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4900181-001.A00 1/21페이지 microSDXC 메모리 카드 플래시 스토리지 미디어 1. 소개 산업 온도 microSDXC 카드는 극한의 환경 조건을 견디도록 설계, 제조 테스트되었습니다. 키오스크, 가스 펌프, ATM, 미디어 게이트웨이 자동차/해상 등의 실외 응용 분야에 사용됩니다. 또한 최신 산업 응용 분야에 사용되는 사물 인터넷(IoT) 응용 분야에 이상적입니다. eXtended Capacity microSD 메모리 카드는 SD 메모리 사양과 기능적으로 호환되면서도 치수는 작습니다. microSDXC 메모리 카드는 또한 microSD 메모리 카드 어댑터에 삽입하여 표준 보안 디지털 메모리 카드로 사용할 있습니다. 2. 부품 번호 SDHC 클래스 UHS 용량 부품 번호 클래스 10 U1 64GB SDCIT/64GB 3. microSDXC 메모리 카드 기능 1: microSDXC 카드 기능 설계 표준 목차 없음(OEM 설계 이용 가능) ID, MKB 프로그래밍됨 보안 기능 SD 보안 사양 버전 3.00 호환(CPRM 기반) *CPRM: 미디어 사양 기록을 위한 컨텐츠 보호 논리적 형식 SD 파일 시스템 사양 버전 3.00 호환 (exFAT 기반 포맷) 전기 작동 전압: 2.7V ~ 3.6V(메모리 작동) 인터페이스: SD 카드 인터페이스, (SD: 4 또는 1비트) SPI 모드 호환 SD 실제 계층 사양 버전 3.01 호환 물리적 L: 15, W: 11, T: 1.0(mm), 중량: 0.5g(유형) microSD 메모리 카드 사양 버전 3.01 호환 (세부 치수 포함: 부록) 내구성 SD 실제 계층 사양 버전 3.01 호환 microSD 메모리 카드 사양 버전 3.01 호환 ROHS ROHS 호환 정적 동적 웨어 레벨링 모두 구현. 내구성을 위한 MLC NAND

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microSDXC 메모리 카드

플래시 스토리지 미디어

1. 소개

산업 온도 microSDXC 카드는 극한의 환경 조건을 견디도록 설계, 제조 및 테스트되었습니다. 키오스크, 가스 펌프, ATM, 미디어 게이트웨이 및 자동차/해상 등의 실외 응용 분야에 사용됩니다. 또한 최신 산업 응용 분야에 사용되는 사물 인터넷(IoT) 응용 분야에 이상적입니다.

eXtended Capacity microSD 메모리 카드는 SD 메모리 사양과 기능적으로 호환되면서도 치수는 더 작습니다. 이 microSDXC 메모리 카드는 또한 microSD 메모리 카드 어댑터에 삽입하여 표준 보안 디지털 메모리 카드로 사용할 수 있습니다.

2. 부품 번호

SDHC 클래스 UHS 용량 부품 번호

클래스 10 U1 64GB SDCIT/64GB

3. microSDXC 메모리 카드 기능 표 1: microSDXC 카드 기능

설계 표준

목차 없음(OEM 설계 이용 가능)

ID, MKB

프로그래밍됨

보안 기능 SD 보안 사양 버전 3.00 호환(CPRM 기반)

*CPRM: 미디어 사양 기록을 위한 컨텐츠 보호

논리적 형식 SD 파일 시스템 사양 버전 3.00 호환

(exFAT 기반 포맷)

전기 작동 전압: 2.7V ~ 3.6V(메모리 작동)

인터페이스: SD 카드 인터페이스, (SD: 4 또는 1비트)

SPI 모드 호환

SD 실제 계층 사양 버전 3.01 호환

물리적 L: 15, W: 11, T: 1.0(mm), 중량: 0.5g(유형)

microSD 메모리 카드 사양 버전 3.01 호환

(세부 치수 포함: 부록)

내구성 SD 실제 계층 사양 버전 3.01 호환

microSD 메모리 카드 사양 버전 3.01 호환

ROHS ROHS 호환

정적 및 동적 웨어 레벨링 모두 구현.

내구성을 위한 MLC NAND

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4. 호환성 호환 사양

SD 메모리 카드 사양 물리적 계층 사양 버전 3.01 호환(파트1)

파일 시스템 사양 버전 3.00 호환(파트2)

보안 사양 버전 3.00 호환(파트3)

microSD 메모리 카드 사양 버전 3.01

5. 물리적 특성 5.1 온도

1) 작동 조건

온도 범위: Ta= -40°C ~ +85°C

2) 보관 조건 온도 범위: Tstg= -40°C ~ +85°C

5.2. 습기(신뢰성)

1) 작동 조건 온도 25°C / 95% 상대 습도

2) 보관 조건

온도 40°C / 93% 상대 습도 / 500h

5.3 응용 분야

1) 작동 중 삽입 또는 제거

a. Kingston microSDXC 메모리 카드는 호스트 시스템의 전원을 끄지 않고 제거

및/또는 삽입할 수 있습니다.

