MOSFET DE POTENCIA

MOSFET DE POTENCIAMetal-Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor

HISTORIA DEL MOSFETJulius Edgar Lilienfeld(Lemberg, 18 de abril de 1882 - Carlota Amalia, Islas Vrgenes de los Estados Unidos, 28 de agosto de 1963) fue un fsico de origen austrohngaro, inventor del tipo de transistores llamados actualmente Transistor de efecto de campo.

2HISTORIA DEL MOSFETDawon KahngNaci el 4 de mayo de 1931 en Sel , Corea del Sur . Invent MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field- transistor de efecto ), que es el elemento bsico en la mayora de los equipos electrnicos de hoy en da , con Martin M. Atalla en 1959.

3INTRODUCCIN AL MOSFETutilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas.ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales.Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.4INTRODUCCIN AL MOSFET

5INTRODUCCIN AL MOSFET

6ESTRUCTURAUn transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta. 7

FUNCIONAMIENTOExisten dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada. Los segundos tienen una mayor aplicacin en circuitos digitales y sobre todo en la construccin de circuitos integrados, debido a su pequeo consumo y al reducido espacio que ocupan.8FUNCIONAMIENTO

9TIPOS DE MOSFETExisten dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento.Un MOSFET tipo empobrecido permanece activo con voltaje ceroUn MOSFET tipo enriquecimiento permanece apagado con voltaje cero de compuerta1010MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO El MOSFET de empobrecimiento fue parte de la evolucin hacia el MOSFET de enriquecimiento que es tambin llamado de acumulacin.Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar corriente al terminal de puerta o graduador1111MOSFET DE EMPOBRECIDO

1212MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

13MOSFET ENRIQUECIDOtienen un gran campo de aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada. Sin el MOSFET de enriquecimiento no existiran los ordenadores.1414MOSFET ENRIQUECIDO

15MODOS DE OPERACIONEl funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operacin, dependiendo de las tensiones en sus terminales.

16CORTECuando VGS < Vth

17LINEALCuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth )

18SATURACIONCuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth )

19MOSFET ENRIQUECIDO

20CURVA MOSFET

21CURVAS MOSFET

22Ejemplo basico22VENTAJAS DEL MOSFETConsumo en modo esttico muy bajo.Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nano amperios.Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.23COMO PROTEGER TU MOSFETLa descarga electrosttica es una fuente de quemado del MOSFET. Otra fuente es el uso del dispositivo ms all de sus especificaciones de corriente y tensin. Para proteger un MOSFET de potencia del quemado, usa medidas preventivas para evitar o disipar la electricidad esttica y para protegerlo de los transitorios.24CONCLUSIONES25VIDEO26GRACIAS POR SU ATENCIN!!!

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