(CIC) H10-86A 審查會議時間表(TSRI)T18-108C 下線晶片資料請注意： 1.此資料包含:下線晶片與不下線晶片。 2.下線晶片資料按 10%部分負擔、新進教師晶片、優良晶片、教育性晶片排列。

(TSRI)T18-108C下線晶片資料

請注意：

1.此資料包含:下線晶片與不下線晶片。

2.下線晶片資料按 10%部分負擔、新進教師晶片、優良晶片、教育性晶片排列。

3.申請編號中，序號英文字母代表：A:10%部分負擔，E:教育性晶片，N:新進教師晶片，

I:優良晶片。序號之尾端字母代表：a:使用 Cell-based Design Kit，m:使用

Multi-option-MEMS(TSRI MEMS後製程)，M:整合晶片。

4.可否下線準則依序: 有無回覆委員建議(未回覆完整視同未回覆,不予下線)、審查評等結果(優

先順序為 A>B>C，D:視面積使用情況下線，F:不予下線)、教授加總積點、是否為科技部計

畫所需、可擺放的剩餘面積等。

5.若委員建議修改佈局，依規定不可比原佈局增加長寬邊的長度，違者則不予採用已修改之佈

局檔案。

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下線晶片資料(申請編號/專題名稱(課程名稱)/包裝形式/晶片面積)：

申請編號: T18-108C-A0001a

專題名稱(中文): 基於雙視角深度與三維光達之靜態物體切割技術與晶片設計

專題名稱(英文): Chip and System Design for Static Objects Segmentation Technology Based on 3D

LiDAR and Multi-View Depth Map

包裝形式: Package:100 CQFP:8Pcs + DieSort:10EA

晶片面積: 1.633*1.625 mm^2

申請編號: T18-108C-A0003

專題名稱(中文): 一個基於二元搜尋樹的回切技巧與殘值超取樣架構之十四位元每秒取樣二

百萬次之連續漸進逼近式類比數位轉換器

專題名稱(英文): A 14-Bit 2-MS/s SAR ADC With Tree-Based Reversed Switching and Residue

Oversampling

包裝形式: Package:N/A + DieSort:18EA

晶片面積: 1.460*2.480 mm^2

申請編號: T18-108C-A0004

專題名稱(中文): 一個基於逐漸趨近式類比數位轉換器之無鉛壓電MEMS加速規讀取電路

專題名稱(英文): A Piezoelectric MEMS Accelerometers Readout Circuit with SAR ADC


晶片面積: 1.176*2.033 mm^2

申請編號: T18-108C-A0007

專題名稱(中文): 應用於高電壓位準之發光二極體驅動器

專題名稱(英文): A LED Driver Applied to High Voltage Level


晶片面積: 1.338*0.975 mm^2

申請編號: T18-108C-A0009

專題名稱(中文): 具展頻技術之壓控振盪器式降壓轉換器

專題名稱(英文): A VCO-based buck converter with spread spectrum technique


晶片面積: 1.333*1.615 mm^2

申請編號: T18-108C-A0011a

專題名稱(中文): 基於條件式生成對抗網路之影像分解強化系統晶片設計

專題名稱(英文): Chip and System Design of Intrinsic Image Decomposition and Enhancement

Based on Conditional Generative Adversarial Network


晶片面積: 1.673*1.660 mm^2

申請編號: T18-108C-A0014a

專題名稱(中文): 基於 LS-R-YOLO神經網路演算法之即時物件偵測系統與晶片設計

專題名稱(英文): Chip and System Design of Real Time Object Detection Based on LS-R-YOLO

Network


晶片面積: 1.475*1.458 mm^2

申請編號: T18-108C-A0015

專題名稱(中文): 1x64線性光學相位陣列控制電路

專題名稱(英文): 1x64 linear optical phase array control circuit

包裝形式: Package:84 CLCC:8Pcs + DieSort:10EA

晶片面積: 3.940*0.980 mm^2

申請編號: T18-108C-A0016

專題名稱(中文): 24-GHz寬頻壓控振盪器電路設計

專題名稱(英文): 24-GHz Broadband Voltage Controlled Oscillator Circuit Design


晶片面積: 1.600*1.017 mm^2

申請編號: T18-108C-A0017

專題名稱(中文): CMOS MEMS垂直整合電容性濕度計、壓阻/電容式壓力計和溫度計之環境感

測器探討

專題名稱(英文): Monolithic vertically integration of CMOS MEMS capacitive humidity sensor,

piezoresistive/capacitive pressure sensor and temperature sensor for environment sensing hub


晶片面積: 2.200*2.200 mm^2

申請編號: T18-108C-A0018

專題名稱(中文): CMOS MEMS 透過背部蝕刻製作雙邊變形薄膜電容式壓力計實現與設計

專題名稱(英文): CMOS MEMS double deformable diaphragm capacitive pressure sensor with back

side etching process


晶片面積: 2.200*2.200 mm^2

申請編號: T18-108C-A0020

專題名稱(中文): 不同蕭特基二極體在 CMOS製程的實現及其跨域元件充電模式的靜電防護

能力

專題名稱(英文): Fabrication of different Schottky Diodes in CMOS and ability against cross

domain CDM ESD event


晶片面積: 1.780*0.994 mm^2

申請編號: T18-108C-A0022

專題名稱(中文): 自我修復進位選擇加法器

專題名稱(英文): Self-Repairing Carry-Select Adder

包裝形式: Package:24 S/B:8Pcs + DieSort:10EA

晶片面積: 0.765*0.764 mm^2

申請編號: T18-108C-A0023

專題名稱(中文): CMOS-MEMS 觸覺感測器之靈敏度與感測範圍調變之陣列設計

專題名稱(英文): CMOS-MEMS Tactile Sensor Array Designs for Sensitivity and Sensing Range

