Oropeza, Nava - Avance

8/18/2019 Oropeza, Nava - Avance

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Título: Estudio comparativo sobre materiales semiconductores para panelesfotovoltaicos.

Dirección: Universidad Nacional Experimental Francisco de Miranda,Complejo Académico “El abino! " Av. #$c%ira, &unto Fijo 'Estado Falc(n

Autores: #U. Aar(n )osé *rope+a &olanco, #U. Carloin )osé NavaFornerino.

Palabras Claves: &anel, Fotocelda, ener-a solar, semiconductor,electricidad

Norma para la publicación: evista Multiciencias del N/cleo 0U1 &unto Fijo

Resumen: Una celda fotovoltaica no es m$s 2ue un dispositivo electr(nico2ue permite transformar la ener-a lum-nica proveniente del sol, en ener-aeléctrica mediante un fen(meno denominado efecto fotoeléctrico, enerandode esta manera ener-a solar fotovoltaica. Estos paneles son en su ma3or-alaminas superpuestas una sobre otra separada por células multicapas 2ueabsorben los fotones de lu+ 3 emiten electrones, estos son tomados 3 elresultado de esto es la corriente eléctrica 2ue se puede utili+ar comoelectricidad. 0a eficiencia de conversi(n media obtenida por las célulasdisponibles comercialmente en la actualidad 4producidas a partir de siliciomonocristalino5 est$ alrededor del 66'678, pero se/n la tecnolo-a utili+adavar-a desde el 98 de las células de silicio amorfo %asta el 6:'6;8 de lascélulas de silicio monocristalino. A%ora bien, la ener-a fotovoltaica %a sidoinstrumental en la exploraci(n %umana 3 el desarrollo del espacio. &aracontinuar cumpliendo con los re2uisitos de ener-a fotovoltaica en el espacioes necesario avan+ar %acia el dise


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electricidad mediante un dispositivo electr(nico denominado célula solar. 0aconversi(n de la ener-a de la lu+ solar en ener-a eléctrica es un fen(meno

f-sico conocido como efecto fotovoltaico. 0a ener-a solar es captada en lospaneles fotovoltaicos enerando ener-a eléctrica 4efecto fotovoltaico5 enforma de corriente continua.

El ma3or problema 2ue enera el uso de estos paneles, es la eficiencia 3 suefectividad, siendo estos de dos tipos com/nmente los tipos monocristalinos4reconocibles por su forma circular u octoonal, donde los : lados cortos, sise puede apreciar en la imaen, se aprecia 2ue son curvos, debido a 2ue esuna célula circular recortada5 3 los policristalinos 4cuando est$n formadas por pe2ue8, sin embaro su coste3 peso es mu3 inferior.

A%ora bien, los avances tecnol(icos en varios pa-ses del mundo %anreali+ado sinificantes adelantos a niveles de creaciones e descubrimientosde nuevos elementos minerales 3 semiconductores para la producci(n decélulas solares m$s eficientes 3 eficaces 2ue las mejores disponibles en elmercado actual 3 a un costo muc%o m$s accesible 2ue las actuales. Estetrabajo presentar un estudio comparativo de la evoluci(n de los materialespara la producci(n de paneles fotovoltaicos 3 como afecta esto en al

mercado mundial.

Objetivo General

eali+ar un estudio comparativo de materiales semiconductores parapaneles fotovoltaicos.

Objetivo Específicos

ecopilar la informaci(n referente a los materiales usados parapaneles fotovoltaicos en la actualidad

Anali+ar 3 ordenar la informaci(n recopiladaEstudiar los materiales utili+ando matrices comparativas&resentar los resultados obtenidos.