2) 기계식 쓰기 보호 스위치

a. microSDXC 메모리 카드에는 기계식 쓰기 보호 스위치가 없습니다.

5.4 구성

컨트롤러: PS8210DF NAND: Toshiba 15nm MLC 64Gb

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6. 전기적 인터페이스 요약

6.1. microSD 카드 핀

표 2는 microSD 카드의 핀 할당을 정의합니다. 그림 1은 microSD 카드의 핀 위치를 설명합니다.

SD 카드 물리적 계층 사양의 세부 설명을 참조하십시오.

그림 1: microSD 카드 핀 할당(카드의 후면 보기)

표 2: microSD 카드 핀 할당

1) S: 전원 공급 장치, I: 입력, O: 출력, I/O: 양방향, PP: 푸시풀 드라이버를 사용하는 IO

(*) 이러한 기호는 SPI 모드에서 10-100K옴 저항이 있는 호스트 쪽까지 당겨야 합니다.

NC 핀은 사용하지 마십시오.

6.2 microSD 카드 버스 토폴로지

microSD Memory 카드는 SD와 SPI 버스 모드라는 2개의 대체 커뮤니케이션 프로토콜을 지원합니다. 호스트 시스템은 두 모드 중 하나를 선택할 수 있습니다. microSD 카드의 동일한 데이터를 양쪽 모드로 읽고 쓸 수 있습니다.

SD 모드는 4비트 고성능 데이터 전송을 지원합니다. SPI 모드는 SPI 채널을 위한 쉽고 일반적인 인터페이스를 지원합니다. 이 모드의 단점은 SD 모드와 비교해 성능 손실이 있다는 점입니다.

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6.2.1. SD 버스 모드 프로토콜

SD 버스는 양방향 데이터 신호의 데이터 라인 수에 대해 1개부터 4개까지 동적

구성을 허용합니다. 기본적으로 전원을 켠 후, microSD 카드는 DAT0만 사용하게

됩니다. 초기화 이후, 호스트는 버스 너비를 변경할 수 있습니다.

증배된 microSD 카드 연결을 호스트에 사용할 수 있습니다. 일반 Vdd, Vss 및 CLK

신호 연결을 여러 연결에 사용할 수 있습니다. 그러나, 명령, 응답 및 데이터

라인(DAT0-DAT3)은 호스트에서 각 카드에 대해 분리되어야 합니다.

이 기능으로 하드웨어 비용과 시스템 성능을 쉽게 맞바꿀 수 있습니다. microSD

버스상의 통신은 시작 비트로 시작되고 중지 비트로 종료되는 명령 및 데이터 비트

스트림을 기반으로 합니다.

명령:

명령은 CMD 라인을 통해 연속으로 전송됩니다. 명령은 호스트에서 카드로의 작동을

시작하는 토큰입니다. 명령은 주소 지정 단일 카드(주소 지정 명령) 또는 모든 연결

카드(브로드캐스트 명령)로 보냅니다.

응답:

응답은 CMD 라인을 통해 연속으로 전송됩니다. 응답은 이전에 받은 명령에 대답하는

토큰입니다. 응답은 주소 지정 단일 카드나 모든 연결 카드에서 받게 됩니다.

데이터:

데이터는 카드에서 호스트로 또는 그 반대로 전송될 수 있습니다.

데이터는 데이터 라인을 통해 전송됩니다.

CLK: 호스트 카드 클럭 신호

CMD: 양방향 명령 / 응답 신호

DAT0 - DAT3: 4개의 양방향 데이터 신호

VDD: 전원 공급 장치

VSS: GND

그림 2: microSD 카드(SD 모드) 연결도

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표 3: SD 모든 명령 세트 (+: 구현됨, -: 구현 안 됨)

CMD

인덱스 약어 구현 참고

CMD0 GO_IDLE_STATE +

CMD2 ALL_SEND_CID +

CMD3 SEND_RELATIVE_ADDR +

CMD4 SET_DSR - DSR 레지스터는 구현되지 않음

CMD6 SWITCH_FUNC +

CMD7 SELECT/DESELECT_CARD +

CMD8 SEND_IF_COND +

CMD9 SEND_CSD +

CMD10 SEND_CID +

CMD11 VOLTAGE_SWITCH +

CMD12 STOP_TRANSMISSION +

CMD13 SEND_STATUS +

CMD15 GO_INACTIVE_STATE +

CMD16 SET_BLOCKLEN +

CMD17 READ_SINGLE_BLOCK +

CMD18 READ_MULTIPLE_BLOCK +

CMD19 READ_MULTIPLE_BLOCK +

CMD20 SPEED_CLASS_CONTROL + SDHC/SDXC의 경우

CMD23 SET_BLOCK_COUNT + UHS104의 경우(CMD23은 지원 안 함)

CMD24 WRITE_BLOCK +

CMD25 WRITE_MULTIPLE_BLOCK +

CMD27 PROGRAM_CSD +

CMD28 SET_WRITE_PROT - 내부 쓰기 보호는 구현되지 않았습니다.