Tuning


晶片面積: 2.200*2.200 mm^2

申請編號: T18-108C-A0026

專題名稱(中文): 抵抗溫度變異且高精確度的 CMOS振幅/相位阻抗頻譜量測系統

專題名稱(英文): High accurarcy CMOS Magnitude/Phase Measurement Chip with temperature

compensation


晶片面積: 2.406*1.400 mm^2

申請編號: T18-108C-A0027

專題名稱(中文): 一個 0.033mm2之鎖相迴路採用次取樣技術實現

專題名稱(英文): A 0.033mm2 Sub-Sampling PLL


晶片面積: 0.920*0.620 mm^2

申請編號: T18-108C-A0028

專題名稱(中文): 全內建之低頻率低功耗震盪器

專題名稱(英文): Fully Built-In Low-Frequency Low-Power Oscillator


晶片面積: 0.968*0.838 mm^2

申請編號: T18-108C-A0029

專題名稱(中文): 內嵌式梳狀電極整合於 CMOS-MEMS電容式 3軸加速度計之設計與研究

專題名稱(英文): The design and research of CMOS-MEMS 3-axis capacitive accelerometer with

inside comb fingers


晶片面積: 2.178*2.178 mm^2

申請編號: T18-108C-A0031

專題名稱(中文): 應用於雙頻共存感測器接收機之 24 GHz 射頻前端電路設計

專題名稱(英文): 24 GHz RF Front-end Design Applied to Dual-band Coexistence Sensor Receiver


晶片面積: 2.198*1.092 mm^2

申請編號: T18-108C-A0032

專題名稱(中文): 利用正面深矽蝕刻與二氟化氙製程增加 CMOS-MEMS熱電堆紅外線感測器

之懸浮深度以提升元件響應度

專題名稱(英文): Using front-side DRIE and XeF2 etching processes to increase the releasing depth

of CMOS-MEMS thermopile infrared sensor and also the responsivity


晶片面積: 2.486*1.936 mm^2

申請編號: T18-108C-A0036

專題名稱(中文): CMOS-MEMS電容式壓力感測器利用階梯狀電極提升元件性能

專題名稱(英文): CMOS-MEMS capacitive pressure sensor with step-shaped electrode for

performance enhancement


晶片面積: 2.200*2.200 mm^2

申請編號: T18-108C-A0038

專題名稱(中文): 大面積下不同熱電偶尺寸對於雙空腔熱電能源採集器性能之研究

專題名稱(英文): Development of Double Cavity Thermoelectric Energy Harvesters with Different

Thermocouple Size in Large Area


晶片面積: 5.000*5.000 mm^2

申請編號: T18-108C-A0039

專題名稱(中文): 基板偏壓寬頻單刀雙擲開關設計

專題名稱(英文): Design of SPDT Switch with substrate bias


晶片面積: 1.000*0.646 mm^2

申請編號: T18-108C-A0041

專題名稱(中文): 3~6 GHz-寬頻低雜訊放大器

專題名稱(英文): 3~6 GHz-ultra wideband LNA


晶片面積: 0.877*0.999 mm^2

申請編號: T18-108C-A0042

專題名稱(中文): 利用 Q值提升技術設計 X頻段系統壓控振盪器

專題名稱(英文): Design of a VCO with Q-Enhancement for X Band Application


晶片面積: 0.680*0.642 mm^2

申請編號: T18-108C-A0043

專題名稱(中文): 應用於多級低雜訊放大器之新型電感結構與其穩定度之探討

專題名稱(英文): A research of novel EMI suppression inductor and Its application to 2.4 GHz

Multi-stage LNA


晶片面積: 2.503*1.965 mm^2

申請編號: T18-108C-A0044

專題名稱(中文): 24-GHz 低功耗接收機前端電路設計

專題名稱(英文): 24-GHz Design of Low Power Receiver Front-end Circuit


晶片面積: 1.455*1.618 mm^2

申請編號: T18-108C-A0045

專題名稱(中文): 數位式頻率合成器

專題名稱(英文): Digital Frequency Synthesizer


晶片面積: 1.148*0.780 mm^2

申請編號: T18-108C-A0046

專題名稱(中文): 使用台積電 180 nm CMOS製程設計之 Ku頻帶被動式接收機

專題名稱(英文): A Ku band Passive receiver in TSMC 180 nm CMOS


晶片面積: 1.104*0.798 mm^2

申請編號: T18-108C-A0048

專題名稱(中文): 透過電極結構設計增快反應時間之 CMOS MEMS 電容式溼度計並單晶整

合溫度計與壓力計

專題名稱(英文): A Monolithically Integrated CMOS MEMS Environmental Hub with improvement