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TIPO DE INE!TIG"#I$N%

Documental. Esto a 2ue por definici(n la investiaci(n documental es unavariante de la investiaci(n cient-fica, constitu3endo de esta maneradiferentes estrateias donde se reflexionara sistem$ticamente sobreelementos reales 3 te(ricos como los de este caso, usando diferentes tiposde documentos. @ndaa, interpreta, presenta datos e informaciones sobre untema determinado de cual2uier ciencia, utili+ando para ello, una met(dica dean$lisis teniendo como finalidad obtener resultados 2ue pudiesen ser basepara el desarrollo de la creaci(n cient-fica. Ba 2ue 0a investiaci(nocumental tiene objetivo fundamental es el an$lisis de diferentesfen(menos 4de orden %ist(ricos, psicol(icos, sociol(icos, etc.5, utili+atécnicas mu3 precisas, de la ocumentaci(n existente, 2ue directa oindirectamente, aporte la informaci(n.

Científica. Esto debido a 2ue debido al concepto de investiaci(n cient-fica%ace referencia al procedimiento de reflexi(n, de control 3 de cr-tica 2uefunciona a partir de un sistema, 3 2ue se propone aportar nuevos %ec%os,datos, relaciones o le3es en cual2uier $mbito del conocimiento cient-fico.

Finalmente, la también el siuiente sondeo abarca un modelo deInvestigación de Campo. ebido a 2ue la estrateia fundamental 2ue de lainvestiaci(n se basa notoriamente en el uso de métodos 2ue permitenrecoer los datos en forma directa de la realidad donde se presenta. 0osdatos obtenidos son llamados primarios o de primera mano.

GENER"&ID"DE!%

Ener'ías Renovables% esde los inicios de la existencia del %ombre, sudesarrollo %a estado determinado en ran medida por la utili+aci(n de lasdiferentes formas de ener-a se/n las necesidades 3 disponibilidades decada momento 3 luar. Ba en los inicios las ener-as renovables eranutili+adas en forma de biomasa, viento, aua 3 sol, por lo 2ue deben ser consideradas como la base enerética del desarrollo %umano. in embaro,con la aparici(n de los recursos eneréticos f(siles el uso de la ener-a seconvirti( en alo mu3 f$cil, m$s eficiente 3 barato. Esto %a ocasionado un

consumo indiscriminado de este tipo de ener-a, %asta l-mites insostenibles2ue %an oriinado 2ue todos los pa-ses m$s o menos desarrollados, realicencontinuos esfuer+os en un intento de mejorar la eficiencia de la utili+aci(n dela ener-a 3, en definitiva, reducir el consumo de recursos f(siles.

entajas de la ener'ía solar


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• 0a ener-a 2ue procede del sol es limpia 3 renovable, no cuesta dinero

4%ablando de la fuente primaria5.

• isminuci(n de la dependencia enerética con el exterior.• Evita el despoblamiento proresivo de determinadas +onas.

• isminu3e costes de mantenimiento de las l-neas eléctricas, sobre

todo en +onas aisladas.

• @nstalaci(n f$cilmente modulable, se puede reducir o aumentar la

potencia instalada f$cilmente se/n las necesidades.

• Mantenimiento 3 rieso de aver-a mu3 bajo de las instalaciones

fotovoltaicas, silenciosas 3 sencillas.

• Ener-a descentrali+ada 2ue puede ser captada 3 utili+ada en todo el

territorio.

•

En el caso de las instalaciones conectadas a la red, existe incentivofiscal en El alvador 3 en los pa-ses desarrollados subvenciones 3primas por producir electricidad limpia.

• #ecnolo-a de r$pido desarrollo 2ue tiende a reducir los costes 3

aumentar el rendimiento.

#eldas solares% 0as células, o celdas solares son dispositivos 2ueconvierten ener-a solar en electricidad, directamente a través del efectofotovoltaico. En el cual la lu+ 2ue incide sobre un dispositivo semiconductor de dos capas &N produce una diferencia de potencial entre las capas. Estevoltaje es capa+ de conducir una corriente a través de un circuito externo 3producir trabajo /til.

Do3 en d-a, la ma3or parte de celdas solares utili+adas a nivel comercial sonde silicio. El silicio es un material semiconductor. Este elemento 2u-mico seencuentra en todo el mundo bajo la forma de arena, 2ue es di(xido de silicio4i*75, también llamado cuarcita. *tra aplicaci(n del silicio semiconductor seencuentra en la industria de la microelectr(nica, donde es empleado comomaterial base para los circuitos interados.

