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About SPICE Model of IGBT
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IGBTのスパイスモデル
株式会社ビー・テクノロジーhttp://www.bee-tech.com/[email protected]
2011年4月21日(木曜日)
1.IGBTのスパイスモデル1.1 ヘフナモデル(パラメータモデル)
1.2 MOSFET+BJTモデル1.3 Simplorer独自パラメータモデル
2.IGBTモデルとSiC SBDモデルを活用したシミュレーション
2.1 PFC回路シミュレーション2.2 損失計算方法
1Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
IGBTのスパイスモデルの推移
PSpiceIGBTModel
PSpiceIGBTModel
+等価回路
MOSFET+
BJT
[デファクトスタンダード]
SPICEの世界
Simplorerの世界
Simplorer独自モデル
2Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
IGBTのスパイスモデルの構成
3Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
IGBT PSpice Model (ヘフナモデル) 等価回路図
dt/dQgsdt/dQdg
dt/dQmult
dt/dQds
dt/dQcerdt/dQeb
m osI
cssI bssI
multI
TI
E(S)
b(d)
G
C
e
5個のDC電流コンポーネントと6個の容量性電荷コンポーネントの構成です。
4Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
パラメータ 説明 単位 デフォルト値
AGD ゲート・ドレイン重なり面 m^2 5E-6
AREA デバイス面積 m^2 1E-5
BVF 電子アバランシュ均一係数 N/A 1
BVN 電子アバランシュ増倍の指数部 N/A 4
CGS 単位面積当たりのゲート・ソース間容量 F/cm^2 1.24E-8
COXD 単位面積当たりのゲート・ドレイン間酸化膜容量 F/cm^2 3.5E-8
JSNE エミッタ飽和電流密度 A/cm^2 6.5E-13
KF 3極管領域係数 N/A 1
KP MOSトランスコンダクタンス A/V^2 0.38
MUN 電子移動度 cm^2/(V・S) 1.5E3
MUP 正孔移動度 cm^2/(V・S) 4.5E2
NB ベース ドーピング 1/cm^3 2E14
TAU アンビポーラ再結合寿命 s 7.1E-6
THETA 遷移電解係数 1/V 0.02
VT しきい値 V 4.7
VTD ゲート・ドレイン重なり空乏しきい値 V 1E-3
WB 金属ベース幅 m 9E-5
IGBT PSpice Model (ヘフナモデル) パラメータ
5Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
Saturation Characteristics(飽和特性)
上記はPSpice Model Editorの画面測定データシミュレーション結果
6Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
Saturation Characteristics
飽和特性を補正する事で、精度良くPSpice Modelを活用する事が出来ます
7Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
MOSFET+BJT型モデル
8Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
長所温度モデルを考慮したときの対策が可能(RC成分が抽出できる。ただし、実測データからの合わせこみが必要である)である。
SPICEによるデバイス方程式がMOSとBJTなので、電気特性において影響するパラメータが想定できるし、補正は必要な特性はABMモデルの組み込みにより対応が容易である。
短所BJTとMOSFETの双方の特性による因果関係から、パラメータの合わせこみが必要であり、高度なモデリング技術を必要とする。→PSpice AAO(最適化ツール)を活用する。
BJT+MOSFETのサブサーキット構成を用いる方式
9Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
BJT+MOSFETのサブサーキット構成を用いる方式
DBEDE
DDSDO
85
C
RC29.7415m
81
RE
17.5m
83
82
CGE2.05n
Collector
RG
5
Gate