of response time by structural design


晶片面積: 2.200*2.200 mm^2

申請編號: T18-108C-A0049

專題名稱(中文): 在 CMOS MEMS標準製程平台實現與設計單晶整合式環境感測中樞

專題名稱(英文): Design and Implementation of Monolithically Integrated CMOS MEMS

Environmental Hub


晶片面積: 2.013*2.409 mm^2

申請編號: T18-108C-A0051

專題名稱(中文): CMOS-MEMS電容接觸式壓力感測器

專題名稱(英文): CMOS-MEMS touch mode capacitive pressure sensor


晶片面積: 2.200*1.980 mm^2

申請編號: T18-108C-A0054

專題名稱(中文): 寬頻架構之 2.4/5.2 GHz 雙頻高阻抗低雜訊放大器

專題名稱(英文): 2.4/5.2 GHz High Impedance Dual-Band LNA with Broadband Structure


晶片面積: 1.200*1.200 mm^2

申請編號: T18-108C-A0059

專題名稱(中文): 應用於雙頻共存感測器接收機射頻前端電路之 24-GHz低功耗射頻前端電路

設計

專題名稱(英文): 24-GHz Low power RF Front-end applied in Dual-band Coexistence Sensor

Receiver RF Front-end Design


晶片面積: 1.964*0.966 mm^2

申請編號: T18-108C-A0064m

專題名稱(中文): 具旁通二極體之高壓 CMOS光伏元件 3D整合平台

專題名稱(英文): Three-dimensional integration of high-voltage CMOS photovoltaic chip and

bypass diodes


晶片面積: 2.199*2.199 mm^2

申請編號: T18-108C-A0065m

專題名稱(中文): 應用於驅動電致變色元件之 CMOS高壓太陽能電池模組

專題名稱(英文): High-voltage CMOS solar cell module for driving electrochromic devices


晶片面積: 4.069*4.069 mm^2

申請編號: T18-108C-A0070

專題名稱(中文): 具頻率鎖定之時基控制模式可變電源的直流-直流降壓穩壓器

專題名稱(英文): A frequency Locked variable power supply dc-dc buck converter using Time-based

control Techniques


晶片面積: 0.789*0.773 mm^2

申請編號: T18-108C-N0001

專題名稱(中文): 具有 5G應用的高效能低功耗壓控振盪器

專題名稱(英文): A Low Power Voltage-Controlled Oscillator with High Performance for 5G

Applications


晶片面積: 0.955*0.655 mm^2

申請編號: T18-108C-R0004

專題名稱(中文): 應用於 Sub-6 GHz低雜訊電容耦合式四相位壓控振盪器

專題名稱(英文): Design of Low Phase Noise Capacitor-coupled Quadrature Voltage Controlled

Oscillator for Sub-6 GHz


晶片面積: 0.721*1.278 mm^2

申請編號: T18-108C-R0005

專題名稱(中文): 使用具負轉導之傳輸線基全通網路之 35-GHz四位元相位偏移器

專題名稱(英文): 35-GHz 4-Bit Phase Shifter Using Transmission-Line-Based All-Pass Networks

with Negative Transconductance


晶片面積: 1.000*2.000 mm^2

申請編號: T18-108C-R0006

專題名稱(中文): 1x64線性光學相位陣列控制電路

專題名稱(英文): 1x64 linear optical phase array control circuit

包裝形式: Package:84 CLCC:8Pcs + DieSort:10EA

晶片面積: 3.940*0.980 mm^2

申請編號: T18-108C-R0010

專題名稱(中文): 以長通道場效電晶體為基礎之光感測元件測試系統開發

專題名稱(英文): The development of photodetector testing system based on long channel MOSFET


晶片面積: 1.200*1.199 mm^2

申請編號: T18-108C-R0016a

專題名稱(中文): 高推動力之 Delta-Sigma DAC

專題名稱(英文): High Driving Delta-Sigma DAC


晶片面積: 1.420*1.402 mm^2

申請編號: T18-108C-R0018

專題名稱(中文): 非侵入式物質感測系統

專題名稱(英文): A Non-Invasive Material Sensing System


晶片面積: 1.200*1.200 mm^2

申請編號: T18-108C-R0019

專題名稱(中文): 以薄膜擠壓效應為基礎之電容式高感測度 CMOS微機電壓力感測器開發

專題名稱(英文): Development of Squeeze-film Based CMOS MEMS Capacitive Pressure

Sensors with High Sensitivity


晶片面積: 1.003*1.005 mm^2

申請編號: T18-108C-R0020a

專題名稱(中文): 含 D類放大器之強健式MASH2-1三角積分調變器

專題名稱(英文): A Modified Sturdy MASH-21 delta-sigma D-A converter with a Class D power

amplifier.