Figura 1. Arreglo de celdas solares individuales


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Estructura de una celda solar% 0as celdas solares de silicio pueden ser detipo monocristalinas, policristalinas o amorfas. 0a diferencia entre cada una

de estas, es la forma de c(mo se da la estructura cristalina o sea ladisposici(n de los $tomos de silicio para formar los enlaces entre ellos.Existe, adem$s, una diferencia en la eficiencia, por eficiencia se entiende elporcentaje de lu+ solar 2ue dic%as celdas transforman en ener-a eléctrica.

0as celdas solares de silicio monocristalino 3 policristalino tienen ma3or eficiencia en la conversi(n de ener-a solar en eléctrica con respecto a las desilicio amorfo.Una celda solar t-pica est$ compuesta de capas. &rimero %a3 una capa decontacto posterior 3, lueo, dos capas de silicio N 3 &, la lu+ incide sobre elmaterial tipo N. En la parte superior se encuentran los contactos de metal

frontales con una capa de antireflexi(n, 2ue da a la celda solar su t-pico color a+ul.

Figura 2. Bosquejo fundamental de operación de una celda solar y sus principales partes.

Eficiencia de las celdas solares% 0a tabla 6, muestra la eficiencia por tecnolo-a para diferentes fabricantes, en el transcurso de los /ltimos a


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Tabla 1. Historial de seguimiento de la eficiencia diferentes fabricantes y valores de pruebas

de laboratorio

Paneles (otovoltaicos )onocristalinos% 0a tecnolo-a del ilicio comomaterial de base para la fabricaci(n de células fotovoltaicas, est$ sujeta aconstantes variaciones, experimentando diferencias importantes se/n losdistintos fabricantes.

Proceso de fabricación: e forma mu3 resumida, el proceso de fabricaci(nde una célula mono o policristalina se puede dividir en las siuientes fases

Primera fase: obtención del silicio% A partir de las rocas ricas en cuar+o4formadas principalmente por i*7, mu3 abundantes en la naturale+a5 3mediante el proceso de reducci(n con carbono, se obtiene ilicio con unapure+a aproximada del ;;8, 2ue no resulta suficiente para usos electr(nicos3 2ue se suele denominar ilicio de rado metal/rico.

0a industria de semiconductores purifica este ilicio por procedimientos2u-micos, normalmente destilaciones de compuestos de ilicio, %asta 2ue laconcentraci(n de impure+as es inferior al >.7 partes por mill(n. El materialas- obtenido suele ser llamado ilicio rado semiconductor 3 aun2ue tiene unrado de pure+a superior al re2uerido en muc%os casos por las célulassolares, %a constituido la base del abastecimiento de materia prima paraaplicaciones solares, representando en la actualidad casi las tres cuartaspartes del abastecimiento de las industrias de fabricaci(n de células. inembaro, para usos espec-ficamente solares, son suficientes 4dependiendodel tipo de impure+a 3 de la técnica de cristali+aci(n5, concentraciones deimpure+as del orden de una parte por mill(n. Al material de estaconcentraci(n se le suele denominar ilicio rado solar.

Existen actualmente tres posibles procedimientos en distintas fases deexperimentaci(n para la obtenci(n del ilicio rado solar, 2ue proporcionan


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un producto casi tan efica+ como el del rado semiconductor a un costesensiblemente menor.

!e'unda fase: cristali*ación% Una ve+ fundido el ilicio, se inicia lacristali+aci(n a partir de una semilla. ic%a semilla es extra-da del siliciofundido, este se va solidificando de forma cristalina, resultando, si el tiempoes suficiente, un mono cristal. El procedimiento m$s utili+ado en la actualidades el convencionalmétodo C+oc%rals3, pudiéndose emplear también técnicas de colado. Elilicio cristalino as- obtenido tiene forma de linotes. #ambién se planteanotros métodos capaces de producir directamente el ilicio en l$minas a partir de técnicas basadas en la epitaxia, esta es 2ue a partir de una cara de uncristal de material semiconductor, o sustrato, se %ace crecer una capa

uniforme 3 de poco espesor con la misma estructura cristalina, como semuestra en la fiura ?. e obtienen principalmente dos tipos de estructurasuna la monocristalina 4con un /nico frente de cristali+aci(n5 3 la otra lapolicristalina 4con varios frentes de cristali+aci(n, aun2ue con unasdirecciones predominantes5. 0a diferencia principal radica en el rado depure+a del silicio durante el crecimientoGre cristali+aci(n.