CMD29 CLR_WRITE_PROT - 내부 쓰기 보호는 구현되지 않았습니다.

CMD30 SEND_WRITE_PROT - 내부 쓰기 보호는 구현되지 않았습니다.

CMD32 ERASE_WR_BLK_START +

CMD33 ERASE_WR_BLK_END +

CMD38 지우기 +

CMD42 LOCK_UNLOCK +

CMD55 APP_CMD +

CMD56 GEN_CMD - 이 명령은 지정되지 않았습니다

ACMD6 SET_BUS_WIDTH +

ACMD13 SD_STATUS +

ACMD22 SEND_NUM_WR_BLOCKS +

ACMD23 SET_WR_BLK_ERASE_COUNT +

ACMD41 SD_APP_OP_COND +

ACMD42 SET_CLR_CARD_DETECT +

ACMD51 SEND_SCR +

ACMD18 SECURE_READ_MULTI_BLOCK +

ACMD25 SECURE_WRITE_MULTI_BLOCK +

ACMD26 SECURE_WRITE_MKB +

ACMD38 SECURE_ERASE +

ACMD43 GET_MKB +

ACMD44 GET_MID +

ACMD45 SET_CER_RN1 +

ACMD46 SET_CER_RN2 +

ACMD47 SET_CER_RES2 +

ACMD48 SET_CER_RES1 +

ACMD49 CHANGE_SECURE_AREA + CMD28, 29 및 CMD30은 옵션 명령입니다.

CMD4는 DSR 레지스터 때문에 구현 안 됨(레지스터 옵션)

CMD56은 공급업체별 명령을 위한 것입니다. 표준 카드에는 정의되어 있지 않습니다.

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6.2.2. SPI 버스 모드 프로토콜

SPI 버스는 2채널의 1비트 데이터 라인을 허용합니다(데이터 인과 데이터 아웃)

SPI 호환 모드는 MMC 호스트 시스템이 거의 변경 없이 SD 카드를 사용하도록

지원합니다.

SPI 버스 모드 프로토콜은 바이트 전송됩니다.

모든 데이터 토큰은 바이트(8비트)의 배수이며 CS 신호에 항상 바이트를

일치시킵니다.

SPI 모드의 이점은 호스트 설계에 드는 노력이 줄어드는 것입니다.

특히, MMC 호스트는 거의 변경 없이 수정할 수 있습니다.

SPI 모드의 단점은 SD 모드와 비교해 성능이 떨어진다는 점입니다.

주의: SD 카드 사양을 사용하십시오. MMC 사양은 사용하지 마십시오.

예를 들어, 초기화는 ACMD41로 달성되며, 레지스터에 유의하십시오.

특히 CSD 레지스터는 MMC 사양과 비교해 레지스터 정의가 다릅니다.

CS: 카드 선택 신호

CLK: 호스트 카드 클럭 신호

데이터 인: 호스트에서 카드 데이터 라인

데이터 아웃: 카드에서 호스트 데이터 라인

VDD: 전원 공급 장치

VSS: GND

그림 3: microSD 카드(SPI 모드) 연결도

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표 4: SPI 모드 명령 세트 (+: 구현됨, -: 구현 안 됨)

CMD 인덱스 약어 구현 참고

CMD0 GO_IDLE_STATE +

CMD1 SEND_OP_CND + 알림: 사용하지 마십시오(그림 6 및 9.2 참조)

CMD6 SWITCH_FUNC +

CMD8 SEND_IF_COND +

CMD9 SEND_CSD +

CMD10 SEND_CID +

CMD12 STOP_TRANSMISSION +

CMD13 SEND_STATUS +

CMD16 SET_BLOCKLEN +

CMD17 READ_SINGLE_BLOCK +

CMD18 READ_MULTIPLE_BLOCK +

CMD24 WRITE_BLOCK +

CMD25 WRITE_MULTIPLE_BLOCK +

CMD27 PROGRAM_CSD +

CMD28 SET_WRITE_PROT - 내부 쓰기 보호는 구현되지 않았습니다.

CMD29 CLR_WRITE_PROT - 내부 쓰기 보호는 구현되지 않았습니다.

CMD30 SEND_WRITE_PROT - 내부 쓰기 보호는 구현되지 않았습니다.

