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布里奇曼法 LaBr 3 :Ce 晶体生长. 为什么是 LaBr 3 :Ce 晶体生长的问题 晶体生长工艺 晶体性能. 为什么是 LaBr 3 :Ce. 2LaBr 3 +O 2 2LaOBr+2Br 2 LaBr 3 +H 2 O LaOBr+HCl. c. b. a. 晶体生长的问题. LaBr 3 极易潮解、氧化. ( 100 )严重解理 热膨胀各向异性突出. LaBr 3 非常容易开裂. P63/m a=7.96 c=4.51. 定向生长 自发成核技术. 晶体生长工艺. 原料预处理. - PowerPoint PPT Presentation
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布里奇曼法 LaBr3:Ce 晶体生长
为什么是 LaBr3:Ce
晶体生长的问题晶体生长工艺晶体性能
光输出( Ph/MeV )
能量分辨率(@662keV)
衰减时间(ns)
密度(g/cm3)
生长难易
LaBr3:Ce 70000 2.6% 30 5.1 难
LaCl3:Ce 58000 3.2% 28 3.9 较难
LuI3:Ce 80000 ? 30 5.6 很难
SrI2:Eu 120000 3.0% 1200 4.55 较难
为什么是 LaBr3:Ce
LaBr3 极易潮解、氧化
2LaBr3+O2 2LaOBr+2Br2
LaBr3+H2O LaOBr+HCl
LaBr3 非常容易开裂 ( 100 )严重解理热膨胀各向异性突出
定向生长自发成核技术
P63/m a=7.96 c=4.51
晶体生长的问题
ab
c
晶体生长工艺
原料预处理 抽真空封装 晶体生长
水、氧含量 < 1ppm 真空度 ~1pa 温度梯度 20~30C/cm
1 英寸 LaBr3:Ce 单晶生长技术已经成熟
晶体生长成果
晶体生长成果
毛胚晶体3850mm3
加工晶体1010 10mm3
晶体闪烁性能
300 350 400 450 500 550 600 650 70010
20
30
40
50
60
70
80
90
Testing conditions: PMT: 600V X-ray tube: 50kV
Inte
nsity
Wavelength / (nm)
X-ray excited emission spectrum
LaBr3:Ce
CsI:Tl
200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 7000
100
200
300
400
500
600
700
CsI:Tl
LaBr3:Ce
wavelength / (nm)
Inte
nsi
ty
UV luminescence spectrum
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 10000
10
20
30
40
50
60
70
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90
100
110
120
130
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150
160
Co
un
ts
Channel numbers
LaBr3(Ce) 12X12X10mm:3
CsI(Tl) 12.5X12.5X8mm:3
Multi-channel analysis of the LaBr3 crystal HV: 1000V Gain: 70
Channels E.R%
LaBr:Ce 729 8.0%CsI(Tl) 538 10.2%
X 射线激发 紫外激发
射线能谱