Figura !. "squema b#sico de crecimiento de un lingote de estructura cristalina.

Tercera fase: obtención de obleas% El proceso de corte tiene ranimportancia en la producci(n de las l$minas obleas a partir del linote, 3a

2ue supone una importante pérdida de material 42ue puede alcan+ar el H>85.El espesor de las obleas resultantes suele ser del orden de 7':mm.

#uarta fase: fabricación de la c+lula , los módulos% Una ve+ obtenida laoblea, es necesario mejorar su superficie, 2ue presenta irreularidades 3defectos debidos al corte, adem$s de retirar de la misma los restos 2uepuedan llevar 4polvo, virutas5, mediante el proceso denominado decapado.


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Con la oblea limpia, se procede al texturi+ado de la misma 4siempre paracélulas monocristalinas, 3a 2ue las células policristalinas no admiten este tipo

de procesos5, aprovec%ando las propiedades cristalinas del ilicio paraobtener una superficie 2ue absorba con m$s eficiencia la radiaci(n solar incidente.

&osteriormente se procede a la formaci(n de una uni(n &N mediantedeposici(n de distintos materiales 4compuestos de f(sforo para las partes “n!3 compuestos de boro para las partes “p!, aun2ue normalmente, las obleas3a est$n dopadas con boro5.

El siuiente paso es la formaci(n de los contactos met$licos de la célula, enforma de rejilla en la cara iluminada por el ol, 3 continuo en la cara

posterior. 0a formaci(n de los contactos en la cara iluminada se reali+amediante técnicas serir$ficas, empleando m$s recientemente la tecnolo-al$ser para obtener contactos de mejor calidad 3 rendimiento. El contactomet$lico de la cara sobre la cual incide la radiaci(n solar suele tener formade rejilla, de modo 2ue permita el paso de la lu+ 3 la extracci(n de corrientesimult$neamente. 0a otra cara est$ totalmente recubierta de metal.

Una célula individual normal, con un $rea de unos IH cm7 3 suficientementeiluminada es capa+ de producir una diferencia de potencial de >.:J 3 unapotencia de 6K. Finalmente, puede procederse a a


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Figura $. %anel monocristalino con sus caracter&sticas el'ctricas.

Paneles (otovoltaicos Policristalinos% 0os paneles fotovoltaicospolicristalinos se constru3en de arena com/n 4con alto contenido en silicio5se obtiene inicialmente una barra de silicio sin estructura cristalina 4amorfo5,una ve+ separados sus dos componentes b$sicos, 3 2ue acoe rancantidad de impure+as.

Mediante un proceso electr(nico, 2ue también permite eliminar lasimpure+as, la barra de silicio amorfo es transformada en una estructuramonocristalina, la cual posee caracter-sticas de aislante eléctrico, al estar formada por una red de uniones at(micas altamente estables. Acontinuaci(n, con el material ausente totalmente de impure+as 4una pe2ue


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Figura (. %anel policristalino con sus caracter&sticas el'ctricas.

Paneles (otovoltaicos "morfos% 0a palabra amorfo viene del rieo morfe2ue 2uiere decir forma 3 con el prefijo “a) sinifica sin forma. ebido a 2uelas cadenas no tienen un arrelo espacial constante, sino 2ue formancuerdas aleatorias.

En eneral, estos pol-meros presentan como /nica transici(n la temperaturade transici(n v-trea, 3a 2ue no existe realmente una fusi(n de cristales, seconsidera 2ue el estado s(lido de estos materiales corresponde /nicamente

al de un l-2uido sub'enfriado.