CMD32 ERASE_WR_BLK_START_ADDR +

CMD33 ERASE_WR_BLK_END_ADDR +

CMD38 지우기 +

CMD42 LOCK_UNLOCK +

CMD55 APP_CMD +

CMD56 GEN_CMD - 이 명령은 지정되지 않았습니다

CMD58 READ_OCR +

CMD59 CRC_ON_OFF +

ACMD6 SET_BUS_WIDTH +

ACMD13 SD_STATUS +

ACMD22 SEND_NUM_WR_BLOCKS +

ACMD23 SET_WR_BLK_ERASE_COUNT +

ACMD41 SD_APP_OP_COND +

ACMD42 SET_CLR_CARD_DETECT +

ACMD51 SEND_SCR +

ACMD18 SECURE_READ_MULTI_BLOCK +

ACMD25 SECURE_WRITE_MULTI_BLOCK +

ACMD26 SECURE_WRITE_MKB +

ACMD38 SECURE_ERASE +

ACMD43 GET_MKB +

ACMD44 GET_MID +

ACMD45 SET_CER_RN1 +

ACMD46 SET_CER_RN2 +

ACMD47 SET_CER_RES2 +

ACMD48 SET_CER_RES1 +

ACMD49 CHANGE_SECURE_AREA +

CMD28, 29 및 CMD30은 옵션 명령입니다.

CMD56은 공급업체별 명령을 위한 것입니다. 표준 카드에는 정의되어 있지 않습니다.

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6.3. microSD 카드 시작

그림 4-1은 UHS-I 호스트의 초기화 흐름도를 나타내며 그림 4-2는 신호 전압 전환을

수행하는 명령 순서를 나타냅니다. 붉은색 그리고 노란색의 박스는 UHS-I 카드를

초기화하는 새 절차입니다.

그림 4-1: UHS-I 호스트 초기화 흐름도

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그림 4-2: 신호 전압 전환 순서 이후 ACMD41 타이밍

1) 전원 켜기:초기화를 위해 전압을 공급합니다.

호스트 시스템이 작동 전압을 카드에 공급합니다.

74회 이상의 더미 클럭 주기를 microSD 카드에 적용합니다.

2) 작동 모드 선택(SD 모드 또는 SPI 모드)

SPI 모드 작동의 경우, 호스트는 SD 카드 I/F의 핀 1개(CD/DAT3)를 "낮은" 레벨로

구동해야 합니다. 그런 뒤, CMD0을 발급합니다.

SD 모드 작동의 경우, 호스트는 SD 카드 I/F의 핀 1개(핀 1개의 풀업 레지스터는

일반적으로 "높음"까지 풀업)를 구동하거나 감지해야 합니다.

카드는 CMD0의 재발급 또는 아래 전원 켜기가 SD 모드 초기화 절차인 경우를

제외하고 선택된 작동 모드를 유지합니다.

3) 인터페이스 조건 명령 보내기(CMD8).

카드가 유휴 상태일 경우, 호스트는 ACMD41에 앞서 CMD8을 발급하게 됩니다.

인수에서 '공급 전압'을 호스트 공급 전압으로 설정하고 '확인 패턴'을 8비트 패턴으로

설정합니다.

공급 전압을 수락한 카드는 R7 응답을 반환합니다.

응답 시, 카드 에코가 인수의 전압 범위와 확인 패턴 세트 모두에게로 돌아갑니다.

카드가 호스트 공급 전압을 지원하지 않을 경우, 응답을 반환하지 않고 유휴 상태로

유지됩니다.

4) 초기화 명령 보내기(ACMD41).

신호 레벨이 3.3V일 경우, 호스트는 응답이 준비 상태가 될 때까지 반복해서 HCS=1

및 S18R=1과 함께 ACMD41을 발급합니다.

첫 번째 ACMD41의 인수(HCS 및 S18R)는 유효하지만 이후 모든 ACMD41은 동일한

인수로 발급되어야 합니다.

비트 31이 준비 상태가 되었을 경우, 호스트는 CCS와 S18A를 확인해야 합니다.

카드는 S18A=0을 나타내며, 이는 전압 전환이 지원되지 않고 호스트가 현재 신호

레벨을 사용해야 함을 의미합니다.

표 5: S18R 및 S18A 조합

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5) 전압 전환 명령 보내기(CMD11).

S18A=1은 전압 전환이 지원되고 호스트가 CMD11을 발급해 전압 전환 순서를

적용함을 의미합니다.

CMD11을 수신함으로써 카드는 R1 응답을 반환하고 전압 전환 순서를 시작합니다.

CMD11에 응답이 없으면 S18A가 0이고 호스트가 CMD11을 보내지 않았어야 했음을

의미합니다.

전압 전환 순서 완료는 높은 DAT 레벨[3:0]로 확인합니다.

DAT[3:0] 비트는 호스트 기능에 따라 확인할 수 있습니다.

전압 전환 순서가 성공적으로 완료되면 카드는 UHS-I 모드가 되고 카드 입력 및 출력

타이밍이 변경됩니다(SDR12 기본 설정).

6) ALL_SEND_CID 명령(CMD2) 보내기 및 카드 ID(CID) 받기.

7) SEND_RELATIVE_ADDR(CMD3) 보내기 및 RCA 받기.

RCA값은 액세스에 따라 임의 변경되며 0으로 설정할 수 없습니다.

8) SELECT / DESELECT_CARD 명령(CMD7)을 보내기 및 전송 상태로 이동.

전송 상태에 들어갔을 때, R1 응답의 CARD_IS_LOCKED 상태를 확인해야

합니다(CMD7의 응답에 나타남).

