RAM memorije RAM (eng. Random Access Memory ) je memorija sa sluajnim pristupom. To znai da je vrijeme potrebno za itanje, ili upis sadraja nezavisno od adrese na kojoj se itanje ili upis obavlja. Informacija upisana u poluprovodnikim RAM memorijama se gubi im se iskljui napajanje pa pripada klasi nepostojanih memorija, i slui za privremeno memorisanje podataka za vrijeme rada raunala. Ova memorija je neizbjean dio svakog raunarskog sistema. Brzina i veliina ove memorije znatno utie na performanse raunarskog sistema, tako da proizvoai memorijskih ipova stalno usavravaju dizajn: cilj je najvea mogua brzina pristupa po najmanjoj cijeni. Kapacitet memorije se kree od nekoliko Kb za male mikroraunare do vie GB za velike raunarske sisteme. RAM memorije se proizvode kako sa statikim, tako i sa dinamikim memorijskim elijama, pa se obino dijele na statike i dinamike RAM memorije.

U raunalima je RAM zaduen za dranje podataka i programskog koda tokom njegovog izvravanja. Veoma vana karakteristika RAM-a je da se razliitim memorijskim mjestima gotovo uvijek pristupa jednakom brzinom. Kod nekih drugih tehnologija postoje odreeni zastoji pri proputanju pojedinih bitova ili bajtova.Prvi sistemi zasnovani na vakuumskim cijevima ponaali su se kao moderni RAM iako je bilo mnogo greaka u radu. Jezgrene memorije, sainjene od ica omotanih oko malih feromagnetnih jezgri, imale su gotovo jednako vrijeme pristupa. Osnovna zamisao koja se nalazi iza cijevnih i jezgrenih memorija jo uvijek se primjenjuje kod savremenih RAM-ova izgraenih od integralnih kola.Neka alternativna rjeenja za pohranu podataka nisu imala jednako vrijeme pristupa, pa smo tako imali cijevi ispunjene ivom koje su drale nizove bitova uz pomo zvunih talasa, zatim cilindrine memorije koje su bile sline dananjim tvrdim diskovima i njihovoj metodi pohrane podataka uz pomo namagnetisanih estica sloenih u neprekidne krune trake.Mnoge vrste RAM-a su nestabilne, u smislu da gube svoje podatke kada je raunar iskljuen. Uobiajen nain smjetanja podataka u RAM je ili u obliku naboja kondenzatora (dinamiki RAM) ili stanju flip-flopa (statiki RAM).U razvoju su razliite vrste "stabilnih" RAM-ova koje mogu zadrati svoje podatke i kada im je prekinuto napajanje. Tehnologije koje se pri tome implementiraju su, meu ostalim, karbonske/ugljenine nano-cijevi i efekat magnetskog tunela.Zanimljivo je i dijeljenje RAM-a na particije, kao to se obino dijele tvrdi diskovi, samo to u je sluaju RAM-a, particija kreirana na njemu mnogo bra od one na tvrdom disku. esto se naziva i ramdisk.

Statike RAM memorije - SRAM Osnovna memorijska elija u statikoj RAM matrici je flip flop, iji je sadraj statian, tj. veliina signala (napona) u eliji se ne mijenja u toku vremena, pa nije potrebno da se obnavlja (zadrava podatke bez spoljanjeg "osveavanja" dokle god je prikljueno napajanje, po emu se razlikuje od dinamikog RAM-a koji se mora "osveavati" puno puta u toku svake sekunde da se podaci ne bi izgubili). Dinamike RAM memorije DRAM Da bi se realizovala memorija sa veom gustinom pakovanja konstruisana je memorija sa samo jednim tranzistorom i jednim kondenzatorom po memorijskoj eliji. Ovakva memorija bazira pamenje informacije na elektrinom punjenju kondenzatora. Jedna elija DRAM memorije, kod koje se informacija pamti na taj nain to se prilikom upisa, na liniju selekcija kolone dovede ili napon VDD ili logika 0, a kada se selektuje red, MOSFET tranzistor postaje provodan tako da se kondenzator CM napuni na napon VDD ili se isprazni na 0V. Prilikom itanja memorijiske elije, takoe se selektuje red tako da se, kroz provodni tranzistor, napon sa kondenzatora CM prenosi na liniju selekcije kolone i moe se proitati. Da bi se postigla velika gustina pakovanja, kondenzator u memorijskim elijama je veoma malih dimenzija, pa je i kapacitivnost kondenzatora veoma mala reda (10-13F).

