국제엘렉트릭코리아 소개 시장동향 비교우위 핵심경쟁력 투자포인트 APPENDIX

국제엘렉트릭코리아 소개

1. 회사소개2. 설립배경 3. 참여 반도체공정의 분야4. 생산장비소개5. 사업영역

Chapter 1

4

1-1 회사소개

매출 및 손익 ( 백만원 )

구분 ’99 ’00 ’01 ’02.3Q

매 출 액 23,515 29,565 16,008 14,802

당기순이익 3,017 3,591 2,092 1,878

이익율 (%) 12.83 12.14 13.07 12.69

회 사 개 요설 립 일 1993 년 5 월 24 일

대표이사 이 길 재자 본 금 30 억원

주요제품 Diffusion Furnace ( 종형확산로 )LP-CVD ( 화학기상증착장비 )

종 업 원 77 명 ( 연구인력 23 명 )

합 작 선 일본 ㈜히타치국제전기( 현재 지분율 36.5%)

사 업 내 용주 요 사 업 거 래 선

1. 반도체 제조용 장비의 제조 및 판매2. 장비의 설치 ·A/S 서비스용역3. 장비의 부품 판매4. 장비의 개조 · 이전설치

▶ 국내 삼성전자 ( 협력회사 회원사 )하이닉스 ( 협력회사 회원사 )아남 / 동부전자

▶ 해외미국 SAS미국 HEA 일본 히타치국제전기

봉 사 인 화창 조사 훈

( ’02.3Q 당기순이익은 회사 자체결산 자료로 , 감사받지 아니한 실적임 )

5

설립배경1-2

‘93 년 정부 및 반도체업체의적극적인 지원

천안에 공단 지정

외국인 투자유치

’93. 5. 24국제엘렉트릭코리아

설립

• 세계적인 반도체장비 제조회사 • Furnace 및 CVD 장비 기술의 선두

일본 히타치국제전기

합작

‘93 년 설립당시국내 반도체 수준

’92 년 DRAM 세계 1 위’93 년 Memory 세계 1 위

반도체 재료 및 장비시장95% 이상 외국에서 조달

6

산화공정(Oxidation)

노광(Exposure)

현상(Development)

식각(Etching) 이온주입 화학기상증착공정

(CVD)금속배선감광액

(PR)

• 열 산화 분위기속에서 실리콘 Wafer 표면에 산화막을 형성시키는 공정

전공정프로세스

• 열 및 플라즈마 분위기 속에서 Source Gas 간의 화학반응으로 형성된 입자들을 Wafer 표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정

1-3 참여 반도체공정의 분야반도체 장비산업 중 고부가가치인 전 공정에 참여

Wafer 제조및회로설계Wafer 가공

(Fabrication)조립

(Packaging)

전공정 후공정검사

(Test)반도체공정

반도체산업구조 반도체장비산업반도체소자산업

반도체원재료산업

7

1-4 생산장비 소개

차세대 대응 공동개발장치

ALD(Atomic Layer Deposition) - Al2O3/ HfO2

- Nitride (Si3N4) - Oxide(SiO2)

Batch Type

MMT(Modified Magnetron Type)

- Stack Gate 용

(Nitridation, Oxidation)

Single Type

Furnace & CVD

• 200mm/ 300mm Wafer 대응가능• 모든 Furnace/ CVD 공정 처리 가능

TAT(Turn Around Time) 단축이 필요한 공정에 주로 사용되며 Wafer 를 1 매씩 처리하는 장비 [ Single Type 종류 ] RTP(Rapid Thermal Process) Ruthenium, High-k Ta2O5

대량생산이 요구되는 공정에 주로 사용되며 Batch 당

50~150 매 Wafer 일괄처리 가능 장비

[ Batch Type 종류 ]

Oxide, Nitride, Anneal, D-Poly

HTO(High Temperature Oxide)