晶片面積: 1.306*1.314 mm^2

申請編號: T18-108C-R0021a

專題名稱(中文): 心電圖偵測晶片

專題名稱(英文): ECG detection chip


晶片面積: 1.101*1.087 mm^2

申請編號: T18-108C-R0023

專題名稱(中文): 帕金森氏症臨床穿戴感測評估應用之寬範圍阻抗量測晶片設計

專題名稱(英文): Wide Range Impedance Detection Circuit Chip Design for Clinical Wearable

Parkinson's Disease Evaluation


晶片面積: 0.945*0.693 mm^2

申請編號: T18-108C-R0025a

專題名稱(中文): 應用於深層腦刺激術並具電荷平衡功能之可調式波形雙相位電流模式電刺

激器電路

專題名稱(英文): A Biphasic Current-Mode Electrical Stimulator with Charge Balance for Deep

Brain Stimulation Applications


晶片面積: 1.278*1.358 mm^2

申請編號: T18-108C-R0026

專題名稱(中文): 光學編碼感測晶片電路 II

專題名稱(英文): Optical Encoder II


晶片面積: 1.654*1.443 mm^2

申請編號: T18-108C-R0027

專題名稱(中文): 應用於人體的低功耗無電感式射頻前端電路

專題名稱(英文): Low-power Inductorless RF front-end for the human body


晶片面積: 1.285*1.138 mm^2

申請編號: T18-108C-R0030

專題名稱(中文): 不同電極配置與不同面積大小之微型靜電式轉移頭

專題名稱(英文): Design and implementation of electrostatic transfer


晶片面積: 2.070*2.020 mm^2

申請編號: T18-108C-R0031

專題名稱(中文): 應用於人體的低相位雜訊電壓控制振盪器

專題名稱(英文): A low phase noise voltage-controlled oscillator for the human body


晶片面積: 1.121*1.321 mm^2

申請編號: T18-108C-R0035

專題名稱(中文): 用於新型 OLED-OPD柔性貼片 PPG傳感器的新型自適應讀出系統

專題名稱(英文): A New Adaptive Readout System for a New OLED-OPD Flexible Patch PPG

Sensor


晶片面積: 0.871*0.861 mm^2

申請編號: T18-108C-R0038

專題名稱(中文): 轉導斜波相位交錯技術且具有適應性導通時間多相位降壓轉換器

專題名稱(英文): A Gm-Ramped Interleaving Technique with Adaptive-Extended TON Control

(AETC) Scheme for Multi-phase Buck Converter Achieving Ultra-Fast Load Response


晶片面積: 1.652*2.367 mm^2

申請編號: T18-108C-R0041

專題名稱(中文): 三軸雙十字磁場微感測器

專題名稱(英文): Three-axis two-cross magnetic field micro sensor


晶片面積: 0.911*0.979 mm^2

申請編號: T18-108C-R0044

專題名稱(中文): 使用雜訊消除技術 24-GHz高轉換增益降頻主動混頻器

專題名稱(英文): A 24-GHz High Conversion Gain Down-Conversion Active Mixer Using Noise

Cancellation Technique


晶片面積: 0.690*0.640 mm^2

申請編號: T18-108C-R0045

專題名稱(中文): 具有製程補償之 6GHz電壓控制振盪器

專題名稱(英文): 6GHz VCO with Process Compensation Scheme


晶片面積: 0.923*0.898 mm^2

申請編號: T18-108C-I0003

專題名稱(中文): 應用於土壤能源擷取 LED光能刺激器提升轉換效率控制電荷幫浦

專題名稱(英文): Charge Pump for LED driver light stimulation by Soil Energy Harvesting


晶片面積: 1.295*1.143 mm^2

申請編號: T18-108C-I0008

專題名稱(中文): 可同時光獵能及偵測之智慧型光處理器

專題名稱(英文): Intelligent Light Processor for Simultaneously Light Energy Harvesting and

Sensing


晶片面積: 1.212*1.256 mm^2

申請編號: T18-108C-I0009

專題名稱(中文): 應用於獵取室內光能之積體化光伏二極體

專題名稱(英文): Integrated Photodiode for Indoor Light-Energy Harvesting


晶片面積: 5.001*5.001 mm^2

申請編號: T18-108C-I0010

專題名稱(中文): 寬動態功率範圍無線能量擷取電源管理電路

專題名稱(英文): Wide Input-Range RF Energy Harvesting System


晶片面積: 1.426*0.815 mm^2

申請編號: T18-108C-E0001

專題名稱(中文): 專題研究(null)

專題名稱(英文): 13.56MHz電流型無線功率接受器設計(13.56MHz Current-Mode wireless

Power Receiver)


晶片面積: 1.200*1.200 mm^2

申請編號: T18-108C-E0002

專題名稱(中文): 類比積體電路設計(null)

專題名稱(英文): 離子場效電晶體感測器之時域讀取電路(Time-Base readout circuit for ISFET)


晶片面積: 1.199*1.200 mm^2

申請編號: T18-108C-E0003

專題名稱(中文): 積體電路設計專題研究(二)(Special Studies in Integrated Circuit Design)

專題名稱(英文): 疊接 SICML除 6鎖定除頻器&8 sharp電感(Divider by 6 Injection-Locked

Frequency Divider with Cascoded SICML & 8 sharp inductor)


晶片面積: 0.970*0.816 mm^2

申請編號: T18-108C-E0005

專題名稱(中文): 高頻電路設計(null)

專題名稱(英文): 低軌道衛星 Ku-band低雜訊放大器(Low earth Orbit Satellite KU-band CMOS

LNA )


