Upload
will
View
52
Download
1
Embed Size (px)
DESCRIPTION
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.1. Halvledarminnen:. Latchar, vippor 1 bit Register (ett ord)4, 8,16, 32,…bit Normala minnenkbit, Mbit, 1Gb (år 2000), 2Gb (2005). (2Gb Samsung Semiconductor K4H2G0638A 512M*4bit). - PowerPoint PPT Presentation
Citation preview
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.1
Halvledarminnen:
Latchar, vippor 1 bitRegister (ett ord) 4, 8,16, 32,…bitNormala minnen kbit, Mbit, 1Gb (år 2000), 2Gb (2005)
Andra minnen:
MagnetiskaOptiska
Ett 2 Gb minneschip kan organiseras som 256M*8 bit = 256 MB
En sida i läroboken Digitala kretsar består av 42 rader*80 tecken. Om varje tecken lagras med 16 bitar så innebär det att texten till 68 läroböcker kan rymmas i en 256 MB minneskapsel.
(2Gb Samsung Semiconductor K4H2G0638A 512M*4bit)
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.2
Från www.icknowledge.com
…. a summary chart of DRAM technology over time.
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.3
Minnesmodell:
AdressbussDatabussStyrsignalerOrdlängdAntal ordAcesstid
Ett antal lika stora minnesceller som vardera rymmer ett binärt ordData överförs via dataledningarna Dm … D1 D0
Minnescellerna väljs, adresseras, med adressledningarna An … A1 A0
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.4
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.5
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.6
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.7
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.1 Halvledarminnen, Inledning 7:1.8
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.9
Läsminne princip
8 ord med 2 bitar
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.10
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.11
Expansion till ett minne med flera kapslar
Princip för expansion med fler kapslar
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.12
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.13
PROM Programmable Read Only Memory
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.14
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.15
Figur 7.15Modell för ett minneschip
Radval
Kolumnval
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.16
EPROM Erasable Programmable Read Only Memory
Figur 7.16 MOS-transistor med flytande styre
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.17
Figur 7.17Programmering av MOS-transistor medflytande styre
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.18
Figur 7.19
Intels första och sista EPROM, 1971-1992
1702 (256 byte)27040 (512 kbyte)
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.19
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.20
USB minne 2 GB
Inköpt hösten 2007, 199 kr
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.21
Från www.intel.com
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.22
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.23
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.24
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.25
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.26
Från http://en.wikipedia.org/
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.27
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.28
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.29
In 2005, Toshiba and SanDisk developed a NAND flash chip capable of storing 1 GB of data using Multi-level Cell (MLC) technology, capable of storing 2 bits of data per cell. In September 2005, Samsung Electronics announced that it had developed the world’s first 2 GB chip.[7]
In March 2006, Samsung announced flash hard drives with a capacity of 4 GB, essentially the same order of magnitude as smaller laptop hard drives, and in September of 2006, Samsung announced an 8 GB chip produced using a 40 nm manufacturing process.[8]
Digitalteknik 7.5 hp distans: 7.2 Läsminnen 7:1.30