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Transistores BJT y MOS
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Transistor BJT Introducción
Transistor bipolar de unión (BJT = Bipolar Junction Transistor)
Dispositivo semiconductor formado por 3 regiones dopadas alternativamente: npn (o pnp)
Acción transistor: Captación de portadores mayoritarios procedentes de una unión p-n polarizada en directa que los emite por otra unión p-n inversamente polarizada y muy cercana a la anterior
Dos tipos:
BJT npn BJT pnp
Transistor BJT Introducción
Tres terminales: E = Emisor, B = Base, C = Colector No es simétrico: la concentración de portadores en E es generalmente
bastante mayor que en C La región central (B) es estrecha Sólo 2 tensiones y 2 corrientes independientes (leyes de Kirchhoff)
1710~DN1510~DN
1610~AN
μm5~1 μm10~5
μm1.0~
ZAD
SATURACIÓNDIRECTA
ZAISATURACIÓN
INVERSA
CORTE
CORTE
Transistor BJT Introducción
4 modos de operación en función de la polarización de las 2 uniones p-n
BJT npn
Transistor BJT Ecuaciones I-V
1β
/ TBC UV
R
S eI
TBCTBE UVUVS eeI //
EI
CI
BI
BEV
BCV
1β
/ TBE UV
F
S eI
1β
1β
// TBCTBE UV
R
SUV
F
SB e
Ie
II
TBCTBETBC UVUVS
UV
R
SC eeIe
II /// 1
β
Modelo circuitalgenérico
ZAD,BEV
Transistor BJT Modos de operación
TBE UV
F
SB e
II /
β
BFC II β
BFE II )1β( 1
β/ TBC UV
R
S eI
TBCTBE UVUVS eeI //
EI
CI
BI
BEV
BCV
1β
/ TBE UV
F
S eI
BF Iβ
EI
CI
BI
BEV
BCV
F
SI
β
BF Iβ
EI
CI
BI
ZAD,BEV
BCV
Modelos circuitales simplificados
ZAD: VBE > 0, VBC < 0
XX
X
ZAI,BCV
Transistor BJT
TBC UV
R
SB e
II /
β
BRE II β
BRC II )1β( 1
β/ TBC UV
R
S eI
TBCTBE UVUVS eeI //
EI
CI
BI
BEV
BCV
1β
/ TBE UV
F
S eI
BR Iβ
EI
CI
BI
BEV
BCV
R
SI
β
BR Iβ
EI
CI
BI
BEV
ZAI,BCV
ZAD,ZAI, BEBC VV
FR ββ
Modos de operación
Modelos circuitales simplificados
ZAI: VBE < 0, VBC > 0
XX
X
TBC UV
R
S eI /
β
TBCTBE UVUVS eeI //
EI
CI
BI
BEV
BCV
TBE UV
F
S eI /
β
Transistor BJT
1β
/ TBC UV
R
S eI
TBCTBE UVUVS eeI //
EI
CI
BI
BEV
BCV
1β
/ TBE UV
F
S eI
satCE,V
EI
CI
BI
sat,BEV
BCV
ZAD,sat, BEBE VV
sat,CEV
Modos de operación
Modelos circuitales simplificados
Saturación: VBE > 0, VBC > 0
X
X
Transistor BJT
1β
/ TBC UV
R
S eI
TBCTBE UVUVS eeI //
EI
CI
BI
BEV
BCV
1β
/ TBE UV
F
S eI
EI
CI
BI
BEV
BCV
Modos de operación
Modelos circuitales simplificados
Corte: VBE < 0, VBC < 0
X
X
X X
Transistor BJT Modos de operación
4 modos de operación en función de la polarización de las 2 uniones p-n
Activa directa: El BJT actúa como amplificador de intensidad: IC = FIB con F ~ 100.
Fluyen corrientes por la unión BE y casi todos los e- emitidos por E son colectados en C.
Activa inversa: El BJT actúa como amplificador de intensidad: IE = -RIB con R ~ 1.
Fluyen corrientes por la unión BC y casi todos los e- emitidos por C son colectados en E, pero son menos que en ZAD.
Saturación: La ganancia en intensidad decae notablemente y la tensión entre C y E es baja (~corto).
Corte: Corrientes muy bajas en los tres terminales (~abiertos).