CARD_IS_LOCKED 상태가 CMD7 응답에서 1로 설정된 경우, 카드를 잠금 해제하기

위해 ACMD6에 앞서 CMD42가 필요합니다.

(카드가 잠금 상태인 경우, 카드를 잠금 해제하기 위해 CMD42가 필요합니다.)

카드가 잠금 해제된 경우, CMD42는 건너뛸 수 있습니다.

9) SET_BUS_WIDTH 명령(ACMD6) 보내기.

UHS-I는 4비트 모드만 지원합니다. 호스트는 ACMD6에 따라 4비트 모드를 선택하게

됩니다.

카드가 잠금 상태인 경우, 호스트는 1비트 모드의 CMD42에 따라 카드를 잠금

해제하고 그런 다음 변경을 위해 ACMD6을 발급해야 합니다.

4비트 버스 모드. 1비트 모드의 작동을 보장하지 않습니다.

10) 드라이버 강도 설정.

CMD6 모드 0은 어떤 기능을 카드가 지원하는지 질의하고 선택된 기능 사용 시

카드의 최대 전류 소비량을 식별하는 데 사용됩니다.

UHS-I 카드의 경우, CMD6 기능 그룹 3에서 대략적인 드라이버 강도(기본값은 타입 B

버퍼)를 선택합니다.

11) UHS-I 모드 전류 한도 설정.

UHS-I 모드(버스 고속 모드)는 CMD6 기능 그룹 1을 통해 선택됩니다.

전류 한도는 CMD6 기능 그룹 4를 통해 선택됩니다.

최대 액세스 설정:

SDR50 = (CMD6 기능 그룹 1 = 2-h, CMD6 기능 그룹 4 = 1-h)

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참고:

기능 그룹 4는 SDR50의 전류 한도 전환으로 정의됩니다.

전류 한도는 SDR12 및 SDR25의 카드에서 실행되지 않습니다.

전류 한도의 기본값은 200mA(최소 설정)입니다.

기능 그룹 1에 따라 SDR50 모드를 선택한 후, 호스트는 전류 한도를 변경해 보다

뛰어난 성능으로 카드가 작동되도록 지원합니다.

이 값은 카드에 대한 호스트 전원 공급 기능, 호스트를 통해 선택된 열 방출 방법 및

최대 커넥터 전류로 결정됩니다.

12) 샘플링 지점 조정

CMD19는 조정 블록을 호스트로 보내 샘플링 지점을 결정합니다.

SDR50 및 SDR104 모드에서 샘플링 지점 조정이 필요할 경우, 조정이 완료될 때까지

CMD19가 반복적으로 발급됩니다.

그 뒤, 호스트는 저장 장치로서 SD 카드 간의 데이터에 액세스할 수 있습니다.

6.4. microSD 카드 전기 특성

그림 5: microSD 카드 연결도

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6.4.1 DC 특성

표 6-1: DC 특성(고압 범위의 임계값 수준)

항목 기호 조건 최소 유형 최대 단위 참고

공급 전압 VDD - 2.7 - 3.6 V

입력

전압

높은 레벨 VIH - VDD*0.625 - - V

낮은 레벨 VIL - - - VDD*0.25 V

출력

전압

높은 레벨 VOH IOH = -2mA VDD*0.75 - - V

낮은 레벨 VOL IOL = 2mA - - VDD*0.125 V

가동 시작 시간 - - - 250 ms 0V ~ VDD min

*) 최대 전류: 10 usec 기간 동안의 RMS 값

표 6-2: 최대 전압 및 누설 전류

매개변수 기호 최소 최대 단위 참고

전체 라인의 최대 전압 -0.3 VDD+0.3 V

모든 입력

입력 누설 전류 -10 10 uA

전체 출력

출력 누설 전류 -10 10 uA

표 6-3: DC 특성(1.8V 신호의 임계값 수준)

항목 기호 최소 최대 단위 조건

공급 전압 VDD 2.7 3.6 V

조정기 전압 VDDIO 1.7 1.95 V VDD에서 생성

입력 전압 높은 레벨 VIH 1.27 2.00 V

낮은 레벨 VIL VSS-0.3 0.58 V

출력 전압 높은 레벨 VOH 1.4 - V

낮은 레벨 VOL - 0.45 V

표 6-4: 1.8V 신호의 입력 누설 전류

매개변수 기호 최소 최대 단위 참고

입력 누설 전류 -2 2 uA DAT3 풀업이 연결 해제됨

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표 6-5: 소비 전력

항목 기호 조건 최소 유형 최대 단위 참고

대기 전류 ICCS 3.0V 클럭 중단 - - 950 uA @

25°C

작동 전류(최대) ICCOP1

*1)

전류 한도=400mA

VDD=3.6V

- - 300

mA @

25°C 전류 한도=200mA

VDD=3.6V

- - 300

(HS 또는 DS)

VDD=3.6V

- - 300

작동 전류(평균) ICCOP2

*2)