Emitter
M3MFIN03
Q3QOUT03
GateG
D3 DGD
R1110Meg
+-
+-
S1S
VON = 0mVVOFF = -20mVROFF = 10e9RON = 1m
G02
+ -
+ -
S2S
VON = 0mVVOFF = -20mVROFF = 10e9RON = 1m
CGD_MAX4.30E-9
R12 10Meg
G01
LE
7.50n
1 273 E
PARAMETERS:
IS = 2.51e-16NF = 1.2194BF = 4.8832CJE = 6.10nTF = 17nXTB = 1.3L = 1e-6W = 1e-6KP = 630.2292mVTO = 5.0035THETA = 4.8432mVMAX = 1.8469Meg
IGBTモデルの等価回路図 (Bee Technologies Model)
10Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
BJT+MOSFETのサブサーキット構成を用いる方式
1. Ic-Vge characteristicにおけるパラメータの最適化
IGBTのgfeに関する特性は飽和領域において次のように表される。
μns: Surface mobility of electrons
Z: Channel width
LCH: Channel length
VTH: Threshold voltage
VGE: Applied gate voltage
COX: Gate-oxide cap. Per unit area
αPNP: Current gain of the pnp transistor
THGE
CH
OXns
PNP
fe VVL
ZCg
1
1
11Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
BJT+MOSFETのサブサーキット構成を用いる方式
MOSFETとBJTで前ページの方程式に関係するパラメータをPSpice AAO
にて最適化する。(この例では、活性領域におけるコレクタ電流を決定するRCとその他のパラメータも一緒に最適化しているが、特性に関係しないパラメータは最適化を行っても変化が無い。
PSpice AAO
12Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
BJT+MOSFETのサブサーキット構成を用いる方式
最適化されたパラメータ
.MODEL MFIN03 NMOS (L=1e-6 W=1e-6 LEVEL = 3 VMAX=1.8469Meg
+ THETA=4.832m VTO=5.0035 KP=630.2992m)
.MODEL QOUT03 PNP (IS=2.51e-016 NF=1.2194 BF=4.8832 CJE=6.10n
+TF=17.0n XTB=1.3)
MOSFETのETAはゲートチャージのシミュレーションにおいて誤差を与えるため、削除した。
但し、コレクタ電流が小さい領域では誤差が大きくなる。これはMOSFETのモデル自体が小信号領域に対応していない為であり、別途補正回路が必要になる。(大信号領域で合わせ込みを行った場合、問題となる)
13Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
BJT+MOSFETのサブサーキット構成を用いる方式
2. パラメータ補正後での、その他特性を実測と比較
Ic-Vce(あるゲート電圧での)と出力特性(Vge-Vce、Ic-Vce)のシミュレーションを行い、実測あるいはデータシート記載値と比較し、誤差が大きいようであれば、再度必要なパラメータを最適化する。
3. ゲートチャージ特性(ゲート-ドレイン間容量特性)の補正Cgdの特性はVdgが正、負の値によってそれぞれ変化する。このため、実測とシミュレーションで誤差を生じる。よってG-D間に補正回路を付け加える。
14Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
BJT+MOSFETのサブサーキット構成を用いる方式
ゲートチャージ特性でOFF期間~スイッチング期間を終了する期間までがVdg>0の期間のときで、Cgd-Vdg特性のカーブになっている領域である。スイッチング期間終了時~オン期間に入るとVdg<0となり、そのときCgdは一定値となる。ここで、Cgd-Vdg特性を表現するため、Vdg>0のとき、曲線部分、Vdg<0のとき、同図の一定容量成分Cgdmaxの値にし、Vdg=0V時のCgdmaxとCJOの値を一致させた特性に置き換える。
0Qg
Vgs
Off Period SwitchingPeriod
On Period
12V
Vds200V Simulation
Measurement
VDG>0 VDG<0
0Vdg
Cgd Use Cgdmax(const.)