0as ventajas de alunos pol-meros amorfos sobre alunos semi'cristalinos esla transparencia natural in%erente al pol-mero, 0os pol-meros amorfos sontambién llamados v-treos, puesto 2ue el vidrio tampoco forma cristales 3 estambién un l-2uido sub'enfriado. 0a densidad de un pol-mero amorfo esma3or 2ue la de uno similar cristalino, no experimenta refuer+o, en pruebasde tracci(n 4estrés'elonaci(n5.

Una de las cualidades 2ue tienen las células de silicio amorfo, es 2ue permitedisponer de células de mu3 delado espesor, lo cual presenta randesventajas. Adicionalmente su proceso de fabricaci(n es, al menoste(ricamente, m$s simple 3 sustancialmente m$s barato 2ue suscontrapartes monocristalinos 3 policristalinos. 0a eficiencia escomparativamente alo menor 2ue en los casos anteriores 49'L85 3 todav-ano se dispone de datos suficientes en cuanto a su estabilidad. u principalcampo de aplicaci(n en la actualidad son los relojes, juuetes, calculadoras 3otras


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aplicaciones de consumo. entro de las aplicaciones eneréticase2uivalentes a las de la tecnolo-a del ilicio cristalino, su versatilidad es

mu3 adecuada para la confecci(n de m(dulos semitransparentes empleadosen alunas instalaciones interadas en edificios.

Figura *. %anel Amorfo con sus principales caracter&sticas el'ctricas.

Descripción de las propiedades de los sólidos amorfos% 0os s(lidosamorfos difieren de los cristalinos por la manera en 2ue se funden. icontrolamos la temperatura de un s(lido cristalino cuando se funde,encontraremos 2ue permanece constante. 0os s(lidos amorfos no tienentemperatura de fusi(n bien definida se suavi+an 3 funden en un rano detemperatura 3 no tienen “punto de fusi(n! caracter-stico.

0os s(lidos amorfos, al iual 2ue los l-2uidos 3 ases, son isotr(picos, esdecir sus propiedades son iuales en todas las direcciones. Esto se debe a la

falta de reularidad en el ordenamiento de las part-culas en los s(lidosamorfos, lo cual determina 2ue todas las direcciones sean e2uivalentes.


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"n-lisis de los datos%

Producción de Energía mensual de cada tecnología (kWh)

MesesMonocristali

noAmorfo

Policristalino

%gananciaMonoc-Amorf

%gananciaMonoc-

Polic

%gananciaPolic-Amorf

Jun 2009 939,6 910,7 911,2 3,1 3 0,1

Jul 2009 1172,7 1166,8 1164,8 0, 0,7 -0,2

Ago 2009 1311,8 1292,9 1304,3 1,4 0,6 0,9!e"t2009 1116,6 1074,3 1092,1 3,8 2,2 1,6

#ct 2009 1206,7 1162,3 1176 3,7 2, 1,2

$o 2009 1183 1113,2 1140, ,9 3,6 2,4

&ic 2009 1207 1167 1190,2 3,3 1,4 1,9

'ne 2010 1362,2 129,4 1301,7 7, 4,4 3,2

(e) 2010 108,1 969, 1019 8,4 3,7 4,9

Mar 2010 1339,6 128,7 1284,6 6 4,1 2

A)r 2010 1040,8 937,7 1002,3 9,9 3,7 6,4Ma*2010 990 901 97,8 9 3,2 ,9

Total 13928,1 13213, 1344, ,1 2,8 2,4Tabla 2 %roducción de energ&a de las diferentes tecnolog&as y margen porcentual de entre

ellas

En la tabla 7 numéricamente se ve 2ue el sub'enerador de tecnolo-amonocristalina es el 2ue durante todos los meses del a


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39963999

400264007

4008740118

4014840179

4021040238

4026940299

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200

400

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1000

1200

1400

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Pro+uccin mensual +e energia "or tecnologia ./

Monocristalino Amorfo Policristalino

+rafico 1. %roducción mensual de energ&a en ,- de la tecnolog&a monocristalina amorfa y policristalina durante un a/o de junio a mayo

0a produccion del mes de junio en las tres tecnoloias es baja debido a 2uefue el mes de inicio de la planta de eneracion por lo 2ue %abian salidasinesperadas por confiuracion, a pesar de 2ue en este mes, el sol alcan+a sumaxima altura , los ra3os son mejor pro3ectados en los paneles debido a laorientacion 2ue estos tienen 6H al sur, o sea 2ue los ra3os solares son lomas perpendiculares posibles a las superficie.

