Resistencia Dinámica y Estática Del Diodo

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  • 7/25/2019 Resistencia Dinmica y Esttica Del Diodo

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    RES IS TENCI A DIN MIC A Y E ST TIC A D EL DIODO

    La ecuacin del diodo es:

    A P ROXIM A CIN LIN E A L DE L A CU R V A C A R A C TERS TIC A S D E UNDIODO SEMICONDUCTOR

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    OTROS CIRC U ITOS EQUIV A LENTES M A S A P ROXIM A DOS D E L DIODO

    RE AL

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    C AP ACI D ADES I NTERN AS E N EL DIODO SEMICONDUCTOR

    DEFINICI N: Es aquella cuyo origen es el cambio que se produce en la

    carga espacial en la zona de deflexin debido a cambios en el voltajeaplicado al

    diodo

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    P a ra e l ca lc ulo e ! e "r#a $o% &r # $ e r a $ e " ! e c o$o c o"#c #o" e %

    #"#c #ale % l o % #'u#e "!e:

    Tomamoscomo referenciael punto:

    Lue'o

    X=0

    y de la ecuacin de Poisson tenemos que:

    e= Permitividad elctrica del medio

    e donde

    onde !" y !# son constantes

    $

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    !plicando las condiciones in%ciales sucesivamente& se tiene que la diferencia

    de potencial en la regin de transmisin ser':

    La expresin (#)*"+ derivamos respecto a , o sea:

    -abemos que:

    La expresin (#)*.+ la derivamos con respecto a , o sea

    e donde:

    -ustituyendo en la expresin (#)*#+ tenemos :

    e la expresin (#)*/+ tenemos:

    -abemos que:

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    -ustituyendo (#)*0+ en la expresin (#)*1+ obtenemos finalmente que

    L a expresin (#)*2+ viene a ser la capacidad de transicin para una unin P 3

    4

    Para los casos en que:

    Estas expresiones (#)*5+ y (#)/6+ las 7emos obtenido analizando la ecuacin

    de general& o sea:

    onde v ext = tensin externa aplicada al diodo

    8 ext 9 o& diodo polarizado directamente

    8 ext o& diodo polarizado inversamente

    La se 7ace mas importante en los diodos que se polarizan inversamente )

    DIODO VARACTOR); -on los diodos de capacidad variable) -u capacidad

    varia con el voltaje aplicado (es en realidad la capacidad de transicin+

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    -on utilizados en circuito donde no se desea el paso de se

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    CURV AS DE V ARI ACION DE L A C AP ACID AD CON EL VOLT A6 E

    L A C A P A C I D A D DIF U SIO N : + /

    Es la capacidad producida por las cargas excedentarias que se acumulan a los

    costados de la zona de transicin) Estas cargas son definidas por una tensin

    externa aplicada al diodo)

    Es importante cuando se polariza directamente el diodo& matem'ticamente se

    expresar%a de la siguiente forma

    CDPCDN

    4E:

    se observar'n en la figura #)#.

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    F#' 0207

    Ppo

    po

    C L C U LO DE L A C A P A CID A D DE DIF U SIO N DE UN DIO DO P O L A RI8 A D O

    CON U N A TENSIO N E X TER N A +

    De la F#' 0207 !e"e$o%:

    > #)/#

    > #)/.

    onde )

    y

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    ?ntegrando las expresiones (#)/#+ y (#)/.+ obtenemos:

    y > #)/*

    y > #)//

    Las expresiones (#)/*+ y (#)//+ las derivamos con respecto a obteniendo

    !dem's

    !si:

    bservar que en las ecuaciones anteriores se est' definiendo t'citamente lo

    que significa

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    Las expresiones (#)06+ y (#)0+ las restituimos en las expresiones (#)/0+ y (#)/1+

    y obtenemos

    onde:

    ! dem's 7emos usado las definiciones de longitudes de difusin tanto de

    electrones como de 7uecos)

