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DIVISIÓN DE INGENIERÍA MECÁNICA E INDUSTRIAL INGENIERÍA MECÁNICA PROCESOS DE MANUFACTURA Exposición: TRANSISTOR JFET Nombre del Expositor: JOSE JAVIER MARQUEZ GOMEZ 11 de Mayo de 2016

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DIVISIÓN DE INGENIERÍA MECÁNICA E INDUSTRIAL

INGENIERÍA MECÁNICA

PROCESOS DE MANUFACTURA

Exposición:TRANSISTOR JFET

Nombre del Expositor:JOSE JAVIER MARQUEZ GOMEZ

11 de Mayo de 2016

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índice general- Introducción- Desarrollo: - TRANSISTOR JFETConclusión - Fuentes de información

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INTRODUCCION

El transistor JFET es un dispositivo mediante el cual se puede controlar el paso de una cierta cantidad de corriente haciendo variar una tensión, esa es la idea principal; existen 2 tipos de JFET los de canal n y los de canal p, se comentará para el caso de JFET de canal n, es similar para el de canal p, la diferencia será el sentido de las corrientes y las tensiones sobre el JFET; constan de 3 pines, los cuales reciben los nombres de drenaje(D), compuerta(G) y fuente(S); lo que hace el JFET es controlar la cantidad de corriente que circula entre el drenaje y la fuente, esa corriente se controla mediante la tensión que exista entre la compuerta y la fuente.

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En la imagen anterior se muestra un JFET de canal n, en este caso el 2N3819, se muestran los 3 pines que tiene con sus nombres, el orden va depender del JFET, se tiene que ver su hoja de datos para conocerlos.

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Están fabricados con materiales semiconductores tipo n y tipo p, al igual que los diodos; la figura que sigue es una representación para comprender como están distribuidos los materiales semiconductores para el de canal n y el de canal p, y las conexiones de los pines a estos semiconductores, la figura servirá para tener una idea del comportamiento del JFET.

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A partir de aquí se va a comentar para el caso del JFET de canal n, pero la idea es similar para el caso del de canal p; en la figura anterior se puede ver que para el JFET de canal n, al material semiconductor tipo n se le han conectado en extremos opuestos el drenador(D) y la fuente(S), mientras el material tipo p se conecta a la compuerta(G), se observa que hay un paso o un canal entre el drenador y la fuente, formado por el semiconductor tipo n de allí el nombre de canal n, el cual está rodeado por el material semiconductor tipo p, entre la compuerta y la fuente se forma un diodo