TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIN

El primer transistor el 23 de diciembre de 1947,

desarrollado por William B. Shockley, Walter H.

Brattain y John Bardeen

Es un dispositivo semiconductor formado por dos

capas de material tipo n ( p) y una capa entre ellas de

material tipo p ( n), por lo que:

EXISTEN TRANSISTORES NPN PNP

Son dispositivos de 3 terminales (emisor, base y

colector):

La capa del emisor est fuertemente dopada

La del colector ligeramente dopada

Y la de la base muy poco dopada, adems ms

delgada.

n pp

B

CE

Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-Base

Tiene 3 modos de operacin: Corte, Saturacin y

Activo.

Modo Unin E-B Unin C-B

Corte Inverso Inverso

Activo Directo Inverso

Saturacin Directo Directo

PRUEBA DE

TRANSISTOR CON

MULTMETRO

Transistores BJT en modo activo

pnn

B

CE IC=IS(eVBE/V

T)

En este modo la corriente de colector es determinada por la

ecuacin (1).

La corriente de base (IB) es una fraccin de la corriente de

colector (IC); ecuacin (2).

El valor de es tpico de 100 a 200 en dispositivos de

pequea seal.

La corriente del emisor es la suma de las corrientes, ec (3).

IB=IC/

IE=IC+IB

IE=IC/=IB (+1)

(1)

(2)

(3)

pnn

B

C E

B

C E

Transistor BJT NPN Smbolo

npp

B

C E

B

C E

Transistor BJT PNP Smbolo

Transistor TBJ NPN

Transistor TBJ PNP

Configuracin de BASE comn

La corriente de colector es

constante, por tanto el

colector se comporta como

una fuente de corriente

constante en la regin activa.

Caractersticas de

salida del transistor en

configuracin de base

comn.

Caractersticas de

salida del transistor en

configuracin de

emisor comn.

Configuracin de EMISOR comn

A diferencia de la configuracin

anterior, el voltaje CE si tiene

influencia sobre la magnitud de

la corriente de colector.

Configuracin de COLECTOR comn

Esta configuracin se utiliza para propsitos de acoplamiento de

impedancias. Pues tiene alta impedancia de entrada y baja de salida, al

contrario de las otras dos configuraciones.

Para todos los propsitos prcticos las caractersticas de salida de esta

configuracin son las mismas que se usan para EMISOR comn.

Punto de Operacin

1. El anlisis de circuitos a transistores, requiere de conocimiento de la

operacin del mismo tanto en DC como en AC

2. El teorema de la superposicin puede ser aplicado al circuito

3. Una vez definidos los niveles de DC se debe establecer el punto de

operacin deseado.

4. Cada diseo determinar la estabilidad del sistema

5. El punto de operacin es un punto fijo sobre las caractersticas del

transistor que definen una regin para la amplificacin de la seal

aplicada.

Circuito de polarizacin fija (AUTOPOLARIZACIN).

Polarizacin por divisor de voltaje

Se

recomienda:

VE=(1/10)Vcc

R2(1/10)RE

IcQ=(1/2)ICSat

* El punto Q o punto quiescente o punto

de operacin del transistor, en emisor

comn: (VCEQ, ICQ).

Saturacin: Mximos niveles de operacin

VCE=0

RCE=0

ICSat=Vcc/Rc

ICSat=Vcc/(Rc+ RE)

Polarizacin por retroalimentacin de voltaje

10V

-10V

1k

2k

=100

10V

5V 2k

100k

=100

10V

4V

3.3k

4.7k

=100

10V

6V

3.3k

4.7k

=100

10V

3.3k

4.7k

=100

EJERCICIOS DE POLARIZACIN

=100

1)

2)

4)

5)

6)

3)

REFERENCIAS:

Transistores BJT.ppt, URL:http://www.utm.mx/~mtello/Transistores%20BJT

.ppt

http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/prueba/prueba/image009.gif

http://www.empresas.mundo-r.com/cromavideo/IMA/transistores2.JPG