0a eneria en el a>8, en funcion a la produccion tenemos 2ue latecnoloia monocristalina supera a las otras 7 tecnoloias a pesar 2ue lapolicristalina ocupa la osma area de 9?.L:m7 3 estas dos superan enproduccion a la tecnoloia amorfa la cual utili+a ma3or superficie ;;.7:m7,2ue representa el ?98 mas de area 2ue las otras tecnoloias


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34%

32%

33%

Produccion de energia jun 2009 -may 200 (kWh)

Monocristalino

Amorfo

Policristalino

+rafico 2 %roducción anual de energ&a en ,- de la tecnolog&a monocristalina amorfa y

policristalina desde junio 200 asta mayo 2010


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#abla ?. &roducci(n mensual para meses caracter-sticos en la producci(n

&ia mes$o-09 'ne-10 Ma*-10

Monoc

Amorf Polic

Monoc

Amorf Polic

Monoc

Amorf Polic

1 30,1 29 29,7 43,1 41 42,2 13,1 11,4 12,9

2 28,1 2, 26,8 40,8 38,1 38, 42,3 38,7 41,8

3 34 31,7 32,8 46 43,1 43,3 34,8 31,7 34,3

4 28, 26,6 27,6 47,4 44,2 4,2 41,4 38,4 40,9

20,6 18,3 19,4 48,6 4 46,3 41,2 38,3 40,8

6 18,4 16,4 17, 4,7 42,6 44,3 40,8 38,3 40,

7 14, 12,6 13,4 44,3 40,9 42,4 38, 3,7 38,1

8 20,2 18 19,1 46,7 43,6 44,9 47 44,7 46,6

9 37,7 3,9 36, 46,6 43 44, 46,9 44,4 46,

10 44,8 43,1 43,7 46,3 42,1 43,9 47, 44,9 47,1

11 48 46,1 47 0, 4,6 48 42 39,4 41,6

12 0,2 47,6 48,4 49,4 44,9 47,2 3,3 32,6 34,9

13 48,9 46,3 47,2 49,6 4,1 47,2 40,7 38,4 40,7

14 39,1 36,8 38,1 43,8 40,1 41,7 37, 3,3 37,1

1 37,8 3,9 36,8 44 40, 41,9 39,4 37 38,9

16 46,6 44,7 4,4 38 3 36,2 3,3 33,1 3,1

17 49, 46,8 47,8 4,8 42,7 43,2 24,6 22 24,1

18 49,4 46,6 47,7 4,6 42,6 44 21,8 19,2 21,19 49,8 46,9 48 4,9 42,8 44,4 41,8 38,2 41,3

20 48, 4,9 47 43,8 40, 41,8 2,8 23,3 2,

21 48,1 4,4 46,6 42,6 39 40,6 19,4 17, 19,3

22 48,3 4,9 46,7 40,3 36, 37,3 36,1 33,1 3,8

23 44,3 42,2 42,8 34 30,2 31,9 33,1 30,2 32,9

24 38,4 36,3 37 43,9 39,8 41,4 30 27,3 29,8

2 42,1 40,1 40,6 42,1 39,2 40,7 23 20,3 22,6

26 46,3 43,6 44,3 43,6 40,7 41,9 17, 1,3 17,3

27 3,1 32,1 33,1 46,7 44 4,3 11,3 9,8 11,1

28 48,8 44,8 46 3,2 32,4 33,8 31,4 28,4 31,129 44,2 41,9 42,6 43,4 40,7 41,7 6, , 6,4

30 42,7 40,2 40,9 42,6 40,4 41,4 9 7,8 8,8

31 0 0 0 3,9 33,1 34,6 23,9 21 23,

Por tecno 11831113

,21140

,1362

,2129

,41301

,7 978,9901,

2968,

8

totalmes 3436,7 3923,3 2848,9


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1 2 3 4 6 7 8 9 1011121314116171819202122232422627 2829300

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0

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Pro+uccion en ./ $oiem)re 2009

Monoc Amorf Polic

+rafico ! omportamiento de la %roducción de energ&a en ,- diaria para el mes de

noviembre 200 y comprobación de los efectos clim#ticos en este tipo de generación de

energ&a el'ctrica para las tecnolog&as monocristalinos policristalina y amorfa.