ZAD
SATURACIÓNDIRECTA
ZAISATURACIÓN
INVERSA
CORTE
CORTE
Transistor BJT Características I-V
Característica de entrada
ZAD
SATURACIÓNDIRECTA
ZAISATURACIÓN
INVERSA
CORTE
CORTE
BEV
BI 0CEV
CEV
Característica de salida
Transistor BJT Comportamiento en gran señal
Equivalentes circuitales en ZADMovimiento alrededor del punto de operación Punto de
operación
Gran señal
Pequeña señal
+
)()( tvVtV BCQBCBC )()( tvVtV BEQBEBE
)()( tiItI CQCC
)(,)(,)(,)(con tvtvtiti BCBECB
)()( tiItI BQBB
)(tIE
)(tIC
)(tVBE
)(tVBC)(tIBTBE UtV
SeI/)(
TBE UtV
F
S eI /)(
β
TBEQ UVSeI
/
EQI
CQI
BQI
BEQV
BCQV
TBEQ UV
F
S eI /
β
)(tiE
πr
)(tiC
)(tvBE
)(tvBC)(tiB
)(tvg BEm
TBEQ UVSeI
/
EQI
CQI
BQI
BEQV
BCQV
TBEQ UV
F
S eI /
β
)(tiE
πr
)(tiC
)(tvBE
)(tvBC)(tiB
)(tvg BEm
Comportamiento en gran señalTransistor BJT
Conductancia de entrada
Transconductancia del BJT
T
BQ
T
UV
F
S
QBE
B
BE
B
U
I
U
eI
V
I
tv
tig
TBEQ
/
π βd
d
)(
)(
T
CQ
T
UVS
QBE
C
BE
Cm U
I
U
eI
V
I
tv
tig
TBEQ
/
d
d
)(
)(
Punto de operación
Pequeña señal
)()( π tirtv BBE
)(β)()( m titvgti BFBEC
TBEQ UV
F
SBQ e
II /
β
BQFUV
SCQ IeII TBEQ β/
ZAD,BEBEQ VV
Transistor BJT Ejemplo de amplificador
(1) Punto de operación:
TBEQ UVSeI
/
CQI
BQI
BEQV
TBEQ UV
F
S eI /
β
BBV
BRCCV
CR
TBEQ UV
F
SBQ e
II /
β
BQFUV
SCQ IeII TBEQ β/
B
BEQBBBQ R
VVI
C
CEQCCCQ R
VVI
Asumiendo ZAD:
Recta de carga:
Recta de carga:
BR
CR
CCV
BBV
)(tvi)(tVBE
)(tVCE
)(tIC
)(tIB
Transistor BJT Ejemplo de amplificador
(1) Punto de operación:
Q
BR
CR
CCV
BBV
)(tvi)(tVBE
)(tVCE
)(tIC
)(tIB
TBEQ UVSeI
/
CQI
BQI
BEQV
TBEQ UV
F
S eI /
β
BBV
BRCCV
CR
Transistor BJT Ejemplo de amplificador (cont.)
(2) Pequeña señal:
)(tvi
BR
CR
πr
)(tiC
)(tvBE
)(tiB)(tvg BEm
B
BEiB R
tvtvti
)()()(
C
CEC R
tvti
)()(
)()( π tirtv BBE
)()( m tvgti BEC
)()()()(π
πmm tv
rR
rRgtvgRtiRtv i
BCBECCCCE
Factor de amplificación(Ganancia en pequeña señal)
TBQ UIg π
TCQm UIg
BR
CR
CCV
BBV
)(tvi)(tVBE
)(tVCE
)(tIC
)(tIB
Transistor BJT Ejemplo de amplificador (cont.)
Transistor MOS Introducción
MOSFET = Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
Transistor de efecto campo metal-óxido-semiconductor:
Terminales: D = Drenador, G = Puerta, S = Fuente
Dos tipos: MOS de canal n (nMOS) y MOS de canal p (pMOS)
Bilateral: D y S son eléctricamente indistinguibles
Resistencia de entrada infinita: IG = 0 (G aislada por construcción)
nMOS
Transistor MOS Introducción
DID
S
GGI
SI
GSV
GDV
DSV
DID
S
G
GSV
GDV
DSV
Terminales: D = Drenador, G = Puerta, S = Fuente
Bilateral: D y S son eléctricamente indistinguibles (VD > VS en nMOS)
Resistencia de entrada infinita: IG = 0 (G aislada por construcción)
Sólo 1 corriente y 2 tensiones independientes (leyes de Kirchhoff)
nMOS
DSSD III
GDGSDS VVV
Transistor MOS Introducción
3 modos básicos de operación
Cuando la tensión de puerta (G) supera un cierto umbral VT se induce un canal
conductivo entre drenador (D) y fuente (S).
Si se aplica una tensión VDS hay flujo de portadores (e-) desde S a D intensidad ID
circulando desde D a S Si VDS ID.
Si VDS es suficientemente alta, el canal se estrangula e ID se satura.
La conductividad del canal está modulada por la tensión de puerta:
Si VG > VT y VG ID
Si VG < VT, no hay canal Transistor en corte (ID = 0, corte)
nMOS
DID
S
G
GSV
DSV
DITGSDS VVV
GSV
TGS VV
CORTE
ÓHMICA
LINEAL o
DSV
SATURACIÓN
Transistor MOS Ecuaciones I-V
DI
TGS VV , 0
TGSDSTGSDSDSTGS VVVVVVVVVK
, ,
2
1)( 2
ohm
TGSDSTGSTGS VVVVVVVK , , )( 2sat
DID
S
G
GSV
DSV
Modelo circuitalgenérico
DSGSD VVfI ,
DI
GSV
DSV
D
G
S
Corte
Óhmica
Saturación
DITGSDS VVV
GSV
TGS VV
CORTE
ÓHMICA
LINEAL o
DSV
SATURACIÓN
Transistor MOS Comportamiento en gran señal
Equivalentes circuitales en SATURACIÓNMovimiento alrededor del punto de operación
Punto de operación
Gran señal
Pequeña señal
+
)()( tvVtV GSQGSGS
)(,)(con tvti GSD
)()( tiItI DQDD
)(tID
)(tVGS
2sat )( TGS VtVK
DQI
GSQV
2sat TGSQ VVK
)(tiD
)(tvGS
)(tvg GSm
TGSQ
QGS
Dm VVK
V
Ig sat2
d
d
D
DSD R
tvti
)()(
)()( tvtv GSi
GSQGG VV D
DSQDDDQ R
VVI
Transistor MOS Ejemplo de amplificador
(1) Punto de operación:
2sat TGSQ VVK
DQI
GSQV
GGV
DDV
DR
2sat TGSQDQ VVKI
Asumiendo SAT: Recta de carga:Recta de carga:GGV
)(tvi
DR
DDV
)(tVGS)(tVDS
)(tID
(2) Pequeña señal:
)()( m tvgti GSD )()( m tvRgtv iDDS
Factor de amplificación(Ganancia en peq. señal)
)(tvg GSm
)(tiD
)(tvGS
DR
)(tvi
TGSQm VVKg sat2