Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD)

Kémiai leválasztás gőzfázisból(CVD)

Mizsei János

2013

PVD és CVD

• Physical Vapor Deposition:– Vákuum gőzölés– Katód porlasztás

• Chemical Vapor Deposition:– Két féle gőz a szelet felületén lép reakcióba– Vákuumtechnológia során a rendszer felnyitása

nélküli rétegleválasztás

EPI-CVD reaktorok

EPI-CVD reaktorok

Rétegleválasztás (CVD)

V. ö.: oxidáció

V. ö.: oxidáció

Rétegleválasztás (CVD)

Rétegleválasztás (CVD)

Si epitaxia, kémiai reakciók

• Szilános (SiH4) és tetrakloridos (SiCl4) rendszerek.

• Si tetrakloridos: 800-1200 C°

SiCl4+H2 -------------- SiCl2+HCl

Gáztérben: Si felületén adszorbálódik a SiCl2

2 SiCl2Si+SiCl4 SiCl4deszorbálódik

Si epitaxia, kémiai reakciók

• A teljes reakció:

SiCl4+H2 Si+4 HCl

• A kémiai reakciók megfordíthatók Si- tetraklorid koncentrációtól függően rétegnövekedés vagy marás is lehet.

Si epitaxia, kémiai reakciók

Rétegnövekedés sebessége SiCl4 epitaxiával.

Si epitaxia, kémiai reakciók

• Szilános rendszerek:

1000 C°

SiH4 --------- Si+ 2H2

A rétegnövekedés sebességét a hidrogén deszorpciója határozza meg.

A rétegnövekedés nem fordítható meg marás nem történik.

Rétegleválasztás (CVD) összefoglalás