晶片面積: 1.204*0.944 mm^2

申請編號: T18-108C-E0006

專題名稱(中文): 電力電子積體電路設計(null)

專題名稱(英文): 具 10位元 10Msps低功耗循序漸進式類比數位轉換器(A low power 10bit

10Msps SAR ADC)


晶片面積: 0.721*0.738 mm^2

申請編號: T18-108C-E0007


專題名稱(英文): 具自我震盪之高轉換率時域溫度感測器晶片設計(Chip design of a high

conversion rate time-domain temperature sensor with self-oscillation)


晶片面積: 0.848*0.780 mm^2

申請編號: T18-108C-E0008

專題名稱(中文): 專題研討(Seminar)

專題名稱(英文): 具迴路頻寬切換之 5GHz頻率合成器(5GHz frequency synthesizer with loop

bandwidth switching )


晶片面積: 1.029*1.010 mm^2

申請編號: T18-108C-E0009

專題名稱(中文): 專題實務(null)

專題名稱(英文): 利用線性反饋移位暫存器來驗證全加器(Using linear feedback shift register to

verify Full-Adder)


晶片面積: 1.018*1.018 mm^2

申請編號: T18-108C-E0010

專題名稱(中文): 積體電路設計(null)

專題名稱(英文): 混合式參考電壓電路設計(Mixed-Mode Reference Voltage Circuit Design)


晶片面積: 0.758*0.758 mm^2

申請編號: T18-108C-E0011




晶片面積: 0.758*0.758 mm^2

申請編號: T18-108C-E0012


專題名稱(英文): 260M 12bit新型類比數位轉換器晶片設計(Chip Design of a novel 260M 12bit

ADC)


晶片面積: 0.571*0.573 mm^2

申請編號: T18-108C-E0014

專題名稱(中文): 實務專題(一)(null)

專題名稱(英文): CMOS兩級運算放大器(CMOS Two-stage Operational Amplifier)


晶片面積: 0.628*0.628 mm^2

申請編號: T18-108C-E0015

專題名稱(中文): 系統晶片設計(null)

專題名稱(英文): 自動準位回復之低功率加法器設計(Low power full adder design with

conditional voltage swing scheme)


晶片面積: 1.018*1.018 mm^2

申請編號: T18-108C-E0017


專題名稱(英文): 具自適應之脈波頻率調節升壓轉換器(PFM Boost Converter with Adaptive

Peak Current Control Technique)


晶片面積: 0.604*0.670 mm^2

申請編號: T18-108C-E0018


專題名稱(英文): 具電壓選擇之頻率調節升壓轉換器(PFM Boost Converter with Voltage Select

Technique)


晶片面積: 0.604*0.670 mm^2

申請編號: T18-108C-E0020

專題名稱(中文): 專題研究(一)(null)

專題名稱(英文): 血液濃度感測讀取電路之設計與實現(Design and implementation of blood

concentration sensing readout circuit)


晶片面積: 0.411*0.320 mm^2

申請編號: T18-108C-E0021

專題名稱(中文): 電子書報討論(二)(null)

專題名稱(英文): 脈波寬度電流轉換電路實現低參考頻率突波之 5GHz鎖相迴路電路設計設計

改良(A 5-GHz Spur-Suppression Phase-Lock Loop Using Pulse-Width to Current Conversion)


晶片面積: 1.199*1.199 mm^2

申請編號: T18-108C-E0022

專題名稱(中文): 射頻與微波積體電路(null)

專題名稱(英文): 28GHz相移器(28GHz Phase Shifter)


晶片面積: 0.940*0.570 mm^2

申請編號: T18-108C-E0023

專題名稱(中文): 無線傳輸積體電路(null)

專題名稱(英文): 2.4 GHz之四相位壓控振盪器設計(Design of quadrature VCO for 2.4 GHz)


晶片面積: 1.085*1.052 mm^2

申請編號: T18-108C-E0024

專題名稱(中文): 電子工程專題(二)(null)

專題名稱(英文): 低雜訊放大器( Low Noise Amplifier)


晶片面積: 1.191*0.665 mm^2

申請編號: T18-108C-E0027

專題名稱(中文): CMOS射頻積體電路設計(null)

專題名稱(英文): 18GHz高增益低功耗混頻器(An 18GHz High Gain Low Power Mixer)


晶片面積: 1.052*1.190 mm^2

申請編號: T18-108C-E0028a

專題名稱(中文): 無線通訊功率放大器設計(null)

專題名稱(英文): 以 0.18um CMOS製程實現 28bits 串列周邊傳輸介面(Design a 28bit-SPI in

0.18um CMOS Technology)


晶片面積: 0.896*0.738 mm^2

申請編號: T18-108C-E0029


專題名稱(英文): 交互二次取樣之電容式指紋晶片設計(Design of Capacitive Fingerprint Sensing

Chip with Double Sampling Scheme)


晶片面積: 0.898*1.013 mm^2

申請編號: T18-108C-E0030

專題名稱(中文): 射頻被動電路設計(Design of RF Passive Circuits )

專題名稱(英文): 使用串聯峰值電感技術的 K頻段除二注入鎖定除頻器(K-Band Divide-by-2

Wide Locking Range Injection-Locked Frequency Divider with Series Peaking Inudctors)