Alloy, BPSG reflow 등

8

1-5 사업영역반도체 장비제조 및 판매부터 A/S, 개조까지 Total Service

반도체장비제조 및 판매

• 200mm/300mm 용 Diffusion Furnace

& LP-CVD, LP-OXIDATION, ALD 장비 제조 및 판매• 매출비중 : 63 %

장비개조• 소자업체의 노후장비 성능개선 , 기능변경 및 이설• 매출비중 : 9 %

부품 판매• 반도체소자업체의 장비 유지보수에 필요한 부품• 매출비중 : 15 %

서비스• 히타치국제전기 장비 Set-up 용역 및 A/S 대행• 반도체소자업체 생산라인의 보수 용역• 매출비중 : 13 %

(2002 년 3 분기말 기준 )

시 장 동 향Chapter 21. 회복추세의 세계 반도체 장비시장2. 국내 반도체 장비시장3. 경쟁사 및 시장점유율

10

( 자료 :WSTS 2002.5, Data Quest 2002.7)

(B$)

139 142173

198 204

45 34 4367 78

0

50

100

150

200

250

'99 '00 '01 '02(E) '03(E) '04(E) '05(E)

반도체 반도체장비

204

149

3562

2-1 회복추세의 세계 반도체 장비시장세계 반도체 및 장비시장 동향 세계 Furnace & CVD 시장동향

• 반도체시장은 ’ 01 년 ~‘02 년 침체기를 벗어나 ’ 03 년을 기점으로 회복의 길로 접어들 전망 - 2003 년 세계 반도체 시장은 지난해보다 12∼20%, 반도체 장비 시장은 9∼16% 성장 전망 - 세계 반도체시장은 DRAM 시장 회복 , 플래시메모리 시장 급성장 , 휴대폰 판매량 증가 , PC 교체 주기도래 , 아시아지역 수요 확대 등으로 본격적 회복 전망

• 2003 년 반도체 소자업체의 투자 증가로 Furnace & CVD 장비 수요 증가 예상 - 전체 반도체장비시장 중 전공정 장비의 비중은 70% 를 넘는 상황 - 전공정 장비시장 중 Furnace & CVD 는 20% 정도 차지

( 자료 : 반도체제조장비 Data Book 2001)

(M$)

3,691 3,9635,047

8,450

1,239748586542

0

2000

4000

6000

8000

10000

'99 '00 '01 '02(E) '03(E) '04(E)

Furnace CVD

5,243

2,675

397 755

11

2-2 국내 반도체 장비시장삼성전자의 시설투자 ( 반도체 ) 규모 추이

0

1

2

3

4

5

6

'00 '01 '02 '03(E)

( 조원 )

( 자료 :’03.01 삼성전자 발표 )

• 삼성전자의 ’ 03 년 세계반도체시장 전망은 IT 투자회복 , PC 수요증대 , 디지털 가전 및 통신시장확대 등 전년 대비 22% 증가 예상 ($1,422 억→ $1,731 억 , $309 억↑ ) • ’03 년 공격적 설비투자 예정으로 국내 장비업계의 경기회복이 예상되어 수익력 증가가 기대됨 . - 300 ㎜ Wafer Line - System LSI Line - 미국 현지 생산법인

’03 년 신규 및 증설 투자 예정

5 조3.6 조4 조

3 조

반도체 , LCD 부문의설비 , 건물 , Utility등 투자 총액규모

국내 반도체 장비시장 동향

• 전방 산업인 반도체시장의 수요 회복과 삼성전자의 투자확대 등 ’ 03 년 반도체 장비시장규모 확대 예상• 반도체 장비의 국산화율 12.4% 수준 (2001 년 기준 ) - 전공정 6.8% , 조립공정 36.1% , 검사공정 11.0% • 국산화 전공정 장비의 국내시장 규모

1,324163

12.3

1,26190

7.1

2,173219

10.1

1,097170

15.5

78181

10.4

전공정시장규모당사공급실적( 점유율 %)

´02(F)´01´00´99´98구분( 단위 : 억원 )

(%)

0

1000

2000

3000

4000

5000

'97 '98 '99 '00 '01 '02(E)

국내공급 수입

( 자료 : 한국반도체산업협회 2002)

(M$)

