7 6 5
.189 – .197(4.801 – 5.004)
NOTE 3
.228 – .244(5.791 – 6.197)
.245MIN .160 ±.005
RECOMMENDED SOLDER PAD LAYOUT
.045 ±.005 .050 BSC
.030 ±.005 TYP
インチ(ミリメートル)
NOTE:1. 寸法は
2. 寸法は実寸とは異なる3. これらの寸法にはモールドのバリまたは突出部を含まない モールドのバリまたは突出部は、0.006インチ(0.15mm)を超えないこと4. ピン 1は、斜角エッジまたはくぼみにすることができる
S8 Package8-Lead Plastic Small Outline (Narrow .150 Inch)
(Reference LTC DWG # 05-08-1610 Rev G)
N8 REV I 0711
.065(1.651)
TYP
.045 – .065(1.143 – 1.651)
.130 ±.005(3.302 ±0.127)
.020(0.508)
MIN.018 ±.003(0.457 ±0.076)
.120(3.048)
MIN
.008 – .015(0.203 – 0.381)
.300 – .325(7.620 – 8.255)
.325+.035–.015+0.889–0.3818.255( )
1 2 3 4
8 7 6 5
.255 ±.015*(6.477 ±0.381)
.400*(10.160)
MAX
NOTE:1. 寸法は インチ
ミリメートル*これらの寸法にはモールドのバリまたは突出部を含まない モールドのバリまたは突出部は、0.010インチ(0.254mm)を超えないこと
.100(2.54)BSC
N Package8-Lead PDIP (Narrow .300 Inch)
(Reference LTC DWG # 05-08-1510 Rev I)
Nパッケージ8ピンPDIP(細型、0.300インチ)
(Reference LTC DWG # 05-08-1510 Rev I)
S8パッケージ8ピン・プラスチック・スモール・アウトライン(細型、0.150インチ)
(Reference LTC DWG # 05-08-1610 Rev G)
LT1228
211228fd
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改訂履歴
Rev 日付 概要 ページ番号D 06/12 発注情報の表を新しいフォーマットに更新
gm = 10 • ISETの関係式で使用される単位を明確化29
(改訂履歴はRev Dから開始)
LT1228
221228fd
LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2012
LT 0612 REV D • PRINTED IN JAPANリニアテクノロジー株式会社102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F TEL 03-5226-7291 FAX 03-5226-0268 www.linear-tech.co.jp
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10k
0.01µF
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5
1
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+ +100µF
–
+
R5
V–
gm3
2
V+
7
5
4
1
8
6VOCFA
RF1k
RG1k
VS = ±5V, R5 = 3.6kVS = ±15V, R5 = 13.6kVOUT MUST BE LESS THAN200mVP–P FOR LOW OUTPUT OFFSETBW = 30Hz TO 20MHz VIN
INCLUDES DCLT1228 • TA22
–
+
1k –
+
10k
–5V
gm
3
5V
7
5
4
1
8
6 VOUT0dBm(230mV) ATMODULATION = 0V
CFA
RF750Ω
RG750Ω
+
+4.7µF
MODULATIONINPUT ≤ 8VP–P
4.7µF
CARRIERINPUT30mV
2
製品番号 説明 注釈LT1227 140MHz電流帰還アンプ スルーレート:1100V/µs、微分利得:0.01%、微分位相:0.03%
LT1251/LT1256 40MHzビデオ・フェーダ 高精度リニア利得制御:±1%(標準)、±3%(最大)LT1399 400MHz電流帰還アンプ スルーレート:800V/µs、出力電流:80mA