晶片面積: 1.000*1.000 mm^2

申請編號: T18-108C-E0033

專題名稱(中文): 碩士論文(null)

專題名稱(英文): 具快速暫態電路之固定導通時間降壓轉換器(Constant On-Time Buck

Converter with Fast Transient circuit)


晶片面積: 0.780*0.784 mm^2

申請編號: T18-108C-E0034a

專題名稱(中文): 積體電路設計專題研究(二)(null)

專題名稱(英文): 基於面積優化的 cordic演算法之正餘弦產生器(Sine/cosine generator based on

an area-efficient cordic algorithm)


晶片面積: 0.700*0.700 mm^2

申請編號: T18-108C-E0035

專題名稱(中文): 雙極互補金氧半混合訊號積體電路(null)

專題名稱(英文): 一個使用偏壓複製震盪器技術之鎖相迴路(A PLL using bias replica oscillator)


晶片面積: 1.098*1.098 mm^2

申請編號: T18-108C-E0036


專題名稱(英文): 除一注入鎖定除頻器之功率放大器(Divider 1 Injection-Locked Frequency

Divider Using Power Amplifier)


晶片面積: 1.159*1.069 mm^2

申請編號: T18-108C-E0037

專題名稱(中文): 射頻電晶體與放大器:分析與設計(null)

專題名稱(英文): 除七注入鎖定除頻器(Divide 7 Injection Lock Frequency Divider)


晶片面積: 0.899*1.198 mm^2

申請編號: T18-108C-E0038

專題名稱(中文): IC佈局設計與實務(3.5 GHz phase-locked loop for 5G bands)

專題名稱(英文): 應用於 5G頻段的 3.5 GHz鎖相迴路(3.5 GHz phase-locked loop for 5G bands)


晶片面積: 1.175*1.160 mm^2

申請編號: T18-108C-E0039

專題名稱(中文): 射頻被動電路設計(null)

專題名稱(英文): 24GHz Doherty功率放大器使用 0.18微米互補式金氧半導體製程(24GHz

Doherty Power Amplifier in 0.18um CMOS)


晶片面積: 1.200*1.200 mm^2

申請編號: T18-108C-E0040


專題名稱(英文): CMOS兩級運算放大器(CMOS Two-stage Operational Amplifier)


晶片面積: 0.628*0.628 mm^2

申請編號: T18-108C-E0041

專題名稱(中文): 電源管理晶片之分析與設計(Analysis and design of power management

integrated circuit)

專題名稱(英文): 應用於氣體感測器之電阻轉頻率式偵測電路(Resistance to frequency detection

circuit for gas sensor)


晶片面積: 0.568*0.503 mm^2

申請編號: T18-108C-E0042


專題名稱(英文): 3-12 GHz超寬頻低雜訊放大器(3-12 GHz Ultrawideband Low Noise Amplifier)


晶片面積: 1.180*1.180 mm^2

申請編號: T18-108C-E0043

專題名稱(中文): 電力電子學(null)

專題名稱(英文): 低靜態電流和快速反應之低壓降穩壓器(low quiescent current and fast

transient for digital low drop-out regulator)


晶片面積: 1.199*1.201 mm^2

申請編號: T18-108C-E0044


專題名稱(英文): 一個十位元每秒一千萬次取樣頻率的逐漸趨近式類比數位轉換器(A 10-bit

10MS/s SAR Analog to Digital Converter)


晶片面積: 1.198*1.198 mm^2

申請編號: T18-108C-E0045


專題名稱(英文): 除十注入鎖定除頻器(Divide 10 Injection Lock Frequency Divider)


晶片面積: 1.005*1.200 mm^2

申請編號: T18-108C-E0046


專題名稱(英文): 超高效正面照光積體化太陽能電池(High efficiency CMOS frontal-illuminated

solar cell)


晶片面積: 1.200*1.200 mm^2

申請編號: T18-108C-E0048




晶片面積: 0.758*0.758 mm^2

申請編號: T18-108C-E0049

專題名稱(中文): 實務專題(null)

專題名稱(英文): W-2W 電流數位類比轉換器(W-2W Current DAC)


晶片面積: 1.018*1.018 mm^2

申請編號: T18-108C-E0051m

專題名稱(中文): 微機電系統(null)

專題名稱(英文): 串並聯熱電能源收集器(serial-parallel thermoelectric energy harvester)


晶片面積: 1.200*1.199 mm^2

申請編號: T18-108C-E0052

專題名稱(中文): 電機實務專題(一)積體電路與系統(null)

專題名稱(英文): 使用 0.18um CMOS製程的 150MHz低功率鎖相迴路(A 150MHz Low-Power

PLL by 0.18um CMOS Process)


晶片面積: 0.918*0.923 mm^2

申請編號: T18-108C-E0053

專題名稱(中文): 電機實務專題(一)積體電路與系統(null)

專題名稱(英文): 可除 2~15除頻器(Clock Divider2~15)


晶片面積: 0.630*0.628 mm^2

申請編號: T18-108C-E0054


專題名稱(英文): 應用 CMOS 180 nm製程實現 Ka-band相對相位及振幅偵測系統(A Ka-band

Relative Amplitude and Phase Detection System in CMOS 180 nm Process)