2,938

1,350

1,933

4,029

2,045 2,21712.4%

17.8%

0

5

10

15

20

25국내공급비율

12

2-3 경쟁사 및 시장점유율경쟁사 및 시장점유율 현황

( 회사추정자료 , 공급대수 기준 )

300mm Furnace & CVD

히타치국제전기 35%

국제엘렉트릭코리아17%

기타 9%T 사

39%

200mm Furnace & CVD

히타치국제전기 49%

국제엘렉트릭코리아11%

기타 3%T 사

37%

비교우위 핵심경쟁력Chapter 31. 반도체 장비산업의 Trend2. 핵심기술력 보유현황3. 차세대 장비개발 추진현황4. R&D 투자와 지적재산권5. 안정적인 수익구조6. 적극적인 해외진출

14

3-1 반도체 장비산업의 Trend

반도체 장비개발의 패러다임 변화

장비개발 ( 장비 Maker 주도 )

양산 적용 (Device Maker)

장비개발 ( 장비 Maker)

양산적용 (Device Maker)

공동 개발 ( 예 : 국제엘렉트릭코리아 + 삼성전자 )

반도체 장비산업의 특성

반도체 제조업은 지속적인 설비투자가 필요고도의 기술을 요구하는 산업으로 R&D 비용이 큼

수입의존도가 높고 국산화율이 낮음품질이 검증된 기존업체 제품을 선호

• 반도체 Device 의 기술이 첨단 고도화됨에 따라 소자업체의 기술에 맞춰 장비를 개발• 장비 Maker 가 주도하는 장비개발 → Device Maker 와 공동으로 장비개발 ( JDP : Joint Development Project )

15

핵심기술력 보유현황3-2

Furnace & CVD 장비 핵심기술력 보유 연 도 2002 년 2003 년 2004 년 2005 년

구 분

Design Rule ( 예상 ) 130 ㎚ 90 ㎚ 65 ㎚

관련장비 및 공정 ( 예상 )

보유기술

오염 제어기술 ◎

확보 기술 적용 및 Device 변화에 따른 개선 대응온도 제어기술 ◎압력 제어기술 ◎Gas 공급기술 ◎기구 설계기술 ◎성 막 기 술 ◎

개발진행

Plasma 제어기술 ▷ ◎S/W 설계기술 ▷ ◎

Conventional Diffusion Furnace & LP-CVDALD (Atomic Layer Deposition)

MMT(Modified magnetron Typed Plasma source)PL-CVD ( Poly Layer – CVD )

RTP (Rapid Thermal Process)

(▷ : 개발착수 , ◎ : 기술보유 )

16

3-3 차세대 장비개발 추진현황구분 내용 용도 사업화

개발완료

200mm LP-Oxidation 저압 박막 산화막 성막 장비 개발용 1 대 , 양산용 3 대200mm MO-CVD(Ru) 전극물질 성막장비 개발용 1 대

300mm Furnace & CVD 종형확산로 및 화학기상증착 양산용 8 대200mm Batch Type ALD(Si3N4) 원자층 증착방식 성막장비 개발용 1 대 , 양산용 1 대200mm/300mm 용 차세대 BPSG

( 층간절연막 ) FLOW 장비High Speed Temp. Ramp up/down가능 Anneal 용 장치 200mm 5 대 , 300mm 7대

개발진행

200mm/300mm Batch Type ALD (Al2O3,HfO2)

차세대 Capacitor 용 원자층 증착방식 성막장비

200 ㎜ : 2003.06 ~300 ㎜ : 2003.12 ~

300mm Mini Batch (Si3N4) Quick Cycle Time 실현 및 고정밀 온도제어가능장비 2003.06 ~

300mm ICC+Vacuum Load LockD-Poly Poly Contact 저항 감소 장비 2003.12 ~

200mm/300mm 용 Batch PN(Plasma Nitridation)

High Throughput Batch Type유전막 전처리 장비

200 ㎜ : 2003.06 ~300 ㎜ : 2004.06 ~

개발예정

300mm Batch Type ALD(Si3N4) 원자층 증착방식 성막장비 2003. 하반기 ~

MMT (Modified Magnetron Typed Plasma source)

