Electrónica II

Análisis basado en Pspice

Ing. Fernando MonrroyUPSA, marzo de 2011

OBJETIVOS

•Determinar el punto de operación del transistor•Determinar los parámetros ac del transistor•Obtener los parámetros del amplificador

El circuito a analizar

V iC 2

1 0 u

C 1

1 0 u

R L

1 0 k

R b 1

4 7 0 k

C 3

5 u

V s

C 45 u

V c c3 0 V d c

F R E Q = 1 0 kV A M P L = 2 0 mV O F F = 0

0

V o o

Q 1

Q 2 N 2 2 2 2

V o LR b 2

2 2 0 k

R e

1 . 5 k

0

R s

1 k

R c

6 . 2 k

Cálculo del punto QPerfil de simulación: Bias Point

1 1 . 1 1 V

C 2

1 0 u

3 0 . 0 0 V

4 . 4 8 6 V

R b 1

4 7 0 k

3 . 8 1 9 V

C 3

5 u

C 45 u

V c c3 0 V d c

0

Q 1

Q 2 N 2 2 2 2

R b 2

2 2 0 k

0 V

R e

1 . 5 k

0 V

0

1 4 . 2 2 V

R c

6 . 2 k

Cálculo del punto QPerfil de simulación: Bias Point

C 2

1 0 u

R b 1

4 7 0 k 1 4 . 1 0 u A

C 45 u

V c c3 0 V d c

2 . 5 4 6 m A

Q 1

Q 2 N 2 2 2 21 4 . 1 0 u A

2 . 5 3 2 m A

R b 2

2 2 0 k1 4 . 1 0 u A

R e

1 . 5 k

2 . 5 4 6 m A

R c

6 . 2 k

2 . 5 4 6 m A

Cálculo del punto Qlecturas y cálculo

Vc 14.22 V Ic 2.53mA

Vb 4.49 V Ib 14.1uA

Ve 3.82 V Ie 2.55mA

1791.14

2530

53.2

1.14

4.1082.322.14

67.082.349.4

B

CF

C

B

ECCE

EBBE

I

I

mAI

AI

VVVV

VVVV

Parámetros ac del transistorcálculo

KmA

V

I

Vr

KA

mV

I

Vr

C

AO

B

T

Ff

5.3953.2

100

84.11.14

26

179

Parámetros del amplificadorperfil de simulación “time domain”

Trazas de las señalesVo y 100*Vs

Trazas de las señalesVs, Vi y Voo, VoL

Parámetros del amplificadorcálculo

KKRVV

VR

KRV

VVR

V

VA

mV

V

V

VA

SiS

ii

LOL

OLOOO

I

OOVO

S

OV

16.2158.1320

58.13

5.6261099.3

99.324.4

22.31201358.0

24.4

19920

99.3

Ancho de bandaperfil de simulación “ac sweep/noise”

V iC 1

1 0 u

V 4

2 0 m V a c0 V d c

V s

R s

1 k

Ancho de bandalectura

KHzf

KHzf

H

L

5.226

87.1