晶片面積: 0.820*0.750 mm^2

申請編號: T18-108C-E0055

專題名稱(中文): 積體電路設計專題研究(一)(null)

專題名稱(英文): 雙注入除一鎖定除頻器使用變壓器代替MOSFET緩衝閘(Dual divider by 1

injection locked frequency divider using transformer replace MOSFET buffer)


晶片面積: 1.173*1.177 mm^2

申請編號: T18-108C-E0056

專題名稱(中文): 記憶晶片設計(null)

專題名稱(英文): CMOS運算放大器與低壓降穩壓器之應用(Study on Design of CMOS

Operational Amplifier)


晶片面積: 1.178*1.023 mm^2

申請編號: T18-108C-E0057


專題名稱(英文): 應用於 5GHz系統使用多閘級技術之高線性度混頻器設(Design of a High

Linearity Mixer Using Multiple gated transistor Technique for 5GHz Systems)


晶片面積: 1.095*0.997 mm^2

申請編號: T18-108C-E0058

專題名稱(中文): 證照實務(一)(null)

專題名稱(英文): 傳統型低壓差穩壓器(Conventiona Low-Dropout-Regulator)


晶片面積: 0.342*0.304 mm^2

申請編號: T18-108C-E0059

專題名稱(中文): 證照實務(一)(null)

專題名稱(英文): 具偏壓電路之高精準度曲線補償能隙參考電路(An

Adjusted-Temperature-Curvature Compensation Sub-1v Bandgap with Bias Circuit)


晶片面積: 0.304*0.328 mm^2

申請編號: T18-108C-E0060a

專題名稱(中文): VLSI信號處理設計(null)

專題名稱(英文): 心電圖異常偵測晶片(ECG anomaly detection chip)


晶片面積: 0.864*0.855 mm^2

申請編號: T18-108C-E0061


專題名稱(英文): 應用於壓電元件之固定儲能時間降壓電路(Constant on-time buck converter for

Piezoelectric Element)


晶片面積: 0.821*0.666 mm^2

申請編號: T18-108C-E0062


專題名稱(英文): 28GHz向量合成式相移器設計(28GHz_VSPS)


晶片面積: 0.925*0.560 mm^2

申請編號: T18-108C-E0063


專題名稱(英文): 超低功耗十二位元類比至數位轉換器(Ultra Low Power 12-Bit

Analog-to-Digital Converter)


晶片面積: 1.030*1.028 mm^2

申請編號: T18-108C-E0064


專題名稱(英文): 具有溫度保護的低壓差線性穩壓器(Low-Dropout Regulator with Over

Temperature Protection)


晶片面積: 0.861*0.421 mm^2

申請編號: T18-108C-E0065


專題名稱(英文): 28GHz 緩衝放大器(28GHz Buffer Amplifier)


晶片面積: 0.687*0.392 mm^2

申請編號: T18-108C-E0066


專題名稱(英文): 結合 FPGA可程式化邏輯設計(programmable logic circuits with FPGA)


晶片面積: 1.047*1.076 mm^2

申請編號: T18-108C-E0067


專題名稱(英文): 一具有零電流偵測之固定導通時間降壓轉換器(A Constant On-Time Buck

Converter with Zero Current Detector)


晶片面積: 1.193*1.184 mm^2

申請編號: T18-108C-E0069

專題名稱(中文): 類比積體電路設計(碩班)(null)

專題名稱(英文): 利用感測讀取電路溫度補償提高溫度感測器之線性度(Using Temperature

Compensation of Sensing Readout Circuit to Improve the Linearity of Temperature Sensor)


晶片面積: 1.205*1.200 mm^2

申請編號: T18-108C-E0070

專題名稱(中文): 微感測器原理與應用(null)

專題名稱(英文): 一個具有比較器偏移電壓消除之低功率 RC震盪器(A Low-Power RC

Oscillator with Comparator Offset Cancellation)


晶片面積: 0.391*0.256 mm^2

申請編號: T18-108C-E0071


專題名稱(英文): 具自適應電感峰值電流技術之脈波頻率調變降壓轉換器(PFM Buck Converter

with Adaptive Peak Current Control Technique)


晶片面積: 0.457*0.882 mm^2

申請編號: T18-108C-E0072

專題名稱(中文): 超大型積體電路設計實習(null)

專題名稱(英文): 具有靴帶式偏壓電路之電流式數位類比轉換器(current DAC with boostrap

biasing )


晶片面積: 1.018*1.018 mm^2

申請編號: T18-108C-E0073

專題名稱(中文): 電機實務專題(上)(null)

專題名稱(英文): 具帶差參考電壓電路之電流式數位類比轉換器(Current DAC with bandgap

reference biasing)


晶片面積: 1.018*1.178 mm^2

申請編號: T18-108C-E0076

專題名稱(中文): 實作專題一(實做專題)

專題名稱(英文): 一個可消除偏移誤差及閃爍雜訊壓抑的互補式金氧半導體飛時測距型深度

影像感測器(A CMOS Time-of-Flight Depth Image Sensor with In-Pixel Offset Cancellation and

