Elektronika Formule

Preview:

DESCRIPTION

,),92naponski ekvivalent temperature energetski ekviv

Citation preview

  • t:

    N ==-N =C" -7,3/2c \' 'I

    2

    Si:

    Ge:

    GaAs:

    ( ' =7 1~' 1() 1". 31'312I " ,J C/II I\.C 1 =L67 ' I 0 I" e/ll .3 f...'3 ; 2

    C'I =L54,IOJ"em,.1f...,3/2

    gustocadriftne struje: Jji. =Q'17"dn

    driftna brzina: Vd =p' F

    specificnavodljivostpoJuvodica:(}'==Q0Ln .ja/-lp' p)

    J jjJ = q 0p -" dp

    rg!ClV,]

    ,dO!:: .. k - 6/7gustoca ILUZIJSe struJe: Jdn =q-Dn'-

    f1x

    difuzijskakonstanta:

    P-N spoj

    kontaktnjpotencijal:

    . sirinaosiromasenogpodmcja:

    BoltzmalUlOverelacije:

    6pJ=-qoDp o~dp il.'(

    D =)L.[;1' (Einsteinova re!acija) ro ,y-s]

    'f 17 0 Pl K =U1' -In~ Dp.,n~1

    ( .. ,/.

    J

    . /L.

  • :>,:

    ~

    ,.'-

    BipoIarni tranzistor

    normalnoaktivnopodmcje:

    npn

    IE =-I"E-lpE

    1c = l"c +1CBO

    1B =1pE+IR -ICBO .

    1R =1"E~/nc

    InEy=-

    -IEjJ*=lnc

    1nE

    qR

    i I c =-0: . J E + J CHI)i---.--

    1CBO> 0

    N((AJ

    Ebers-Mollovejednadzbe:

    npntranzistor:

    jli

    1EBO =J ES . (I - 0: .0: / )

    zapnptranzistor:

    faktorstmjnogpojacanja

    ulaznidinamickiotpor

    3

    VC{>=-'D~ .(L C;,ctd. .tcCL(f"!.' :{:C h.'C C#'~l

    L

    pnjJ

    J = J pE + J nE

    Ie = -1 pC +1010 ICRII" 0

    J B= J "i +J f

  • ..,

    -"J. ~,

    4

    gornjagranicnafrekvencija (U" =-= 2'/)/II :;--Ii Irl(

    ~(U"

    (UII = 1+ jJ

    Ilelgm=UT

    Tranzistori s efektompolja (FET):

    granicatriodnogpodrucjai podrucjazasicenja:UDS= U GS- UC;SO

    JFET - spojniFET: (. '\

    Ovs D )

    n-kanalniJFET: UK> 0 p-kana!niJFET: (II.'< 0

    vod1jivostpotpunootvorenogkana!a (' - J) . If.10-(f.-L

    l

    -

    (U . -u,

    )

    1/2

    1/1/ /,J/c/fif!;1/0 fC!]), /

    I - G 1- }; (,S .\J ;1 C-D - 0 0,:>U);, - U GSO J

    . T/ -TI r T/ fI f .' _'I .{! \32 ('! _'I \3'"1)I =G '-' K ' . (ISO) 3 ,-. DS - 211 .';; l.. us T :. osj

    -l

    ,. ;; u cs

    jJ.

    l // ril!( cXJ)/i/O t?riJ).-w::JD 0 ~ ), , [ , II

    {; {! I . {!

    r

    JI .

    j l ci K - .JGSO j /.: - ! GSO U J..: - : GSO .

    I D =Go UK -U GSO[

    1-3, UK ::"-UGS +2,

    ([:K -[;GS

    J

    3/"

    ]// -d751C: 0V'~

    3 U};, - U C;So [; K - r/ Gsn J

    dinamickiparametri:

    . t:-.iD,stnnma: gm =- II DS =kOl7sr.

    t:-.UGS

    [

    if> I:'

    ]=G..

    (UK -UOS +UDS

    )- -

    ({f};.-(/CiS

    J

    -gm IJ rJ [ I' {. {:};'- ! OSli J f.: -. CiS"

    7( 01l/J () ,

    I!"

    ]

    {! f.: - U CiS

    J - (; . I-.. .'"' - ,,[ [{,, - [, ",J ?('

    1::c4C.

    ,. I d. .0 k dI.. 'j t:-.i/)

    IlZ azna mamlC a vo JIVOSt: g" =- =- lies =kOr!SI.I'd 6u OS

    , I!" l

    [ (U);, - U os +U DS 1 i

    gd =G(I' I - U);, - UGSo ) J

    : k k . o' 61/osI

    '

    la tor naponsogpOJacanJa: }I =-- I [) =kOl7sl.6Uos

    }I =g",. I'd (Barkhausenovarelacija)

    ...

  • . , .....- ..c. -. :).'

    MOSFET

    n-kanalniMOSFET: K> 0 p-kanaJniMOSFET: K

Recommended