Reporte Eca 1 lab 3

Embed Size (px)

Citation preview

  • 8/20/2019 Reporte Eca 1 lab 3

    1/3

    Abstract — This paper is concerned with the development andevaluation of a number of modelling techniques which improveQucs Harmonic Balance simulation performance of RF compact

    device models. Although Qucs supports conventional !"#$semiconductor device models% whose static current&voltage andd'namic charge characteristics e(hibit second and higher orderderivatives ma' not be continuous% there is no guarantee thatthese will function without Harmonic Balance simulationconvergence problems. The same comment also applies to anumber of legac' compact semiconductor device models. Themodelling of semiconductor devices centered on non)linear$quation)*efined *evices and bloc+s of ,erilog)A code%combined with linear components% is introduced. These form aclass of compact macromodel that has improved HarmonicBalance simulation performance. To illustrate the presentedmodelling techniques RF diode and bipolar -unction transistormacromodels are described and their Harmonic Balanceperformance simulated with Qucs.

    Index Terms —c+to% diodo% % tma(% ,min% ,ma(.

    I. I NTRODUCCION

    Este documento presenta los resultados obtenidos durante latercera practica de laboratorio realizada el lunes 8 de Febrero,concerniente al tema del uso del so t!are "ucs para lasimulaci#n de circuitos electr#nicos como recti icadores demedia $ onda completa .

    II. % &TE%&TIC& UTI'I(&D&

    & continuaci#n se detalla in ormaci#n respecto a al)unas delas ecuaciones matem*ticas a utilizar+

    A. Ecuaciones

    Realizado el - de Febrero de / 0 a las -+1/ p.m.Uni2ersidad Don3osco El 4al2ador

    III. & N&'I4I4 DE RE4U'T&DO4

    5 &)re)ue de las pesta6as 2erticales, dentro dela librer7a Re)ulators, el elemento '% /91: $ una resistencia de car)a a lasimulaci#n realizada en la i)ura .

    En las im*)enes se muestran los detalles de la simulaci#n "ucs con '% /91.

    5 E;ecutar la simulaci#n para

  • 8/20/2019 Reporte Eca 1 lab 3

    2/3

    Circuito Recti icador de Onda Completa con salida recti icada en ro;o.

    Recti icador de media onda con 2olta;e de rizo de /.1:.

    Circuito de %edia Onda con :olta;e Rizo de /.1:pp.

    4e6al de Rizo de /.1: %a)ni icada.

    Recti icador de onda completa tipo puente con 2olta;e derizo de /./1:.

    Circuito de Onda Completa tipo puente con :olta;e Rizo de /./1:pp.

    4e6al de Rizo de /./1: para el recti icador completo tipo puente.

    I:. I N:E4TI>&CION CO%?'E%ENT&RI&

    . Obten)a la cur2a caracter7stica del diodo

  • 8/20/2019 Reporte Eca 1 lab 3

    3/3

    tierra aumenta de manera si)ni icati2a al i)ual =ue el ciclo detraba;o.

    &umentar el ciclo de traba;o al /G =uitando del circuitoal diodo zener.

    Como a ectar7a el :o al utilizar ?H% al e@tremo iz=uierdode R .RAA 'a corriente de =ue pasa a tra2 s del circuito aumentar7a

    pro2ocando ni2eles m*s ba;os de tensi#n en el borne C del

    osciloscopio dado =ue el transistor al aumentar su corriente de base pues $a no a$ resistor =ue la limite, entrara en zona desaturaci#n $ por lo tanto su 2olta;e de colector9emisor disminuir* pro2ocando la ca7da de tensi#n tambi n en losotros elementos.

    Circuito ?roteus realizada para 2eri icaci#n del principio de uenteconmutada.

    'ectura obtenida en el osciloscopio se) n simulaci#n ?roteus.