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electrónica_ef FET 5
MOSFET canal n“enhancement”Vt=1V; vDS varíável
vGD = vGS – vDS
vGS = vGSvGS = vGS – vDS
vGS – vDS = VtvDS =vGS – Vt “pinch off”vGD = vDS vGS = Vt
electrónica_ef FET 6
( )[ ]( )DSDSDStGSD vvvVvKi λ+−−= 12Tríodo de Região
2
canal do largura
canal do
Spice
oxido do capacidade
canal no electrões dos mob.
Early de tensão da inverso
comp.
k
'
LW
oxn
ox
n
A
oxn
CKP
sVmA
mFC
sVm
V
LWk
LWCK
==
=
=
==
µ
µ
λ
µ
22
2
'
121
21
( ) ( )DStGSD vVvKi λ+−= 12
Saturação de Região
MOSFET canal n“enhancement”Vt=1V
electrónica_ef FET 7
Resistência Linear na Região de Tríodo
( )[ ]
( )[ ]
( )[ ] 1
2
2
2pequeno muito se
20, Tríodo, de Região naLinear aResistênci
−−=≡
−≅
−−=
=
DStGSD
DSDS
DStGSD
DS
DSDStGSD
DS
vVvKi
vr
vVvKiv
vvVvKir λ
electrónica_ef FET 9
Modelo de Grandes SinaisRegião de Saturação MOSFET
oxnn Ck µ='
Exemplo:Vt = 1 V ; K(W/L) = 0.25 mA/V2
Canal n, “enhancement”
TGSDS
TGS
VvvVv
−≥
≥
electrónica_ef FET 10
MOSFET canal p“enhancement”Nestes mosfet VT < 0Região de Saturação
MOSFET canal n“enhancement”
−
+
SGv
TGSDS
TGS
VvvVv
−≥
≤
−
+
SDv
TSGSD
TSG
VvvVv
+≤
−≥
saturação de Região
TGSDS
TGS
VvvVv
−≥
≥
electrónica_ef FET 11
−
+
SGv
MOSFET canal p“enhancement”
TGSDS
TGS
VvvVv
−≥
≤
−
+
SDv
KvvKv
SGSD
SG
−≤
≥
electrónica_ef FET 14
Modelo de Pequenos Sinais
D
Ao I
Vr =
( ) [ ]Ω=−= 122 DQtoGSQm KIVVKg
Valores de polarização (Q= quiescentes)
electrónica_ef FET 16
'
21
'
'
'
//
////
Lo
in
Lmin
ov
gsin
Lgsmo
LDoL
RR
RRR
Rgvv
A
vv
Rvgv
RRrR
=
=
−==
=
−=
=
or
electrónica_ef FET 17
JFET: Junction Field Efect Transistor
• Alta resistência de entrada (mas os MOSFET ultrapassam os JFET)•JFET virtualmente obsoletos•Aplicações como circuito discreto: switchs e amplificadores•Aplicações como circuito integrado: andar difeerencial de entrada de
Amplificadores Operacionais, pela sua elevada res. de entrada.