    ELDIODO COMO CONMUT ADOR

    TIE MPOS DE CONMUT ACI N

    "); @aso de @onmutacin de AA 3 4 (4o conduccin a conduccin+

    Es el intervalo de tiempo donde que la tensin vale el "6B y cuando la tensin

    alcanza a encontrarse en el rango del "6B de su valor final (AA 3 4+

    A?C #)#*

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    Estudiamos esta situacin teniendo el siguiente caso:

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    En la Aig #)#* se aplica a un diodo& un escaln de corriente) En el caso ideal& si

    el escaln es lo suficientemente grande (?A+ y r'pido& la tensin en el diodo es

    como la muestra en la A?C #)#/ b

    La Aig #)#/c resulta si se aplica un escaln de corriente peque

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    onde

    G" = tiempo de elevacin

    Gr = f (?A & t+ & Gr = tiempo de recuperacin en directo

    -i

    -i

    A L 9 U NOS RE S UL T A D OS DEL T R A NSITORIO DE CON M UT A CION DE

    OFF; A O N;

    Para el diodo del germanio del tipo " 4 0 5 / ! para distintas corrientes

    directas al tiempo de elevacin en la entrada es de 6)6. Hseg)

    El & en la mayor%a de los circuitos no representa totalmente un problema de

    consideracin

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    RA8ON DELSO(REPULSO: +OFF < ON/ +RESOLUCION EN FORMA

    CUANTITATIVA/

    Iusto en el momento de la conmutacin se presenta la siguiente distribucin deconcentraciones

    A?C#)#2

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    Genemos que

    difusin J ? arrastre

    En el instante de conmutacin:

    La ? difusin = 6

    e la ecuacin (#)00+ nos queda a7ora que:

    onde:

    Por otro lado& como 4po y Pno 4 la expresin (#).6+ puede

    aproximarse a lo siguiente:

    La tensin en el diodo en (t =t"+ ser'

    onde :

    !preciamos que es proporcional a esto quiere decir que cuando

    exista mayor existir' mayor y mayor (en consecuencia mayor +

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    espus de un tiempo grande (t=K+ ya existir' la corriente de difusin y cuando

    esto sucede se 7a demostrado que la corriente por el diodo viene dada por la

    siguiente expresin

    e donde:

    G

    !7ora si v" 9 v se presenta el sobreimpulso y si v" 9 v no se presenta el

    sobreimpulso)

    EPL?@!@?4 @M!L?G!G?8! EL -ECM4 @!- E @4NMG!@?4

    (4 3 AA+

    Giempo de recuperacin en inversin del diodo (Grr+: En el tiempo que tarde en

    pasar el diodo del estado de conduccin al estado de no conduccin (4; AA+

    FI9 020=

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    @uando la unin esta polarizada inversamente); la corriente que circula ?o es

    peque

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    En la figura #).. se observa todo el proceso que se sigue entre el paso del

    estado de conduccin al estado de no conduccin) En la figura (a+ se tiene la

    tensin de entrada 8i& en donde observamos que en t = t " se produce un

    cambio brusco de polarizacin directa a una polarizacin inversa) Pero el diodo

    tarda& como se observa& un tiempo t rr (tiempo de recuperacin en inverso+ para

    adaptarse a la nueva situacin fig) (d+ el tiempo t rr est' formado por la suma de

    dos tiempos ts = tiempo de almacenamiento y tt = tiempo de transicin)

    bservamos de la fig) (b+ que el ts es el tiempo que tarda en desaparecer las

    concentraciones de portadores excedentarios y tt es el tiempo que tarda en

    formarse la deflexin de concentraciones de portadores (es decir Pn 3 Pno se

    convierte en negativo+& finalmente cabe observar que durante t" t t" J tsexiste una corriente inversa grande por el diodo a pesar que la tensin en la

    juntura es positiva)

    -e puede dar como valores pr'cticos para esto:

    ?A = .6 m!&

    ?D = .6 m!

    trr = ts J Gt = /6 nseg)

    a)

    -VA

    )

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    c)

    !" = V" # $% !o

    -!$ = V$ # $%

    &)

    0

    -V$

    Tiempo de

    polarizacin

    directa.