Use DGD ParameterCJO=Cgdmax, M,VJ
Fig2-6 Relation of Gate on Charge Characteristic and CGD
15Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
スイッチングタイムにはBJTのTF、BF、ゲート抵抗RGで調整可能であるが、BFは最適化済なので、残り2つのパラメータで調整した。但し、この2つのパラメータだけではtrの合わせ込みが不可能だったので、ベース抵抗RBを挿入して合わせ込みを行った。RBを挿入することで、スイッチング時のシミュレーション収束エラーも抑えることができる。
V_IC
0Vdc
M3MFIN03
Q3QOUT03
VD
600Vdc
D3 DGD
R1110Meg
+-
+-
S1S
VON = 0mVVOFF = -20mVROFF = 10e9RON = 1u
G02
+ -
+ -
S2S
VON = 0mVVOFF = -20mVROFF = 10e9RON = 1u
CGD_MAX4.30E-9
R12 10Meg
G01
PARAMETERS:
IS = 2.51e-16NF = 1.2194BF = 4.8832CJE = 6.10nTF = 21.3nXTB = 1.3L = 1e-6W = 1e-6KP = 630.2292mVTO = 5.0035THETA = 4.8432mVMAX = 1.8469Meg
RL
42.8
VG
TD = 0
TF = 10nPW = 5uPER = 20u
V1 = -15
TR = 10n
V2 = 15
RGate
100LE
7.50n
1 273 E
DBEDE
DDSDO
85
C
RC29.7415m
81
RE
17.5m
82
83CGE2.05nIC = 0
G
Collector
RG
5 Emitter R3
0.1u
0
RB
0.7
スイッチングタイムに関するパラメータの最適化
16Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
FWD(SPICEの世界)
http://beetech-icyk.blogspot.com/2010/11/blog-post_22.html
17Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
i
VL
Lの両端の電圧
ダイオードに流れる電流
リカバリー現象の領域
FWD
18Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
i
VL
Lの両端の電圧
ダイオードに流れる電流
dt
diLVL
FWD
19Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
FWD
逆回復時間の定義(IFIR法)20Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
FWD IFIR法の世界
パラメータ・モデル=スタンダードモデル
ビヘイビア・モデル=等価回路モデル=プロフェッショナルモデル
Measurement Measurement
21Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
FWD 電流減少率didt法の世界
ハード・リカバリー、ソフトリカバリーも表現出来る
黄色線⇒ハード・リカバリー赤線⇒ソフト・リカバリー
電流減少率didtモデル(=スペシャルモデルを採用)
22Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
再現性のある電気的特性【IGBT】伝達特性飽和特性スイッチング特性出力特性【FWD】I-V特性逆回復特性← Simplorerの大きな特徴
Simplorer独自パラメータモデル
Simplorerの特徴収束性問題が発生しない。最新バージョンでは、PSpiceモデルが全て使用出来る(ABM含む)。
23Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
Simplorer独自パラメータモデル
電流減少率法でのtrr値Simplorerの場合、モデルパラメータのみで表現出来るそして、L負荷、インバータ回路のシミュレーションの収束性も良くリアルタイムにシミュレーション出来る。
SPICEの場合、等価回路にてモデル化する→非常に複雑な等価回路モデルの為、L負荷等では、
非常に収束性が悪くなる。.OPTION等で回避をするが非常に困難である。
SPICEの弱点(逆回復特性)
ダイオードのモデルパラメータ:TT
測定方法がIFIR法でのtrr値
24Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
伝達特性 飽和特性
スイッチング特性
出力特性
Simplorer独自パラメータモデル: IGBT本体
25Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
FW
D1
.I [A
]
-250.00
650.00
-100.00
0
100.00
200.00
300.00
400.00
500.00
2.9000m 2.9050m2.9015m 2.9025m 2.9035mt
Qrr
FWD...
IV特性順方向
逆回復特性
Simplorer独自パラメータモデル: FWD
26Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
PFC回路シミュレーション
IGBT+FWD
富士電機1MBH50-060
600V50A
SiC SBD
ZERO RECOVERY
RECTIFIER
Cree
CSD20060D
600V20A
27Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
PFC回路シミュレーション(損失計算の方法)
28Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
回路解析シミュレーション及びデバイスモデリングの情報提供
デバイスモデリング研究所(http://beetech-icyk.blogspot.com/ )
29Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011
Bee Technologies Group
お問合わせ先)[email protected]
【本社】株式会社ビー・テクノロジー〒105-0012 東京都港区芝大門二丁目2番7号 7セントラルビル4階代表電話: 03-5401-3851設立日:2002年9月10日資本金:8,830万円【子会社】Bee Technologies Corporation (アメリカ)Siam Bee Technologies Co.,Ltd. (タイランド)
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30Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011