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Statistical and Texture Analyses for Dieless Drawing Microtubes 成蹊大学[] ○組沢 成蹊大学 酒井 首都大学東京 古島 マイクロチューブの集合組織形成と その統計的評価 日本材料学会・学術講演会 No.135

2012zairyo kumisawa

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Statistical and Texture Analyses for Dieless Drawing Microtubes

成蹊大学[院] ○組沢 至  

成蹊大学     酒井 孝  

首都大学東京  古島 剛  

マイクロチューブの集合組織形成と  その統計的評価

日本材料学会・学術講演会 No.135

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目的

1.  研究背景       チューブの需要,ダイレス引抜きの特徴と問題点  2. 研究目的       各種条件による集合組織の調査,3母数ワイブル分布  

3. 実験方法       供試材,試料座標系,SEM測定環境

4. 実験結果       EBSD測定各種解析,3母数ワイブル分布

5. 結言  

1

Page 3: 2012zairyo kumisawa

 マイクロリアクター

無痛注射針

プローブピンガード材

Ø 小型化・軽量化・高機能化の観点から需要が高まっている

研究背景

2

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従来の加工

研究背景

・チューブに割れ・破断の発生  ・引抜き機器の高精度化が要求  

本研究の加工

3

Ø マイクロ化により結晶特性と材料特性が密な関係を持つ.  

Ø ダイレス引抜きの熱的影響・引張影響が加わる.  

~細管化にともない~

・金型が不必要  ・大断面減少率  ・高生産性

~ダイレス引抜きの特徴~

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研究目的

4

EBSD 3母数  

ワイブル分布  

■微視的要因   ■統計評価  

Ø 各種条件のダイレス引抜き材の測定.  Ø  3母数ワイブル分布を用い信頼性の検討.

・結晶粒 ・粒界 ・結晶方位

-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2

1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04

Cum

ulat

ive

prob

abili

ty F

%

X

99 99.9

90

70

50

30

20

10

5 7

3

1

0.5

0.2

2

20µm

F(𝑥)=1−𝑒𝑥𝑝{− (𝑥−𝑐/𝑏 )↑𝑎 }

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・オーステナイト系ステンレスSUS304

130µm     500µm

5

供試材

DD

TD

ND

‣化学成分

Cr Ni C Fe

18.00-20.00

8.00-10.50

≦0.08 Bal.

■供試材 試料座標系

Ø  結晶方位を決定するため,          試料座標系を定義.  

引抜き方向

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・断面減少率 𝑅=1− 𝑉↓2 /𝑉↓1  

ダイレス引抜き

V2

V1

加熱コイル

6

‣ダイレス引抜き装置

‣ダイレス引抜き条件

Reduction (%)

Temperature (K)

A r g o n atmosphere Atmosphere

20

577 Ar-① Atm-①

726 Ar-② Atm-②

926 Ar-③ Atm-③

30

577 Ar-④ Atm-④

726 Ar-⑤ Atm-⑤

926 Ar-⑥ Atm-⑥

40

577 Ar-⑦ Atm-⑦

726 Ar-⑧ Atm-⑧

926 Atm-⑨ ‣アルゴン雰囲気中

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EBSD測定条件

SEM測定環境

・加速電圧:15Kv ・Step Size :0.5

・照射電流:7×10↑−9 A ・試料台傾斜:70°

7

‣SEM-­‐EBSD装置 ‣EBSD測定部位

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20% 30% 40%

9

001 101

111

‣2.92µm ‣4.88µm ‣2.40µm

20µm

‣1.96µm ‣13.98µm ‣2.31µm

Atm-①

Ar-④

DD Atm-④ Atm-⑦

Ar-① Ar-⑦

IPF Map~断面減少率変化~

DD

Page 10: 2012zairyo kumisawa

577K 726K 926K

IPF Map~加熱温度変化~

9

001 101

111

20µm

‣11.94µm ‣98.01µm

‣13.98µm ‣22.78µm ‣64.03µm

‣4.88µm

40µm

Atm-④ Atm-⑤ Atm-⑥

Ar-④ Ar-⑤ Ar-⑥

DD

DD

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577K 726K 926K

Crystal Direction Map

9

20µm

<001>ll[100] <111>ll[100] <101>ll[100]

Atm-④ Atm-⑤ Atm-⑥

Ar-④ Ar-⑤ Ar-⑥

001 101

111 DD

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集積割合グラフ

12

Ø  加熱温度上昇にともない<111>が減少し<001>へ集積する.

Ø 伸線加工の最終安定方位<111> と<001> へ配向.

0

10

20

30

40

50

60

<001> <111> <101>

Atm-④

Atm-⑤

Atm-⑥

0

10

20

30

40

50

60

<001> <111> <101>

Ar-④

Ar-⑤

Ar-⑥

‣集積割合(大気中) ‣集積割合(アルゴン雰囲気中)

集積

割合

集積

割合

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3母数ワイブル分布

13

-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04

Cum

ulat

ive

prob

abili

ty F

%

X

3-Weibull Distribution

99 99.

9

90

70

50

30

20

10

5 7

3

1

0.5

0.2

2

◆<101> ■<111> ●<001>

-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03

Cum

ulat

ive

prob

abili

ty F

%

X

3-Weibull Distribution

99 99.

9

90

70

50

30

20

10

5 7

3

1

0.5

0.2

2

◆<101> ■<111> ●<001>

‣大気中 ‣アルゴン雰囲気中

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3母数ワイブル分布・各母数

13

<001> <111> <101>

a 0.736 1.650 1.00

b 1.580 0.125 0.146

c 0.068 3.520 0.176

a 2.05 0.720 0.460

b 2.21 0.110 0.127

c 0.086 5.80 0.214

a:形状母数,b:尺度母数,c:位置母数

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結言

14

n Temperatureの変化では,加熱温度の上昇にともない粒成長が顕著に表れた.また一番粗大化した926Kにおいては大角粒界の割合が増加したことから,再結晶が他の温度より完了していることが確認できた.  

n Crystal Direction Mapよりダイレス引抜きを施すことで,FCC金属の  伸線加工の最終安定方位<001>・<111>へ配向が確認できた.加熱  温度の上昇にともない再結晶がさらに進行することから,<001>へ配  向がより顕著に表れた.   

n 3母数ワイブル分布の結果より,ばらつきをともなう結晶方位データをうまく定量評価した.大気中とアルゴン雰囲気中で,尺度母数bと位置母数cが同程度の値を示した.  

n Reductionの変化は,大気中,アルゴン雰囲気中で同様の傾向を示し,結晶方位の変化はなかった.また断面減少率30%において,粒成長が確認できた.