Upload
dang-dao
View
1.267
Download
47
Embed Size (px)
Citation preview
KỸ THUẬT CHẾ TẠO VI MẠCH
PROCESS INTEGRATION: MOS & BIPOLAR
Giảng Viên: Cô Hồ Thị Ngọc Diễm
Nhóm Sinh Viên Thực Hiện:
o Phạm Tuấn Duy (09520037)
o Bùi Thanh Hùng (09520119)
o Phạm Xuân Sơn (09520252)
o Đào Xuân Dạng (09520401)
o Lê Công Bằng (09520740)
Thành Phố Hồ Chí Minh – Năm 2013
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ THÔNG TIN
KHOA KỸ THUẬT MÁY TÍNH
Transistor Theo Công Nghệ MOS
MOS hay còn gọi là MOSFET, viết tắt của "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect
Transistor"
So Sánh Hai Công Nghệ MOS Và Bipolar
Transistor
Hiệu điện thếĐiện năng
Dòng điện
Độ tích hợp
Hoạt động
Thời gian truyền
CMOS BIPOLAR
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn 1: Tạo giếng loại N hoặc P tùy vào chất nền, ở đây ta chọn chất nền là loại P. Với chất nền loại N thì tương tự chấtnền loại P.
Giai đoạn 2: Tạo vùng cho NMOS, vùng cho PMOS đã đượctạo trước đó.
Giai đoạn 3: Tạo các cực Gate cho NMOS và PMOS bằngpolysilicon.
Giai đoạn 4: Tạo các cực Source và Drain cho NMOS vàPMOS. (2 giai đoạn nhỏ)
Giai đoạn 5: Tạo Contact cho các cực của NMOS và PMOS vàtạo các đường Metal. (2 giai đoạn nhỏ)
Oxit
Mặt nạ
Tia UV
Photoresit
Chất nền loại P
Giếng loại N
Doping nguyên tố nhóm V
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo N-Well
Oxit
Mặt nạ
Tia UV
Photoresit
Chất nền loại P
Giếng loại N
Vùng NMOS Vùng PMOS
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo vùng cho NMOS và PMOS
Oxit
Tia UV
Chất nền loại P
Giếng loại N
PolysiliconPhotoresit
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo cực Gate cho NMOS và PMOS
Tia UV
Oxit
Chất nền loại P
Giếng loại N
Photoresit
Doping nguyên tố nhóm V
N+ N+
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo cực Source, Drain cho NMOS
OxitPhotoresit
Tia UV
Chất nền loại P
Giếng loại N
Doping nguyên tố nhóm III
N+ N+ P+ P+
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo cực Source, Drain cho PMOS
Tia UV
Oxit
Chất nền loại P
Giếng loại N
Photoresit
N+ N+ P+ P+
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo Contact cho NMOS và PMOS
Oxit
Tia UV
Chất nền loại P
Giếng loại N
PhotoresitMetal
N+ N+ P+ P+
Quy trình chế tạo Transistor CMOS
Giai đoạn tạo các đường Metal cho NMOS và PMOS
BJT Processing
1. Implantation of the buried n+ layer
2. Growth of the epitaxial layer
3. p+ isolation diffusion
4. Emitter n+ diffusion
8. Metal deposition and etching
6. lặp lại quá trình bước 4
7. Contact etching
5. Base p-type diffusion
3. p+ isolation diffusion
- Mục đích của bước này là chúng ta cô lập BJT npn bằng cách
khuếch tán p++.