전류 한도=400mA

VDD=3.6V

- - 250

mA @

25°C

전류 한도=200mA

VDD=3.6V

- - 200

(SDR25 또는 HS)

VDD=3.6V

- - 200

(SDR12.5 또는 DS)

VDD=3.6V

- - 100

*1) 최대 전류: 10usec 기간 동안의 RMS 값

*2) 평균 전류: 1초 동안의 값

표 6-6: 신호 전기 용량

총 버스 전기 용량 = CHOST + CBUS + N*CCard

항목 기호 최소 최대 단위 참고

풀업 저항 RCMD RDAT

10 100 K Ohm

각 신호 라인의 총 버스 전기 용량 CL - 40 pF 카드 1개

CHOST+CBUS는 30pF

초과 안 함

각 신호 핀의 카드 전기 용량 CCARD - 10 pF

최대 신호 라인 인덕턴스 - 16 nH

풀업 저항 내부 카드(핀 1개) RDAT3 10 90 K Ohm 카드 감지에

사용 가능

전원 라인에 연결된 용량 CC - 5 uF 돌입 전류 방지

목적

참고: WP 풀업(Rwp) 값은 호스트 인터페이스 드라이브 회로에 따라 다릅니다.

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6.4.2 AC 특성(기본)

그림 6-1: AC 타이밍 다이어그램(기본)

표 7-1: AC 특성(기본)

항목 기호 최소 최대 단위 참고

클럭 주파수

(모든 상태) fSTP 0 25 MHz

CCARD ≤ 10pF

(카드 1개)

클럭 주파수

(데이터 전송 모드) fPP 0 25 MHz

클럭 주파수

(카드 식별 모드) fOD 0/100(*1) 400 KHz

클럭 감소 시간 tWL 10 - ns

클럭 증가 시간 tWH 10 - ns

클럭 상승 시간 tTLH - 10 ns

클럭 하강 시간 tTHL - 10 ns

입력 설정 시간 tISU 5 - ns

입력 중지 시간 tIH 5 - ns

출력 지연 시간

(데이터 전송 모드) tODLY 0 14 ns

CL ≤ 40pF

(카드 1개) 출력 지연 시간

(식별 모드) tODLY 0 50 ns

(*1) 0Hz는 클럭 중단을 의미합니다. 주어진 최소 주파수 범위는 지속적인 클럭이 필요한

경우를 위한 것입니다.

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6.4.3 AC 특성(고속)

그림 6-2: AC 타이밍 다이어그램(고속)

표 7-2: AC 특성(고속)

항목 기호 최소 최대 단위 참고

클럭 주파수

(데이터 전송 모드) fPP 0 50 MHz CCARD ≤ 10pF(카드 1개)

클럭 감소 시간 tWL 7 - ns CCARD ≤ 10pF(카드 1개)

클럭 증가 시간 tWH 7 - ns CCARD ≤ 10pF(카드 1개)

클럭 상승 시간 tTLH - 3 ns CCARD ≤ 10pF(카드 1개)

클럭 하강 시간 tTHL - 3 ns CCARD ≤ 10pF(카드 1개)

입력 설정 시간 tISU 6 - ns CCARD ≤ 10pF(카드 1개)

입력 중지 시간 tIH 2 - ns CCARD ≤ 10pF(카드 1개)

출력 지연 시간

(데이터 전송 모드) tODLY - 14 ns CCARD ≤ 10pF(카드 1개)

출력 중지 시간 TOH 2.5 - ns CCARD ≤ 10pF(카드 1개)

총 시스템 전기 용량 CL - 40 pF CCARD ≤ 10pF(카드 1개)

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6.4.4 AC 특성(SDR12, SDR25, SDR50 및 SDR104 모드)

그림 6-3: AC 타이밍 다이어그램(SDR12, SDR25, SDR50 및 SDR104 모드 입력)

표 7-3: AC 특성(SDR12, SDR25, SDR50 및 SDR104 모드 입력)

기호 최소 최대 단위 설명

tCLK 4.80 - ns 208MHz(최대), 상승 모서리 간, VCT=0.975V

tCR, tCF - 0.2*tCLK ns tCR, tCF < 2.00ns(최대)(100MHz), CCARD = 10pF

클럭 듀티 30 70 %

7. 카드 내부 정보

7.1. 보안 정보

MKB(미디어 키 블록) 및 미디어 ID는 Kingston 표준 정보입니다. 이러한 정보는 CPRM과

함께 호환 가능합니다.

참고: 보안 정보는 평가를 위한 개발 정보가 아닙니다. 호스트 시스템은 CPRM과 호환되어

보안 기능을 사용하게 됩니다.

이 정보는 보안상의 이유로 기밀로 유지됩니다.

7.2. SD 카드 레지스터

장치는 6개의 레지스터인 OCR, CID, CSD, RCA, DSR, SCR과 카드 상태, 카드 상태와

동일한 SD 상태라는 2개의 상태 정보를 가집니다. 이 카드에서는 DSR이 지원되지 않습니다.

