Блок-схема лазера

Схематическое изображение конструкции современного излучателя ГНЛ

Схематическое изображение газоразрядной трубки гелий-кадмиевого лазера

Структура лазера с распределенной обратной связью

Конструкция гелий – неонового лазера

Диаграмма направленности излучения и картина поля полоскового ДГС-лазера:1-

лазерный пучок на выходе лазера;2-лазерный пучок в дальней зоне

Профиль концентрации носителей заряда в активной области при различной ширине

полоскового контакта s в мкм (при сопротивлении рассекания ps=167 Ом и

рабочем токе I=0,2 A)

Зависимость выходной мощности ДГС-лазера от тока накачки 1 при Т=298К, 2 при Т=358К

Схематическое изображение структуры полупроводникового лазера с гетеропереходом

Диапазоны и длины волн генерации газовых (ЛГ),твердотельных (ТЛ) и полупроводниковых

(ПЛ) лазеров

Схематическое изображение твердотельного лазера с ламповой накачкой

Принцип действия полупроводникового лазера

Схематическое изображение конструкции активного элемента СО2-лазера с продольным

разрядом и прокачкой

Лазер с распределенным Брэгговским отражением

Основные параметры импульсных

молекулярных лазеров Тип Длина

волны излуче-ния, мкм

Импульсная мощность, кВт

или энергия импульса

излучения, мДж

Длитель-ность

импульса,нс

Частота следования импульсов,

Гц

Средний ресурс, ч

ЛГИ-50-1 10,6 50мДж (30-130) 103 100 8000

ЛГИ-50-2 10,6 5мДж 300 2000 5 000

ЛГИ-502 0,337 25; 15 8 1 - 100; 1000 5000

ЛГИ-503 0.337 320 5 10 1000

ЛГИ-52 0,337 3 10 1000 1000

ЛГИ-501 0,337 >20 5-10 500 1000

ЛГИ-512(1) 10,6 40-400 130103 1 - 1000 5 000

ЛМИ-3 10,6 30 100 300 1000

МАКРО 5-10 9-11 5000 100 10 3 000

Основные параметры эксимерных ArF-, KrF- и

XeCl- лазеров Тип Длина

волны излучения,

мкм

Энергия импульсовизлучения,

мДж

Длительность импульса,

нс

Частота следования импульсов,

Гц

Средний ресурс, импульсов

CL-5100: ArF KrF XeCl

0,193 0,248 0,308

20 40 25

8-10 9-11 9-11

100 100 100

2 107 15 107

3 107

CL-7100: ArF KrF XeCl

9,193 0,248 0,308

20 40 25

17 20 20

100 100 100

5 106

10 106

20 106

ЛЛ-1:ArF KrF XeCl

0,193 0,248 0,308

150 250 200

10-20 10-20 10-20

150 150 200

0.6 106

2 106

3 106

ГЕФЕСТ-1 0.308 800 100-300 500

ГЕФЕСТ-2 0,308 2000 300 300

ГЕФЕСТ-3 0,308 10000 300 100

МЭЛ 5-1 0,308 1500 100-300 1

ЛИДА-F 0,308 200 30 2

Энергетические уровни эксимерного лазера

Параметры гелий-кадмиевых лазеров

Тнп Длинаволны

излучения,им

Мощностьизлучения,

мВт

Расходи-мость пучка, мрад

Диа-метр

пучка, мм

Поляри-зация

Спектраль-ный

состав излучения

Среднийресурс,ч

ЛГН-61 441,6 50 2.5 1.5 100:1 00q 3 000

ЛГН-409 325 2 0.9 1.5 100:1 mnq 3000

ЛГН-517 441.6 10 0.9 1.5 100:1 00q 5000

Максвелл 441,6 20 1,5 1,5 100:1 00q 5000

Максвелл-1 325 10 1.2 1,5 100:1 00q 3000

ГКЛ-10У 325 15 0.9 1,5 100:1 00q 3 000

ГКЛ-l00У325 30 0,9 1.7 100.1 00q 3000

ГКЛ-100 325 441.6 40 150 1.5 0.9 2,5 2.5 100:1 100:1

mnq 00q 3 000 3000

ГКЛ-100В(1) 441,6 180 0.9 2,5 100:1 00q 3 000

Параметры ионных лазеров непрерывного действия

Тип Длина волныизлучения, нм

Мощн.Излучени

, Вт

Расход.пучка,мрад

Диаметр пучка, мм

Поляри-зация

Спектр.состав

излучения

Среднийресурс, ч.

ЛП06МЧ0.488 0.5145

1 1,5 3 100:1 00q 5 000

ЛГН-512(1) 0,4579 1 0.5 2 100:1 00q 5 000

ЛГН-512(1У)0,4579-0.5145

12 0.5 2 100:1 00q 5000

ЛГН-513(Ш)0,3344-0.3511

1 0,5 2 100:1 00q 5000

ЛГН-519 0,488 1 1.0 1 100:1 00q 5000

Д20(I)0,4579-0.5145

20 1.0 2 100:1 mnq 5000

Д20(II) 0,488 2.5 1.0 2 100:1 001 5 000

Полупроводниковый лазер с распределенной обратной связью

Размеры и типовой спектр излучения полупроводникового лазера

Схема лазера с распределенной обратной связью

Схема твердотельного лазера с диодной накачкой

Сечение поглощения рубина

Энергетическая диаграмма Ar-ion лазера

Сечение поглощения неодимового стекла и Nd:YAG- кристалла

Cпектральные характеристики источниковизлучения различной степени когерентности

Светоизлучающий диод

Лазерный диодФабри-Перо

Волоконный лазерактивированный эрбием

Лазерный диодс распределеннойобратной связью

Лазер с диодной накачкой