Flicker Noise Suppression)


晶片面積: 1.199*1.199 mm^2

申請編號: T18-108C-E0077

專題名稱(中文): 專題討論(III)(null)

專題名稱(英文): 以MOBILE理論為基礎之調變MOS-NDR電路來設計加法器(Design of

MOBILE-based Adder by Modulating MOS-NDR Circuit)


晶片面積: 0.875*0.890 mm^2

申請編號: T18-108C-E0078

專題名稱(中文): 專題製作(一)(null)

專題名稱(英文): 電流回授運算放大器之研究(Current Feedback Operational Amplifiers

approach)


晶片面積: 0.800*0.800 mm^2

申請編號: T18-108C-E0079

專題名稱(中文): 專題製作(一)(null)

專題名稱(英文): 電壓式多功能濾波器設計(Design of voltage-mode multifunction filter)


晶片面積: 0.800*0.800 mm^2

申請編號: T18-108C-E0080


專題名稱(英文): 電壓式震盪器設計(Design of voltage-mode oscillator)


晶片面積: 0.800*0.800 mm^2

申請編號: T18-108C-E0081m

專題名稱(中文): 半導體元件物理與技術(null)

專題名稱(英文): CMOS多種材料之席貝克係數與熱導率及閃爍雜訊用於熱感型元件的量測研

究(Study on the Measurement of the Seebeck Coefficient & the Thermal Conductivity and the

Flicker Noise of Multiple Materials in CMOS Process for Thermal Sensor Divice)


晶片面積: 1.198*1.195 mm^2

申請編號: T18-108C-E0082


專題名稱(英文): 應用於鋰離子電池充電的溫度感測器(Temperature sensor for charging

lithium-ion battery)


晶片面積: 0.451*0.657 mm^2

申請編號: T18-108C-E0083a

專題名稱(中文): VLSI信號處理設計(null)

專題名稱(英文): 圖形辨識晶片(Graphics identification chip)


晶片面積: 0.991*0.980 mm^2

申請編號: T18-108C-E0084


專題名稱(英文): 2.4GHz 低雜訊放大器(2.4GHz low-noise amplifier)


晶片面積: 0.810*0.860 mm^2

申請編號: T18-108C-E0085a


專題名稱(英文): 心電圖偵測晶片(ECG detection chip)


晶片面積: 1.118*1.106 mm^2

申請編號: T18-108C-E0086a


專題名稱(英文): Vedic二進制乘法器設計實現(Vedic Binary Multiplier Design implementation)


晶片面積: 0.736*0.736 mm^2

申請編號: T18-108C-E0087

專題名稱(中文): 積體電路設計導論(null)

專題名稱(英文): 軌對軌放大器(Rail-to-Rail Input/Output Operational Amplifier)


晶片面積: 0.629*0.629 mm^2

申請編號: T18-108C-E0088


專題名稱(英文): 基於多相位延遲鎖定迴路之可程式化整數/非整數時脈合成器(Programmable

Integral / Fractional Clock Synthesizer based on Multi-phase DLL)


晶片面積: 1.133*1.033 mm^2

申請編號: T18-108C-E0090


專題名稱(英文): 八位元序列周邊介面(8Bit Serial Peripheral Interface)


晶片面積: 1.200*1.200 mm^2

申請編號: T18-108C-E0091a


專題名稱(英文): 基於 Radix-22演算法之 16點定點管線化快速傅立葉轉換處理器(A

Radix-22-Based 16-Fixed-Point Pipeline FFT Processor)


晶片面積: 1.128*1.124 mm^2

申請編號: T18-108C-E0092a


專題名稱(英文): 可選擇平均資料數的脈波寬度轉換 13位元串列輸出之溫度感測電路

(Temperature sensor with 13-bit serial output and the option of data number selection for average)


晶片面積: 1.200*1.200 mm^2

申請編號: T18-108C-E0093

專題名稱(中文): 電機實務專題(一)演化式計算、射頻電路與光電(null)

專題名稱(英文): 60-GHz CMOS 濾波型功率分配器(60-GHz CMOS Filtering Power Divider)


晶片面積: 0.557*0.580 mm^2

申請編號: T18-108C-E0094

專題名稱(中文): 電機專題工程(二)(null)

專題名稱(英文): 一個十位元每秒取樣兩千萬次的逐漸趨近式類比數位轉換器(A 10bit 20MS/s

SAR ADC)


晶片面積: 1.218*1.150 mm^2

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二、不下線名單:

T18-108C-A0025 面積用罄不下線



T18-108C-R0007 面積用罄不下線










T18-108C-E0013 面積用罄不下線







T18-108C-A0040 F評比,不下線

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Documents

(CIC) H10-86A 審查會議時間表(TSRI)T18-108C 下線晶片資料 請注意： 1.此資料包含:下線晶片與不下線晶片。 2.下線晶片資料按 10%部分負擔、新進教師晶片、優良晶片、教育性晶片排列。

(CIC) H10-86A 審查會議時間表(TSRI)T18-108C 下線晶片資料請注意： 1.此資料包含:下線晶片與不下線晶片。 2.下線晶片資料按 10%部分負擔、新進教師晶片、優良晶片、教育性晶片排列。