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蓝矽科技有限公司成立于 2018 年，是一家资金雄厚的功率半导体设计公司，公司的目标是充分利用国

内外人才和资源，成为国内领先的功率半导体设计公司。 公司总部位于成都，是半导体公司的最佳选址之一，基于其良好的基础设施、配套产业、生活和工作环

境。此外，在上海，香港，新加坡和美国也拥有资源。公司已与晶圆厂，孵化器，知名高校和封装厂等

结成战略合作伙伴关系，形成了完整的生态系统，来促进公司的长足发展。

MOSFET 蓝矽科技推出行业领先的 MOSFET，特别适用于对产品性能和质量要求严苛的电源、电池管理和电机

驱动应用。

BlueMOS 新一代 BlueMOS 器件在芯片设计、晶圆加工和器件封装方面 均

进行了技术改进，为当今的电力电子系统设计带来了诸多优 势

。 与以前的器件相比，新一代产品的导通电阻与硅面积乘积减小 了

20% 以上，能够实现较低的导通损耗，最大程度降低栅极电 荷

（Qg），从而减少了开关损耗。因而能够降低功耗并提高效 率

。BlueMOS 极低的反向恢复电荷（Qrr）几乎消除了产生振铃 的

电压过冲隐患，这就允许在产品设计时少用或者不用缓冲器并 降

低电磁干扰（EMI）。加上新的高密度设计以及特殊封装等独特优势，设计人员不但减小了产品的尺

寸，同时还降低了物料（BOM）成本。

蓝 矽 科 技 功 率 半 导 体 专 家

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特性 较低的 FOM 值（Rdson* Qg）

无卤素，符合 IEC 61249-2-21 规定

符合 Ro HS 指令 2002/95/EC

经过 100% Rg 和 UIS 测试

应用类型

工业应用，物联网

家用电器，智能家居，机器人

电池包管理系统应用

电动工具，电机驱动系统

充电器，电源适配器，台式电源，服务器电源，UPS，逆变器

电视机和显示器，机顶盒

高功率密度 DC-DC 转换器，同步整流器

LED 照明

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产品选型目录：

VDS [V] 产品型号

ID

@25℃ [A]

RDS(on) (typ) @VGS=10V

[mΩ]

Qg [nC] 封装

BST025N03ML 123 2 104 DFN5X6

BST045N03DL 115 3.2 50 TO-252

BST055N03DL 92 4.3 47 TO-252

BST110N03DL 45 8.2 23 TO-252 30

BST110N03EL 16 7.5 23 SOP-8

BST030N04TL 164 2.9 131 TO-220

BST030N04DL 162 2.7 123 TO-252

BST030N04ML 116 2.3 127 DFN5X6

BST063N04DL 88 4.7 47 TO-252

BST063N04TL 83 5.3 44 TO-220

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BST063N04ML 72 4.7 47 DFN5X6

BST025NE4SN 329 1.8 186 TO-263

BST025NE4TN 350 2 186 TO-220

BST026NE4SN 167 2 156 TO-263 45

BST026NE4TN 171 2.3 150 TO-220

BST029N06SN 296 2.2 176 TO-263 BST029N06TN 228 2.4 184 TO-220 BST056N06TN 110 4.8 77 TO-220 BST105N06DL 64 8.4 46 TO-252 BST105N06JL 63 8.5 46 TO-251J

BST105N06ML 56 8.1 46 DFN5X6

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BST120N06EL 15 8.3 46 SOP-8 BST084NE6TN 89 7.1 72 TO-220 BST077NE6DN 88 6.6 106 TO-252 BST084NE6DN 85 7.3 77 TO-252 BST084NE6SN 80 7.0 72 TO-263

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BST084NE6MN 59 6.6 74 DFN5X6 BST084N08SN 110 6.4 119 TO-263

80 BST084N08TN 110 6.4 119 TO-220 BST088N10TN 97 6.7 106 TO-220

100 BST360N10DL 36 32 60 TO-252

150 BST120N15TN 62 9.0 77 TO-220

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OSFET 选型指南：

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