Low-Temp. Plasma 매엽식유전막 전처리 장비

2004. 하반기 ~

KAIST NANO FAB 대응 장비 NANO Technology process 대응장비 2005. 상반기 ~

히타치 국제전기의선진기술 도입

10 년간 축적된핵심 제조기술 Device Maker 와차세대장비 공동개발 안정적인 사업기반구축으로 수익성 확보

17

R&D 투자와 지적재산권

구분 출원내용 비고특허 2000-0019002 자연산화막 제거기능을

갖춘 화학기상침적장비출원 중

실용신안 2000-0010461 등록특허 2001-0070914 플라즈마를 이용한화학기상증착 장비

출원 중실용신안 2001-0035106 등록특허 2001-0070682 튜브의 내부에 공정가스를공급해서 공정을 진행하는반도체 제조장비

출원 중실용신안 2001-0035105 등록

국산화 Unit 명 국산화 Partner 국산화율Gas / 배기 Unit 자체 제작

약 60%

Quartz 류 원익 , 금강 , 영신

Heater 에이스 테크

E 축 ARM 참엔지니어링회전기 / TRANSFER ARM/

TRANSFER 대부이엠ROBOT ARM/ BOAT CHANGER 삼성전자

배기 Unit HANBONFLANGE/ SHUTTER 마이크로테크

DAMPER DUCT 화성기공

R&D 현황

3-4

• 2000 년 기업부설연구소 설립• R&D 인력 23 명 ( 전체 인원 77 명중 30% 차지 ) - 관련부문 15 년 이상 핵심 연구인력 5 명• R&D 비용 15 억 이상 투입 ( 매출액 대비 6%↑)• 장비국산화를 위해 삼성전자 , 히타치국제전기와 공동개발을 통한 차세대장비개발로 리스크 감소

지적재산권 현황 주요 Unit 국산화 추진실적

( 국산화 부품의 일부는 일본 , 미국등으로 수출하고 있음 )

0

500

1000

1500

2000

'99 '00 '01 '02(E)0

2

4

6

8

10R&D비용 R&D비율 (%) ( 백만원 )

5.0

9.312.5

15.0

18

3-5 안정적인 수익구조장비매출이외에 부품 , 서비스 , 개조 매출로 안정적 수익구조

반도체 소자업체의 설비투자에의존율이 높다

2001 년 반도체 경기침체로 대부분의장비업체 매출 감소 및 적자 반전

국내 반도체 장비업체의 대부분은기술수준이 낮은 후공정에 참여

타 반도체 장비업체

- 국내 공급된 장비 1,700 여대용 부품 독점 공급- 장비대수 증가에 따라 매출 증가

• 부품 판매 매출 : 유지보수를 위한 부품판매

- 설치서비스 매출 : 히타치가 공급한 장비 1 대당 약 2,500 만원의 서비스 매출- 무상서비스 매출 : 설치 검수 완료 후 1 년간 장비공급가의 3% 의 수수료 발생- 업무위탁매출 : 업무위탁계약으로 월정 위탁료 800 만원 발생

• 서비스 매출 : 설치서비스 매출과 무상서비스

- 국내에 공급된 당사 및 일본 히타치의 장비개조 독점• 개조 매출 : 노후장비의 성능 업그레이드 및 이설

장비매출 외의 매출로 안정적 수익구조 보유

첨단 고도기술의 전공정 장비로 고가의 장비가격

국제엘렉트릭코리아

19

3-6 적극적인 해외진출적극적인 해외진출로 매출 극대화

• 삼성전자 , 하이닉스 , 동사의 해외 현지 투자법인을 대상으로 장비의 제조 공급 , 설치와 A/S 의 영업활동 수행 .

• 히타치국제전기가 제 3 국에 판매하는 장비의 주문생산 (OEM) 추진 .

• 미래의 성장 잠재력이 큰 중국 시장을 타켓으로 일본 히타치국제전기와 공동 마케팅 추진 .