두 가지 레지스터 그룹이 있습니다.

MMC 호환 레지스터: OCR, CID, CSD, RCA, DSR 및 SCR SD 카드별: SD 상태 및 카드 상태

표 8: SD 카드 레지스터

레지스터 이름 비트 너비(비트) 설명

CID 128 카드 식별

RCA 16 상대 카드 주소

DSR 16 드라이버 단계 레지스터

CSD 128 카드별 데이터

SCR 64 SD 구성 레지스터

OCR 32 운영 조건 레지스터

SSR 512 SD 상태

CSR 32 카드 상태 레지스터

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7.2.1 OCR 레지스터 이러한 32비트 레지스터는 전원 공급 장치의 작동 전압 범위와 상태 비트를 설명합니다.

표 9: OCR 레지스터 정의

OCR 비트

위치 OCR 필드 정의

응답 값

64GB

0-3

VD

D 전압

예약됨 0

4-6 예약됨 0

7 저전압 범위용으로 예약됨 0

8-14 예약됨 0

15 2.8 ~ 2.7 1

16 2.9 ~ 2.8 1

17 3.0 ~ 2.9 1

18 3.1 ~ 3.0 1

19 3.2 ~ 3.1 1

20 3.3 ~ 3.2 1

21 3.4 ~ 3.3 1

22 3.5 ~ 3.4 1

23 3.6 ~ 3.5 1

241 1.8V로 전환 허용됨(S18A) 1

25-29 예약됨 0

30 카드 용량 상태(CCS)2 1

31 카드 작동 시작 상태 비트(사용 중)3 “0” = 사용 중

“1” = 준비 (1) 비트24: UHS-I 카드만 이 비트를 지원합니다.

(2) 비트30: 이 비트는 카드 작동 시작 상태 비트를 설정했을 경우에만 유효합니다.

(3) 비트31: 이 비트는 카드가 작동 시작 루틴을 완료하지 않았을 경우 낮음으로 설정됩니다.

비트 23-4: SD 카드 전압 설명

비트 31은 카드 작동 시작 상태를 나타냅니다. 전원이 켜지고 초기화 절차가 완료되었을 때 값 "1"이

설정됩니다.

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7.2.2 CID 레지스터

CID(카드 식별) 레지스터는 128비트 너비입니다. 여기에는 카드 식별 정보가 포함되어

있습니다. CID 레지스터의 값은 공급업체마다 다릅니다.

표 10: CID 레지스터

이름 필드 너비 CID-

슬라이스 최초값

64GB

제조업체 ID MID 8 [127:120] 41h

OEM/응용 프로그램

ID

OID 16 [119:104] 3432h

제품명 PNM 40 [103:64] SDCIT

제품 수정 PRV 8 [63:56] 30h

제품 일련 번호 PSN 32 [55:24] PSNA

예약됨 -- 4 [23:20] --

제조날짜 MDT 12 [19:8] MDTB

CRC7 체크섬 CRC 7 [7:1] CRCC

사용 안 함, 항상 1 - 1 [0:0] 1

(A), (B): 개별 SD 카드 생산 시 변경됩니다.

(C) CID 레지스터의 최종 합

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7.2.3 CSD 레지스터

CSD는 128비트 너비의 정보를 제공하는 카드별 데이터 레지스터입니다.

표 11: CSD 레지스터

이름 필드 너비 셀 유형 CSD-

슬라이스 최초값

64GB CSD 구조 CSD_STRUCTURE 2 R [127:126] 0x01

예약됨 - 6 R [125:120] 0x00

데이터 읽기 액세스 시간-1 TAAC 8 R [119:112] 0x0E

데이터 읽기 액세스 시간-

2(CLK 주기)(NSAC*100) NSAC 8 R [111:104] 0x00

최대 데이터 전송률 TRAN_SPEED 8 R [103:96] 0x5A

카드 명령 등급 CCC 12 R [95:84] 0x5B5

최대 읽기 데이터 블록 길이 READ_BL_LEN 4 R [83:80] 0x09

읽기 허용된 부분 블록 READ_BL_PARTIAL 1 R [79:79] 0x00

쓰기 블록 정렬 불량 WRITE_BLK_MISALIGN 1 R [78:78] 0x00

읽기 블록 정렬 불량 READ_BLK_MISALIGN 1 R [77:77] 0x00

DSR 구현 안 됨 DSR_IMP 1 R [76:76] 0x00

예약됨 - 6 R [75:70] 0x00

장치 크기 C_SIZE 22 R [69:48] 0x01D27F

예약됨 - 1 R [47:47] 0x00

단일 블록 지우기 활성화 ERASE_BLK_EN 1 R [46:46] 0x01

섹터 크기 지우기 SECTOR_SIZE 7 R [45:39] 0x7F

쓰기 보호 그룹 크기 WP_GRP_SIZE 7 R [38:32] 0x00

쓰기 보호 그룹 활성화 WP_GRP_ENABLE 1 R [31:31] 0x00

예약됨(사용 안 함) - 2 R [30:29] 0x00

쓰기 속도 계수 R2W_FACTOR 3 R [28:26] 0x02

최대 쓰기 데이터 블록 길이 WRITE_BL_LEN 4 R [25:22] 0x09

쓰기 허용된 부분 블록 WRITE_BL_LEN 1 R [21:21] 0x00

예약됨 - 5 R [20:16] 0x00

파일 형식 그룹 FILE_FORMAT_GRP 1 R [15:15] 0x00

플래그 복사 복사 1 R/W(1)

