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SiC高 耐 壓
低開關損耗
高速恢復
兼具 高耐壓、低導通電阻開關、高速恢復
SiC-MOSFET
‧SWITCHING SERIES‧SWITCHING SERIES
‧MUSIC SERIES‧MUSIC SERIES
■ 基於低開關損耗特性的節能、小型化
0
20
40
60
80
100
120
Si-IGBT SiC-MOSFET
Loss
(W)
Turn-ON switching lossTurn-OFF switching lossConduction loss
開啟損耗
開啟損耗
關斷損耗
關斷損耗
導通損耗
導通損耗
Turn-ON switching loss
Turn-OFF switching loss
Conduction loss
損耗比較(when operating at 30 kHz)
Switching loss reduced by 80% vs. Si-IGBTs
與Si IGBT相比，開關損耗降低約80%
型號 極性 VDSS(V) ID(A)PD(W)
(Tc=25°C)封裝
RDS(on)Typ.(mΩ)
VGS=18V VGS=18V 驅動電壓(V)
QgTyp.(nC)
SCTMU001F TO-220ABN 400 20 132 120 59 18
25
20
15
10
5
0
-50 50 100 150 200 250 300 350 400 450
Si-IGBT
SiC-MOSFET
Vdd=400VRg=5.6Ω
開關損耗最大降低90%！
電流
(A)
時間(nsec)
關斷特性 同時實現矽元件無法達到的高速開關和高
耐壓。
與 矽 質 I G B T 相 比 ， 關 斷 損 耗 降 低 9 0 %
(Max.)。而且，根據二極體的高速恢復特
性，工作時的損耗可比IGBT降低73%。
不僅實現機器節能高效，可使用30kHz以
上的高頻驅動，周邊可選用較小型元件。
TO-247
TO-220AB
SiC POWER
SiC POWER
SiC POWER
N
N
N
N
N
N
SCT2120AF
SCH2080KE
SCT2080KE
SCT2160KE
SCT2280KE
SCT2450KE
650
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
29
35
35
22
14
10
165
179
179
165
108
85
120
80
80
160
280
450
型號 極性 VDSS(V) ID(A)PD(W)
(Tc=25°C)封裝
RDS(on)Typ.(mΩ)
VGS=18V VGS=18V 驅動電壓(V)
QgTyp.(nC)
61
106
106
62
36
27
18
18
18
18
18
18
TO-220AB
TO-247
■ 產品陣容■ 產品陣容
‧SWITCHING SERIES‧SWITCHING SERIES
全新推薦！創新產品全新推薦！創新產品
第２代 低VF SiC蕭特基二極體
全球第一家＊投入量產 全SiC功率模組＊2013年9月 ROHM調查
■SiCショットキーバリアダイオード(SiC-SBD)ラインアップ
■ 產品陣容■ 產品陣容
SCS206AJ
SCS208AJ
SCS210AJ
SCS212AJ
SCS215AJ
SCS220AJ
SCS206AG
SCS208AG
SCS210AG
SCS212AG
SCS215AG
SCS220AG
SCS206AM
SCS208AM
SCS210AM
SCS212AM
SCS215AM
SCS220AM
SCS220AE2
SCS230AE2
SCS240AE2
SCS205KG
SCS210KG
SCS215KG
SCS220KG
SCS210KE2
SCS220KE2
SCS230KE2
SCS240KE2
－
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Yes
Yes
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650
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1,200
1,200
1,200
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1,200
1,200
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650
650
650
650
650
650
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
6
8
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12
15
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6
8
10
12
15
20
6
8
10
12
15
20
10/20＊2
15/30＊2
20/40＊2
5
10
15
20
5/10＊2
10/20＊2
15/30＊2
20/40＊2
24
31
40
45
55
71
24
31
40
45
55
71
24
31
40
45
55
71
40/80＊2
55/110＊2
71/140＊2
23
45
65
82
23/46＊2
44/88＊2
65/130＊2
84/160＊2
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
6
8
10
12
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20
6
8
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20
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5
10
15
20
5
10
15
20
120
160
200
240
300
400
120
160
200
240
300
400
120
160
200
240
300
400
200
300
400
100
200
300
400
100
200
300
400
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
LPTL（D2-PAK）
［4pin］
TO-220AC［2pin］
TO-220FM［2pin］
TO-247［3pin］
TO-220AC［2pin］
TO-247［3pin］
型號
絕對最大額定值(Ta=25°C) 電氣特性(Ta=25°C)
封裝 等效電路圖
符合
車規
(AEC-Q101)
＊1
VRM(V)
VR(V)
IF(A) IF(A)
IFSM(A)
60Hz.1
VF(V)Typ. VR(V)
IR(µA)Max.
＊12013年6月 ＊2(1引腳/封裝)
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
0 100 200時間 (nsec)
電流
(A
)
面積縮小則損耗降低這是一大優勢
開關波形
SiC SBD
Qrr Si FRDSi FRD
VF-IF
0
5
10
0 0.5 1 1.5 2
IF(A
)
VF（V)
(Ta=25°C)
ComparableProduct
SCS110AG
New SeriesSCS210AG
0.15V Down0.15V Down
■ 產品陣容■ 產品陣容
型 號VDS(V) Tj(°C) Tstg(°C)
Visol(V)AC 1min.
半橋電路
BSM120D12P2C005MOS+SBD模組
BSM180D12P2C101MOS模組
1,200 2,500
1,200 2,500
VGS(V)
–6~+22
–6~+22
–40~+150
–40~+150
–40~+125
–40~+125
ID(A)
180
120
絕對最大額定值(Ta=25°C)
0
10
20
30
40
50
60
100100
閘極電阻 Rg(Ω)損耗降低
Esw
(m
J) B公司B公司
C公司C公司
Vds=600VId= 100AVg(on)=18VVg(off)=0VTa=125°Cinductive load
A公司
A公司
Si IGBT Module1200V 100A
85%reduction ROHM
BSM120D12P2C005
與IGBT（模組）的開關損耗比較
TO-220AC TO-220FM TO-247 LPTL(D2-PAK)
SiC
【O_021】 Catalog No.56O6745T 10.2013 ROHM © ROHM
2013 10 1
