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Date: 3/02/2005 Created by : Allen Cai / Liang Liwan PCB Layout

PCB Layout Guide - edatop.com · 2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 2 目录 lSpreadtrum solution的特点 lPCB STACK lPlacement lLayout

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Date: 3/02/2005

Created by : Allen Cai / Liang Liwan

PCB Layout Guide

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 2

目录

l Spreadtrum solution的特点

l PCB STACK

l Placement

l Layout

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 3

Spreadtrum solution

RF Part

MTDOMTDI

MTCKMTMS

MTRST_N

U0TXDU0RXD

U0DTRNU0RTSNU0DSRNU0CTSN

U1TXDU1RXD

SDASCL

KEYOUT [5:0]KEYIN [4:0]

MCLKI

AFCOUT

MICPMICN

EARPEARN

AUXMICPAUXMICN

AUXSPPAUXSPN

TX/RX IPTX/RX INTX/RX QPTX/RX QN

RFCTL [15:0]

RFSDARFSCKRFSEN

PAGSM

ADCI [4:0]DAC

LDO1LDO2

VBAT

ARM7TDMI

EMA [24:0]EMD [15:0]

EMBL_NEMBH_NEMOE_NEMWE_N

EMCS_N [7:0]

Ext. MemInterface

CLK32ICLK32O

SystemControl

RST_N

XTLEN

PBINT

SIMInterface

UART 0

UART 1

SI

Keypad

RTC

PWMAPWMB PWM

A/D D/A

JTAG

Clock& PLL

RF Control

PA Control

BasebandCodec

Voice BandCodec

Power/Charger

Management

X/YRAM

ProgRAM

ProgROM

RAM

ROM

X ROM

InterruptControl

EncryptionEnagine

ChannelCodec

ViterbiEqualizer

InterruptControl

SharedRAM

Test/DebugInterface

AVDDVDDCORE

VDDPLL

Ext. MemInterface

SystemTiming

SSRST

SSCLKSSDRSSDXDAI

SIMCLKSIMDASIMPE

SIMRST

VDDIO

TeakLiteX-Port

andY-Port

P-Port

Z-Port

Vdrv

U2TXDU2RXD UART 2

DMA

GEA

Timer

SSMD0SSMD1

Charge

Li-ionbattery

32kcrystal

1 2 3

4 5 6

7 8 9

* 0 #

Download & Tuning

SIM card

MCP

BackupBattery

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 4

Spreadtrum solution的特点

最大的特点:集成度高,集成了ABB,DBB和PMU

给Layout 带来:

“217Hz”noise 问题;

电源,数字和 模拟部分的相互干扰问题;

更复杂的EMI/EMC问题;

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 5

PCB STACK一个典型的8层板结构(H=1mm)

File Name Description Material Thickness Ersm001.pho Top Solder Mask Resist Ink 15

Plating Cu 22art001.pho Layer1 0.075/Cu RCC Copper 12

Dielectric 0.075/Cu RCC Resin 65 3.3±0.2 @1GHzPlating Cu 20

art002.pho Layer2 1/2OZ Cu 17Dielectric FR-4 130 4.1±0.3 @1GHz

art003.pho Layer3 1/2OZ Cu 17Dielectric CORE FR-4 100 4.2±0.2 @1GHz

art004.pho Layer4 1/2OZ Cu 17Dielectric FR-4 185 4.3±0.3 @1GHz

art005.pho Layer5 1/2OZ Cu 17Dielectric CORE FR-4 100 4.2±0.2 @1GHz

art006.pho Layer6 1/2OZ Cu 17Dielectric FR-4 130 4.1±0.3 @1GHz

art007.pho Layer7 1/2OZ Cu 17Plating Cu 20Dielectric 0.075/Cu RCC Resin 65 3.3±0.2 @1GHz

art008.pho Layer8 0.075/Cu RCC Copper 12Plating Cu 22

sm008.pho Bottom Solder Mask Resist Ink 15Total 1015

Note: 1OZ=1.4mil=35μm

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 6

PCB STACK:规则

l 走线WIDTH/SPACE 为4mil/4mill Copper与Trace、Via、Pad、Board Line等的距离应大于8mil以上

l 同一NET上的两个VIA的距离为0,不允许出现外环重叠的情况,最坏情况为边缘相切。

l 过孔的类型有1-2、2-7、7-8、1-8四种,其中1-2、7-8的标准为12/4mil , 2-7 的为 19/8mil , 1-8 的 VIA 根据需要确定,一般为20/10mil,根据板厂的能力设置。

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 7

PCB STACK: Impedance Control

+/-5Ω50Ω4milStriplineLayer4 & Layer6Layer5

+/-5Ω50Ω21milMicrostripLayer4Layer1

ToleranceCharacteristic Impedance

WidthTypeReference Ground

L1: Component;

L2/L3/: trace;

L4: GND;

L5: RF/Audio trace;

L6: power;

L7: keypad trace;

L8: Keypad;

