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超 宽温 稳定型介质材料 二价金属掺杂研究. 报告人:张 宁 导 师 :李玲霞 教授. 研究背景. 片式多层陶瓷电容 器的广泛应用. 宽温化. 小型化. 低成本化. 研究背景. 钛酸钡基介质材料. 钛酸钡 - 钛酸铋钠基 介质材料. 超宽 温稳定型 介质材料. 铅基复合钛矿体系. 介电常数 >1500 介电损耗
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超宽温稳定型介质材料二价金属掺杂研究
报告人:张 宁 导 师:李玲霞 教授
研究背景
片式多层陶瓷电容器的广泛应用
宽温化
小型化
低成本化
研究背景
铅基复合钛矿体系
钨青铜矿结构体系
钛酸钡基介质材料 钛酸钡 - 钛酸铋钠基介质材料
介电常数 >1500
介电损耗 <2.0%
电容量变化率 <±15%
工作温度范围 -55~300℃
绝缘电阻率 >1012Ω•cm
烧结温度 <1150℃
超宽温稳定型介质材料
BT-NBT-Nb-MO(M=Mg, Zn, Co, Ni, Mn) 介质材料研究
MgO 掺杂 BT-NBT-Nb[0.85BT-0.15NBT]-2wt%Nb2O5- x wt% MgOX= 0.0, 0.5, 1.0, 1.5, 2.0
MgO 含量 介电常数 介电损耗(%)
绝缘电阻率(Ω•cm)
0.0wt% 1267 1.47 1.14×1012
0.5wt% 1427 1.32 5.11×1013
1.0wt% 1549 1.02 4.48×1012
1.5wt% 1895 3.09 1.90×1012
2.0wt% 2703 3.98 5.83×109
𝑁𝑏2𝑂5+𝑀𝑔𝑂+3𝑇𝑖𝑇𝑖→2𝑁𝑏�̇�𝑖+𝑀𝑔 ′ ′𝑇𝑖+3𝑇𝑖𝑂2
𝑀𝑔𝑂+𝑇𝑖𝑇𝑖+𝑂𝑂→𝑀𝑔 ′ ′𝑇𝑖+𝑇𝑖𝑂2+𝑉 �̈�
不同含量MgO掺杂样品的介电性能及体积密度
BT-NBT-Nb-MO(M=Mg, Zn, Co, Ni, Mn) 介质材料研究
不同含量MgO掺杂样品的介温曲线
BT-NBT-Nb-MO(M=Mg, Zn, Co, Ni, Mn) 介质材料研究
二价金属氧化物掺杂 BT-NBT-Nb[0.85BT-0.15NBT]-2wt%Nb2O5- 1.5 wt% MOM=Mg, Zn, Co, Ni, Mn
改性剂 介电常数 介电损耗(%)
样片直径(mm)
绝缘电阻率(Ω•cm)
MgO 1895 3.09 16.758 1.90×1012
ZnO 2409 2.65 16.538 1.14×1012
CoO 1204 1.10 17.492 1.91×109
NiO 1400 1.22 17.303 1.73×109
MnCO3 916 11.68 16.749 4.24×109
不同二价金属氧化物掺杂样品的介电性能
不同二价金属氧化物掺杂样品的介温曲线
谢谢大家!
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