ROM memorija je memorija (eng. ROM - Read Only Memory), kod koje je fiziki i vremenski proces upisa razliit od procesa itanja sadraja. Ove memorije su postojane i u raunarima slue da uvaju sistemske programe za koje je potrebno da budu stalno raspoloivi, i za koje se ne oekuje da e se (esto) mijenjati za vrijeme eksploatacije raunara. Najbolji primjer za ovo je BIOS, koji je upisan na memoriji ROM tipa. Poslednjih godina je dolo do izuzetno znaajnog razvoja poluprovodnikih memorija. One su zbog sve nie cijene, velike gustine pakovanja, velike brzine kao i pogodnosti u pogledu svoje organizacije, postale najznaajniji memorijski medijum za ugradnju unutar raunarskih sistema i drugih digitalnih ureaja.

Kod klasinih ROM ipova, podaci se na njih upisuju tokom samog procesa proizvodnje i kasnije se ne mogu mijenjati. Ali, ima i drugih vrsta ROM-a kod kojih je to mogue:PROM (skraeno od engl. Programmable Read-Only Memory) koji se mogu programirati upotrebom posebnog ureaja - PROM programera. esto se prilikom upisivanja podataka na ovaj nain kidaju unutranje veze, te se zbog toga PROM moe samo jednom programirati.EPROM (engl. Erasable Programmable Read-Only Memory) Njihov sadraj se moe brisati izlaganjem ultraljubiastom (UV) svjetlu a zatim upisati drugi putem EPROM programera. Broj izlaganja UV zrakama nije neogranien.EAROM (engl. Electrically Alterable Read-Only Memory) Moe mu se mijenjati sadraj, dio po dio, ali nije dizajniran za este izmjene te uglavnom figurira kao ROM. Koristi se kao oblik sigurne pohrane sistemskih postavki. Zamijenio ga je CMOS RAM podran napajanjem iz litijumske baterijeEEPROM (engl. Electrically Erasable Read-Only Memory) u formi flash memorije; moe im se cijeli sadraj, ili samo dio, izbrisati elektrinim putem, zatim novi podaci upisati bez potrebe za vaenjem ipa van raunara (digitalnih kamera, MP3 ureaja i sl.). Ovaj proces je ipak sporiji od upisivanja podataka u RAM ili itanja iz bilo kojeg ROM-a.

FLE memorije Najnoviji oblik poluvodike memorije je fle memorija, koja se tako zove (eng. Flash - munja) zbog brzine kojom se moe reprogramirati. Fle memorija se prvi put pojavila sredinom osamdesetih, i predstavlja sredinu izmeu EPROM-a i EEPROM-a i po cijeni i po funkcionalnosti. Kao i EEPROM, fle memorija koristi tehnologiju elektrinog brisanja. Cijela fle memorija se moe obrisati za svega par sekundi. Meutim, kod fle memorija se ne moe brisati bajt po bajt, ve samo po blokovima. Fle memorija postie istu gustinu pakovanja kao i EPROM (veu od EEPROM-a) zato to koristi samo jedan tranzistor po bitu podatka. Ovo je najfleksibilniji tip ROM memorija, i sada se esto koristi za smjetanje BIOS programa. Korienje fle memorije za smjetanje BIOS-a omoguava korisniku da uvijek ima aktuelnu verziju BIOS-a na svom raunaru. Fle memorije imaju tu osobinu da se reprogramiraju u samom sistemu. To nas liava ugradnje podnoja, vaenje memorije i vraanje, pri emu moe da se oteti neki od pinova. Fle memorije se mogu reprogramirati i do 100 000 puta.