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3.1 半导体三极管( BJT ). 3.1.1 BJT 的结构简介. 3.1.2 BJT 的电流分配与放大原理. 3.1.3 BJT 的特性曲线. 3.1.4 BJT 的主要参数. 半导体三极管的结构示意图如图 03.1.01 所示。它有两种类型 : NPN 型和 PNP 型。 两种类型的三极管. 3.1.1 BJT 的结构简介. 集电极 , 用 C 或 c 表示( Collector )。. 发射极 , 用 E 或 e 表示( Emitter );. 集电区. 发射区. 基区. 发射结 (Je). 集电结 (Jc). - PowerPoint PPT Presentation
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3.1.1 BJT3.1 BJT3.1.2 BJT3.1.3 BJT3.1.4 BJT
3.1.1 BJT(Je) (Jc) BbBase EeEmitterCcCollector
end
3.1.2 BJT1. NPN
()BJT (Bipolar Junction Transistor) 3.1.2 BJT
2. IC= InC+ ICBOIB= IB - ICBO IC >> ICBOIE=IB+ IC
IE=IB+ IC2.
3. CE
3. CB
3. CC;IE=IB1
3. CC;CBCE
4. vI = 20mVVEEVCCVEBIBIEICvI+vEB+iC+iE+iBiE = -1 mAiC = iE = -0.98 mAvO = -iC RL = 0.98 V = 0.98
VBBVCCVBEIBIEICvI+vBE+iC+iE+iBvI = 20mV iB = 20 uAvO = -iC RL = -0.98 V = 0.984.
123.1.2 BJT# PNPNPN
3.1.2 BJTNPNPNPend
iB=f(vBE) vCE=const(2) vCE1V vCB= vCE - vBE>0 vBE IB(1) vCE=0V1. 3.1.3 BJT
(3) 1. 3.1.3 BJT
iC=f(vCE) iB=const2. :3.1.3 BJTend
3.1.4 BJT1.
(2) =IC/IBvCE=const3.1.4 BJT1.
(4) =IC/IE VCB=const3.1.4 BJT1.
3.1.4 BJT1.
2. ICEO (1) ICBO 3.1.4 BJT
(1) ICM(2) PCM PCM= ICVCE 3. 3.1.4 BJT
(3) V(BR)CBO V(BR) EBO V(BR)CEO V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR) EBO 3. 3.1.4 BJT
end