VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014
ОАО «НИИМЭ»
Разработка монолитных интегральных схем приемного тракта на основе
гетеропереходных транзисторов для диапазона частот 57-64 ГГЦ
В.А. Дмитриев[email protected]
Д.А. Копцев[email protected]
• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014
Область применения устройств 60 ГГц
Портативные электронные устройстваСистемы «умного дома»Автомобильные радары
Преимущества SiGe технологии
Достаточно высокое быстродействиеПриемлемый уровень шумаНизкое энергопотреблениеНизкая стоимость микросхем
• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014
Преимущества
Ультравысокая скорость передачи данныхХорошая помехозащищенностьВысокая чувствительность и селективность
Супергетеродинная структура
RF сигнал – 57-64 ГГцLO сигнал – 52-59 ГГцПЧ сигнал – 5 ГГц (совместим со стандартом 802.11а)
Архитектура приемного тракта
• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014
Понижающий смеситель
Структурная и электрическая схема понижающего смесителя
• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014
Понижающий смеситель
Структура микросхемы понижающего смесителя
Топология смесителяРезультаты
Структура микрополоскового фильтра
• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014
Малошумящий усилитель
Электрическая схема 4-х каскадного МШУ
Структура согласующих CPW линийПараметры МШУ
• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014
Результаты
Параметр Разрабо-танный МШУ
[5] [7] [8]
Коэфф. усиления, дБ
21-25 20 18 18
Коэфф. шума, дБ
6,9-7,1 6 6.8 6,7
S11, дБ -10,5 -15 – -6 S22, дБ -9 -9 – -12 Потреб.
мощность, мВт
18,8 36,3 66 27
P1dB по входу, дБм
-24.9 – -30.1 -18
Площадь кристалла, мм2 0,42 0,4 0,8 0,45
Параметр Разрабо-танный
смесител
[6] [7] [9]
Коэфф. преобразо-вания, дБ
15.9 10.7 10.5 1.7
Коэфф. шума, дБ
16,1 нд 14 13
LO-RF изоляция, дБ
28 28 нд 30
LO-IF изоляция, дБ
55 30 нд 40
Потреб. мощность, мВт
104 37 20.5 75,9
Площадь кристалла, мм2
0,6 1,04 0.8 нд
Параметры МШУ Параметры понижающего смесителя
• VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014