結晶成長解析セミナー 2018

日時V@V平成bI年Nw月,日（金）Nb@II～N,@KMVd懇親会NL@II～wI@IIuVVVVVVVVVV

セミナー会場V@V横浜ビジネスパーク　ウェストタワー,階　大会議室

d相鉄線天王町駅南口より徒歩M分VまたはJR保土ヶ谷駅から無料シャトルバスでb分）

懇親会会場：同建物N階　EspressoVAmericanoV横浜ビジネスパーク店

参加費：無料（セミナーおよび懇親会）V

演目

「点欠陥精密制御に役立つCGSimによる大口径CZTSi結晶成長育成シミュレーション」　　VVV末岡V浩治先生（岡山県立大学）

「VRを用いたSiCトレンチ埋込トポグラフィー・シミュレーション向け境界条件の決定」望月V和浩様（産業技術総合研究所）

「OptimizationVofVDepositionVUniformityVduringVSiliconVEpitaxyVinVDeepVTrenches」　VVRomanVTalalaevVdSTRVGroupu

「ImprovementVofVGaNVcrystalVgrowthVfromVNaTGaVmeltVbyVACRT」　　　　　　　　　　　VVladimirVKalaevVdSTRVGroupu

「ModelingVofVcarbonVincorporationVduringVGaNVMOVPE」　　　　　　　　　　　　　　　VVRomanVTalalaevVdSTRVGroupu

「機械学習による結晶成長モデリングと最適条件自動取得（SiC溶液成長を例に）」　　VVVVVV宇治原V徹先生（名古屋大学）

「製品開発プラン：融液・溶液・気相からの結晶成長（CGSimxVVirtualVReactorxVCVDSimなど）」VV飯塚V将也（STRVJapanu

「製品開発プラン：デバイス（SiLENSexVSpeCLEDvRATROなど）」　VVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVV向山V裕次（STRVJapanu

　　　

STR Japan株式会社　主催セミナー

参加申込方法：以下情報を明記のうえ、弊社営業部（strTsales@strTsofthcohjp）

までお申込み下さい。dVご所属団体名、お名前、ご連絡先（電話番号およびメールアドレス）、懇親会への出席の有無）

～結晶成長シミュレーションを用いた最新研究事例と製品開発プランの紹介～

演目概要は次ページにて紹介しております。

※予告なしに演目変更の可能性がございます。予めご了承下さい。

問合せ先

STRVJapan株式会社　営業部　（Tel@IKMT,KKT,MNNVVETmail@strTsales@strTsofthcohjpu

結晶成長やデバイスのシミュレーションを提供しているSTRVJapan株式会社V主催の「結晶成長解析セミナー」

を下記のとおり開催いたします。

セミナーでは、結晶成長シミュレーションを用いた最新の研究事例と製品開発プランを紹介いたします。

現在開発が進んでいるスマートデバイス、自動車の電動化、ブロックチェーンを用いたサービス、人工知能の

応用による次世代技術など、これらのデバイス及び技術開発に欠かせない材料が半導体です。

弊社の提供するシミュレーションは、半導体製造における、結晶成長の物理現象の理解や結晶品質の向上、VV

デバイス特性の理解を目的とした解析で使用されております。

本セミナーでは、半導体の更なる高性能化を目的とした弊社シミュレーションソフトウェアの活用事例と弊社

製品の今後の開発プランを紹介いたします。

時間 演目

12:30 受付開始（会場：横浜ビジネスパーク ウェストタワー7階 大会議室）

13:00~13:10 開会挨拶 塚田 佳紀（STR Japan）

13:10~13:45 「点欠陥精密制御に役立つ CGSimによる大口径 CZ-Si 結晶育成シミュレーション」

Si 結晶中の点欠陥に関する第一原理計算を行い，点欠陥の熱平衡濃度のドーパント濃度，酸素濃度，熱応力

の各依存性をパラメータ化した．そして，これらのパラメータを CGSimにインストールすることで，点欠陥

精密制御に役立つ大口径 CZ-Si 結晶育成シミュレーション技術を完成した．

末岡 浩治先生（岡山県立大学）

13:45~14:20 「VRを用いた SiCトレンチ埋込トポグラフィー・シミュレーション向け境界条件の決定」

ＳｉＣトレンチ埋込成長を律速するのがＳｉ或いはＣ供給のいずれか、及び成長を律速する成長種の平衡濃

度並びに境界層上端濃度をＶＲにより決定し、表面自由エネルギーγをパラメータに実測埋込形状を再現し

た。γに影響する表面被覆状態の検討が課題である。

望月 和浩様（産業技術総合研究所）

14:20~14:50 「Optimization of Deposition Uniformity during Silicon Epitaxy in Deep Trenches」

Detailed study of silicon epitaxy in deep trenches is reported.

Key transport mechanisms and chemical reactions affecting the thickness uniformity within trench and wafer are

discussed. Roman Talalaev（STR Group）

14:50~15:05 休憩

15:05~15:35 「Improvement of GaN crystal growth from Na-Ga melt by ACRT」

Updated chemical model of GaN crystal growth from Na-Ga solution includes the effect of the temperature and Na-Ga

composition on nitrogen solubility on the melt/crystal and melt/gas interfaces.

The effect of super high N2 gas pressure in the chamber is accounted for in the reaction of N incorporation into the melt,

using virial coefficients.

The model is verified using available experimental data. Accelerated crucible rotation technique is applied to optimize

mass transport of N in Na-Ga melt. Vladimir Kalaev（STR Group）

15:35~16:05 「Modeling of carbon incorporation during GaN MOVPE」

Model of intrinsic carbon doping of GaN grown by MOCVD is presented.

Chemical mechanisms and impact of growth conditions and reactor design on doping level and uniformity are discussed.

Roman Talalaev（STR Group）

16:05~16:20 休憩

16:20~16:55 「機械学習による結晶成長モデリングと最適条件自動取得（SiC溶液成長を例に）」

CFD と機械学習を組み合わせることで、結晶成長の溶液内部の温度、組成、流れの分布を即座に予測するモ

デルを構築した。これにより、従来の手法より遥かに効率よく、所望の溶液状態を実現する結晶成長パラメー

タの最適化と大口径高品質結晶成長を実現した。本手法は、ログデータから内部状態の可視化だけでなく、未

知の物性値の予測、さらに他の結晶成長やデバイスなどにも応用可能である。

宇治原 徹先生（名古屋大学）

16:55~17:15 「製品開発プラン：融液・溶液・気相からの結晶成長（CGSim, Virtual Reactor, CVDSim など）」

弊社が取り扱う融液・溶液・気相からの結晶成長解析ソフトウェア（CGSim, Virtual Reactor, CVDSim など）

の今後の開発プランを紹介いたします。 飯塚 将也（STR Japan）

17:15~17:35 「製品開発プラン：デバイス（SiLENSe, SpeCLED, RATRO など）」

弊社が取り扱うデバイス解析ソフトウェア（SiLENSe, SpeCLED, RATRO など）の今後の開発プランを紹介い

たします。 向山 裕次（STR Japan）

17:35~17:45 閉会挨拶 塚田 佳紀（STR Japan）

18:00~20:00 懇親会（会場：同建物 1階 Espresso Americano 横浜ビジネスパーク店）

※予告なしに演目変更の可能性がございます。予めご了承下さい。