[14:14] 0x00

영구 쓰기 보호 PERM_WRITE_PROTECT 1 R/W(1)

[13:13] 0x00

임시 쓰기 보호 TMP_WRITE_PROTECT 1 R/W [12:12] 0x00

파일 형식 FILE_FORMAT 2 R [11:10] 0x00

예약됨 - 2 R [9:8] 0x00

CRC CRC 7 R/W [7:1] CRC

사용 안 함, 항상 "1" - 1 - [0:0] 0x01

셀 유형: R: 읽기 전용, R/W: 읽기 및 쓰기 가능, R/W(1): 일회성 쓰기 가능 / 읽기 가능

참고: 이 카드에서는 데이터 블록 지우기가 허용되지 않습니다. 이 정보는 “ERASE_BLK_EN”으로 표시됩니다. 호스트 시스템은 한 데이터

블록 크기가 지워지기 전 이 값을 나타내야 합니다.

7.2.4 RCA 레지스터 쓰기 가능 16비트 상대 카드 주소 레지스터는 SD 카드 모드에서 카드 주소를 나릅니다.

7.2.5 DSR 레지스터 이 레지스터는 지원되지 않습니다.

7.2.6 SCR 레지스터 SCR(SD 카드 구성 레지스터)은 SD 메모리 카드의 특수 기능에 있는 정보를 제공합니다.

SCR 레지스터의 크기는 64비트입니다.

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표 12: SCR 레지스터

설명 필드 너비 셀

유형

SCR

슬라이스

64GB SCR 구조 SCR_STRUCTURE 4 R [63:60] 0x00

SD 메모리 카드 사양 버전 SD_SPEC 4 R [59:56] 0x02

삭제 후 데이터 상태 DATA_STAT_AFTER_ERASE 1 R [55:55] 0x00

CPRM 보안 지원 SD_SECURITY 3 R [54:52] 0x04

DAT 버스 너비 지원 SD_BUS_WIDTHS 4 R [51:48] 0x05

사양 버전 3.00 이상 SD_SPEC3 1 R [47:47] 0x01

확장된 보안 지원 EX_SECURITY 4 R [46:43] 0x00

사양 버전 4.00 이상 SD_SPEC4 1 R [42:42] 0x00

예약됨 - 6 R [41:36] 0x00

명령 지원 비트 CMD_SUPPORT 4 R [35:32] 0x03

제조업체 사용을 위해 예약됨 - 32 R [31:0] 0x01 0x00 0x00 0x00

7.2.7 카드 상태

표 13: 카드 상태

필드 너비 SCR

슬라이스 유형

64GB OUT_OF_RANGE 1 [31:31] E R X 0

ADDRESS_ERROR 1 [30:30] E R X 0

BLOCK_LEN_ERROR 1 [29:29] E R X 0

ERASE_SEQ_ERROR 1 [28:28] E R 0

ERASE_PARAM_ERROR 1 [27:27] E R X 0

WP_VIOLATION:보호됨 1 [26:26] E R X 0

CARD_IS_LOCKED 1 [25:25] S X 0

LOCK_UNLOCK_FAIL 1 [24:24] E R X 0

COM_ECC_ERROR 1 [23:23] E R 0

ILLEGAL_COMMAND 1 [22:22] E R 0

CARD_ECC_FAILED 1 [21:21] E R X 0

CC_ERROR 1 [20:20] E R X 0

일반 또는 미확인 오류 1 [19:19] E R X 0

예약됨 1 [18:18] - 0

예약됨 1 [17:17] - 0

CSD_OVERWRITE 1 [16:16] E R X 0

WP_ERASE_SKIP:보호됨 1 [15:15] E R X 0

CARD_ECC_DISABLED 1 [14:14] S X 0

ERASE_RESET 1 [13:13] S R 0

CURRENT_STATE 4 [12:9] S X 4

READY_FOR_DATA 1 [8:8] S X 1

예약됨 1 [7:7] - 0

FX_EVENT 1 [6:6] S X 0

APP_CMD 1 [5:5] S 0

예약됨 1 [4:4] R 0

AKE_SEQ_ERROR 1 [3:3] E R 0

예약됨 1 [2:2] - 0

예약됨 1 [1:1] - 0

예약됨 1 [0:0] - 0

E: 오류 비트, S: 상태 비트, R: 실제 명령 응답을 위해 감지 및 설정됨.

X: 명령 실행 중 감지 및 설정됨.

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부록: microSD 카드 기계 크기(단위: mm)