En la rafica ? se puede apreciar la disminuci(n de la producci(n de ener-a

cuando las condiciones del clima tienen incidencia en los eneradores

fotovoltaicos por ejemplo para el I de noviembre cuando ocurri( la tormenta

4llamada @A5 en la rei(n, se tiene la menor producci(n diaria en el mes,

cerca de : K% por cada arrelo, se puede decir 2ue solo se tiene de un ?>

a :>8 aproximadamente de la eneraci(n de ener-a eléctrica.


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0

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Pro+uccion en ./ enero 2010

Monoc Amorf Polic

+rafico $ omportamiento de la %roducción de energ&a en ,- diaria para el mes de enero

2010 y comprobación de los efectos clim#ticos en este tipo de generación de energ&a

el'ctrica para las tecnolog&as monocristalinos policristalina y amorfa.

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Pro+uccion en ./ ma*o 2010

Monoc Amorf Polic

+rafico ( omportamiento de la %roducción de energ&a en ,- diaria para el mes de mayo

2010 y comprobación de los efectos clim#ticos en este tipo de generación de energ&a

el'ctrica para las tecnolog&as monocristalinos policristalina y amorfa.


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*bserve la r$fica : 2ue la pendiente disminu3e suavemente durante el mesconsider$ndose una producci(n bastante uniforme.

En la r$fica H, se puede observar 2ue la pendiente disminu3e r$pidamente,observ$ndose unos d-as mu3 baja producci(n, el mes de ma3o secaracteri+a por el inicio del invierno, 3 las variaciones en las condicionesclim$ticas en ese mes son mu3 cambiantes.

#abla : &roducci(n de ener-a en K% mensual por cada tecnolo-a.

Pro+uccion +e energia ./ "or mes +e ca+a tecnologia"ara 28 +ias

Monocristalino Amorfo Policristalino Jun-09 883,2 86,4 86,

Jul-09 1086,2 1080,7 1079

Ago-09 118,8 1169,9 1180

!e"t-09 1037,7 997, 1014,6

#ct-09 110,7 1066,8 1079,2

$o-09 1096 1031 107

&ic-09 1080,6 1047,8 1067,6

'ne-10 1240,2 114,3 1184

(e)-10 108,1 969, 1019

Mar-10 1198,4 1127,6 1146,7

A)r-10 98,6 889,8 90

Ma*-10 949,3 866,8 920,4

otal 28 +ias 12906,8 12249,1 124


19/20

399639994002640074008740118401484017940210402384026940299

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

'aluacion +e "ro+uccion en "erio+os +e 28 +ias

Monocristalino Amorfo Policristalino

+rafico * evaluación de producción por cada tecnolog&a a 23 d&a de cada mes

&ara una mejor evaluaci(n de la cantidad de ener-a producida por los

subeneradores de cada tecnolo-a al mes se cort( a 7L d-as cada mes para

poder decir en 2ué mes fue ma3or eficiente la producci(n de denominada

tecnolo-a. onde en la r$fica 9 se puede apreciar 2ue los monocristalinos

3 policristalinos producen su m$xima ener-a en enero, 3 la tecnolo-aamorfa en aosto.


20/20

Conclusiones

0ueo de finali+ado el an$lisis de las variables 2ue inciden en las tecnolo-asde los eneradores fotovoltaicos en estudio, %abiendo comprado el

comportamiento de cada una de ellas, 3 observado c(mo afectan el

desempe>;,

enero 7>6> 3 mar+o 7>6>. 0os meses de menor eneraci(n fueron

septiembre 7>>;, febrero, abril 3 ma3o 7>6>.

7. 0a tecnolo-a 2ue ener( m$s ener-a eléctrica durante el a

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