布线规划

RF 阻抗控制

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 8

PLACEMENT

一个典型Placement:

l RF 同BB相对隔开;

l Digital同analogy隔开

l Audio同RF/ Digital隔开

l PA电流通路

l 电源布局l 相同性质/电路相关

部分相对集中

tranceiver

PA

Flash

BB

audio

Bat terC

Analogy BB

Antenna

Placement 原则:

l 器件集中/隔离原则

l 保持不同部分信号的回路的通畅和相对独立

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 9

Placement:规则

1 RF部分:布局保证RF走线尽量短,而且不要有交叉;大功率线(PA输出和从开关到天线的连线)优先级更高;

2 总线考虑flash(MCP)同BB,以及其他总线设备的相对位置尽量按推荐的,保证BB到flash(MCP)的走线最顺畅;

3 电源(LDO)考虑电源和LDO输出线上的电容尽量靠近相应的管腿;

4 EMI/ESDFPC的EMI尽量靠近connector;ESD器件要就近摆放

5 BB 周围器件(特别是模拟部分)要严格按照参考设计

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 10

l 元器件与元器件外框边缘的距离大于10mil,一般最少为12mil,元器件距板边的距离至少12mil以上,结构定位器件除外

l 芯片电源的滤波电容必须放在芯片 PIN 旁边,比如 AVDDVBO 、AVDDVB 、 AVDDBB 、 AVDDAUX 、 AVDD36 、 VBAT 、 VDRAM 、VDDIO、VMEM、DVDD3V、VDD、VLCD等等。

l RF部分的器件摆放请参考提供的参考设计。尤其注意滤波器、开关、隔离器等器件的位置。将收发电路功能块电路分开,并采用屏蔽盖屏蔽。

l 晶振必须放在离芯片最近的地方,但不要放在靠近板边的地方,包括13M、32.768K。

l 基带处理芯片及外部MEMORY尽量靠近,并采用屏蔽盖屏蔽。

l 屏蔽盖的焊接线的宽度视屏蔽盖厚度而定,但至少25mil,元器件距离屏蔽盖的焊接线距离至少12mil,同时要考虑器件的高度是否超出屏蔽盖。

l 升压电路,音频电路、FPC远离天线

l 充电电路远离RF、Audio以及其它敏感电路。

l AUDIO部分滤波电路的输入输出级应该相互隔离,不能有耦合

Placement:更多的详细规则

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 11

Layout:原则

Layout 基本原则:

l 同样性质的线尽量压缩;l 不同性质的线之间尽量用GND+VIA隔开;l 保证信号回路的相对独立;l 保证地的完整性,每个GND PIN需要可靠连接到主GND平面(L4);l 敏感线的包GND和隔离处理;l EMI/ESD考虑;

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 12

Layout:RF Partl 可靠的接地,PA电流可靠的回

流路径;

l 充足的GND VIA,特别是PA和switchplexer下面;

l 注意阻抗控制线,铺GND时用12mil clearance;

l 避免PA的输入和输出之间,开关的输入和输出之间的耦合;

l Transceiver下面在表层不要有线;

l 为减小寄生电容,挖GND处理:天线的PAD下面全部挖空,表层RF线和PAD下面,以L4为参考GND;

l Vramp/AFC/IQ线/clk线避免被其他信号干扰或干扰别人;

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 13

Layout: BB处理

模拟部分外围走线要紧凑,避免交叉和干扰(特别注意VRBG,

AVDDAUX,AVDDBB,AVDDVB,AVDDVBO);

保证模拟部分有一个相对干净的GND(L3);不同模拟GND要单点接地处理;

避免数字部分的线对模拟的干扰;

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 14

Layout:总线处理

JEPG IC

FlashBB

尽量压缩;

从BB先到

Flash(SRAM).

再到其他总线设备;

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 15

Layout: VBAT处理

l 星型走线:不同的分支到PA,到BBchip ,到Audio PA等;

l 根据流经的电流大小来控制不同分支的宽度和打孔数量;

l VBAT线需要避开其他线,特别是audio线;

l BB内部的LDO分别给RF,digital, analogy供电;相应的VBAT也要用不同分支来供电;

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 16

Layout: audio处理

Audio的线(特别是MIC的线)一定要同其他的线充分隔离,保证上下层都

是比较完整的GND,整个用GND包起来; 滤波前后的线不能相互之间有耦

合;audio PA的输出功率较大,注意线宽;

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 17

Layout: ESD考虑l 让元器件离板边保持一定的距离;l 敏感线(reset,PBINT)走板内层和不要太靠近板边;l 可能的话,PCB四周保留一圈露铜的地线,四周足够多的GND孔;l ESD器件接地良好,直接(通过VIA)连接到地平面;l 受保护的信号线保证先通过到ESD器件,路径尽量短;

侧健ESD保护电路

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 18

Layout: EMI考虑

l 尽量把高速信号线(13M时钟线等),电源线等易产生辐射和干扰的线走在板中间层,用地平面隔开和保护;对于音频、RST、RF-RAMP信号等敏感信号,容易被干扰而影响性能尽量用地隔开和保护;

l 解耦电容必须尽量靠近相应的器件,走线先到电容,来保证解耦的有效性;RF、digital、audio电路之间注意隔离和保护;

l 尽量把线走到板内层,把器件放在屏蔽罩内,避免不必要的辐射;

给FPC用的EMI filter

2005年7月29日 Proprietary and Confidential Information 19

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