▷ 1 단계 : 국산화 부품 ▷ 2 단계 : 장비설치 및 A/S 영업 ▷ 3 단계 : 주요 Unit, 장비 OEM 생산

히타치국제전기중국시장

공동마케팅 추진

국제엘렉트릭코리아

▶ 중국 반도체 생산 전개

부품 수입 위주 5″ Wafer 4″ ~ 6″ Wafer 8″ ~ 12″ Wafer - 200 억불 투자 예상 - 15~20 개 생산라인 건설계획

~ 80 년대 말 1991 ~ 1996 1997 ~ 2001 2002 ~ 2006

시장 현황연도별

72992727매출액8010103030대수 (8″)계ASMCTSMCHejianSMIC구 분

▶ ’03 년 히타치국제전기 중국시장 판매계획 (M$)

311010641Line 수합계3″4″5″6″8″W/F Size

▶ 중국 Fab 라인 보유현황

자료 :CCID( 정보산업발전중국센터 )

투자포인트Chapter 41. 재무성과

2. 공모예정가 정보

3. 회사의 투자포인트

21

4-1 재무성과성장성 수익성 안정성

• 안정적인 성장성 및 매출구조 - 02 년 매출액 240 억 예상 전년대비 50% 증가

• 높은 수익성 유지 - ’01 년 당기순이익 13.07% 달성 ( 비교대상 동종 업종 평균 6.4%)

• 우수한 재무안정성 보유 - 차입금 의존도 0% 유지 - ’02.3Q 원자재 구입대금 일시증가

장비

서비스개조

(02년 예상 )24,000

'99 '00 '01 '02.3Q

( 단위 : 백만원 )

23,515

29,565

16,008

부품

14,802

( 단위 :%)

부채비율

차입금의존도4.92 4.75

0.00 0.00

167.59

104.74

40.86

69.37

'99 '00 '01 '02.3Q

( 단위 :%)

당기순이익율 12.83

12.1413.07 12.69

'99 '00 '01 '02.3Q

( 예상 )

22

4-2 공모예정가 정보

구 분 2001 년 2002 년 ( 상 )

유사회사 평균 PER(A)( 배 ) 13.94 27.01

발행사 당기순이익 (B)( 천원 ) 2,092,095 1,074,178

가중평균주식수 (C)( 주 ) 6,000,000 6,000,000

발행사 EPS(B/C)( 원 ) 349 179

비교가치 (A× 발행사 EPS) 원 4,865 4,835

적용 비교가치 ((D+E)/2)( 원 ) 4,850

구 분 2001 년 2002 년 ( 상 )

유사회사 평균 EV/EBITDA(A) 11.78 20.51

발행사 EBIDTA(B) 2,597,773 1,238,616

발행사 EV(A×B) 30,601,766 25,404,014

발행사 순부채 (C) -4,656,597 -8,935,346

발행사 시가총액 (EV-C) 35,258,363 34,339,360

발행사 발행주식총수 6,000,000 6,000,000

비교가치 ((EV-C)/ 발행주식수 5,876 5,723

적용비교가치 ((D+E)/2) 5,800

PER 가치 EV/EBITDA 가치 산술평균평가가치 할인율 공모기준가액 공모희망가 Band

4,850 원 5,800 원 5,325 원 36.96% 3,357 원 3,100~3,700 원

공모가액 산출

PER 적용 시 비교가치 EV/EBITDA 적용 시 비교가치

( 비교가치는 연간 환산하여 산출 )

23

4-3 회사의 투자 포인트

• 초기 투자비용이 크고 높은 기술장벽으로 경쟁사 출현 가능성 희박• 국내에서 경쟁하고 있는 회사는 일본 TEL 사로 경쟁회사가 적음경쟁자수가 적은 회사

• 첨단의 고도기술이 요구되는 반도체 전공정 장비제조로 높은 부가가치 창출• 1999 년에서 2001 년까지 12% 이상의 높은 당기순이익율 유지 ( 설립이후 9 년 연속 흑자 경영 )

높은 부가가치를 창출하는 회사

• 국내 Furnace & CVD 시장에서 합작사와 함께 60% 이상 M/S 유지

• Device Maker 와의 차세대 장비 공동개발을 통하여 기회를 선점하고

지속적인 성장 가능

시장을 선점하고 있는 회사

• 핵심기술력 보유 ( 히타치와의 합작으로 10 년간 핵심기술이전 )

• 미국 , 중국등 해외시장으로의 적극적인 진출 추진

• 히타치 국제전기의 장비설치 · A/S 용역 및 부품판매 독점권 확보

남과 다른점을 갖고 있는 회사

투자 포인트 ? 국제엘렉트릭코리아는 ?

