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二電廠 2012 年度 - 製程 良率不良分佈. 二電廠 2012 年度 - 製程 良率改善對策. - PowerPoint PPT Presentation
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1
二電廠 2012年度 - 製程良率不良分佈
364
278
165134
75
0
50
100
150
200
250
300
350
400
錫短路 空焊 反向 破損 缺件
W
1418
197 134 80 610
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
誤判 失調 IIC 燒錄不良 OCP值或高或低 儀器故障
P47
4338 37 36 34
28 2724
05
101520253035404550 M
170
65
34 289 7
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180D
2
二電廠 2012年度 - 製程良率改善對策分類 現象 原因 對策
D
FSA011-030G FUN1 Cycle Drop 時不能開機
設計不良 , Vbulk 小於 390V, 導致測試時不能開機
短期 : PCB2 小板增加測試 Vbulk, 小於 390V 的 Control 生產 ,R24 由 1M 改為 1.05M, 並記錄工令及序號 ; 長期 :R&D同M201 IC 廠商討論 , 同意提前 Sorting 原材料 , 待廠商提供出貨新材料 Schedule.
SG7008-710G 在 264V 時不開機或開機慢 .
設計不良 , M301的 VCCN 電壓偏低導致M301在 264V 時不工作或延時工作 .
R&D發 EC 換用 ZD2 穩壓值高的用料 , 目前客戶認可中 , 短期不良單體更換 M301 或用 ZD2 穩壓值高的材料維修 .
SG9006-710G DC 關機時 12V2 關機時間超過 SPEC 要求 112mS
設計選料不良 , 使用 Sunon Fan, 因其額定電流為 1.5A, 電流偏低導致 12V2 關機較慢
目前與 R&D 討論中
MFSA011-030G 各站 L5不良
材料不良 , L5 原材料制作時因超胖而需要使用壓胖機壓胖 , 造成層間絕緣受損 , 組裝在單體上時會發熱惡化導致不良 .
短期 : 庫存原材料及新流線產品層間絕緣電壓由DC1.3KV→DC2.4KV Sorting 出貨 ;長期 : 磁件廠取消壓胖機壓胖 , 有超尺寸的地方用膠錘輕敲並確保絕緣不受損 , Q 值和加電流測試站位重新調配 : 由單站作業改為兩站作業 , 即兩個測試項目分開測試 .
P
PBA003 按開關時 LED燈不變色 .
助焊劑進入 SW 開關 (R90552-9771I) 內部 , 導致按下時彈片接觸不良 . ( 製程無法杜絕 , R&D 增 2'nd source 改善 )
Second Source已 pilot run 完成 , 客戶已同意變更 (8/8).
PBA003 Max Load 輸出電壓偏低 .
應力 CH5 輸出 Mosfet D/S 極 short或G/S 極阻抗偏低 (P/N:R90257-8968I 規格 :FET DIP 75V 180A 0.045- TO-220AB IRFB3207PbF 廠商 :IR)
目前已導入低轉速電批 , 不良狀況持續分析追蹤中 .
NDF. 治具接觸不良 , 儀器設備不穩定 , 以及一些測試項目規格設定不合理 , 都會導致測試發生 Fail.
統計重測資料及以及 NDF 資料 , 針對重測及發生 NDF 最高的站別做改善 , 目前 PBA003 FUN 重測率從 33% 降低到 11%, 其他機種持續改善中 .
WFSA011-030G Fun1 Cycle Drop 測試時不開機
SMT 作業不良 ,M308&M208 SMT 程式燒錄後打件放錯位造成 M308 燒錄程式錯誤 , 小板重新燒錄時漏燒而流至主板線 .
短期 : 受影響的兩個工令全部隨線重新燒錄 ;長期 :SMT 改善 IC 燒錄後的位置放置盤 ;SMT 新增 IC 燒錄時包裝管的機種及位置標示