• 무차입 경영으로 차입금 지급이자 Zero 재무구조가 견실한 회사

APPENDIXChapter 51. 코스닥 등록정보2. 회사개요3. 경영진 및 인원현황

25

5-1 코스닥 등록정보

2003 년 3 월 5 일수 요 예 측 일2003 년 2 월 21 일효 력 발 생 일

2003 년 3 월 21 일코스닥등록 및 매매개시일

2003 년 2 월 5 일유가증권제출일

2003 년 3 월 12 일 ~ 13 일일반공모청약일

날 짜내 용공모일정

4,286 백만원연구개발비 등 운영자금

6,851 백만원총 계365 백만원기타 ( 발행제비용 )

2,200 백만원시설자금사용금액사용내역

( 공모희망최저가액 기준 )

공모자금 사용계획보호예수등 현황

최대주주 등2,355,776주

(28.7%)공모주식2,210,000주

(26.9%)

소액주주254,224주(3.1%)

( 공모후 총 발행주식수 : 8,210,000주 )

주주현황

히타치국제전기2,190,000 주

(26.7%)

벤처투자1,200,000주(14.6%)

5,596,776 주 (68.2%)합 계

주주명

2,190,000 주 (26.7%)히타치 국제전기 (*2)비의무벤처투자 (*1)

최대주주 등830,000 주 (10.1%)

221,000 주 ( 2.7%)우리사주조합 배정 (*3)

2,355,776 주 (28.7%)의 무주식수 ( 비율 )구 분

(*1) 벤처투자 지분 : 1,200,000 주 ( 의무 보호예수 830,000 주 )(*2) 히타치국제전기 : 최대주주와 동일하게 의무보호예수 실시 (*3) 우리사주조합 : 274,174 주 (1 년 예탁 : 221,000 주 )

유통가능물량 2,613,224 주(31.8%)

26

5-2 회사개요

충청남도 천안시 차암동 4-2번지본 사77 명종업원수

반도체제조용기계제조업주요사업160.1 억 / 20.9 억 (2001 년 )매출 / 순이익

Diffusion Furnace 및 LP-CVD 장비주요제품

3 월결산기

30 억자 본 금1993.5.24설 립 일

이길재대표이사국제엘렉트릭코리아㈜회 사 명

회사개요• 93.05 국제엘렉트릭코리아㈜ 설립• 94.04 일본 ㈜히타치국제전기와의 기술이전계약 체결• 95.04 일본 ㈜히타치국제전기와의 부품공급 계약 체결 서비스위탁계약 , 업무위탁계약 체결• 97.06 ISO9002 인증 획득 (Q10080)• 99.03 제 33 회 조세의 날 성실납세자 국무총리 표창 수상• 00.06 자연산화막 제거기능을 갖춘 화학기상침적장비에 대한 실용신안등록• 00.08 일본 국제전기세미컨덕트서비스㈜와 부품판매계약 장비의 개조 , 이설 및 부품 판매계약• 00.10 국산화장비 양산용 LP-Oxidation 1 호기 출하• 00.11 기업부설연구소 설립• 02.02 플라즈마를 이용한 화학기상증착장비에 대한 실용신안 등록 및 튜브의 내부에 공정가스를 공급해서 공정을 진행하는 반도체제조장비에 대한 실용신안• 03.02 국내 소자업체에 반도체장비 242 대 (누계 ) 출하

주요연혁

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5-3 경영진 및 인원현황

대표이사 이 길 재

• 한양대 졸업• 삼성 Japan 부장• 삼성물산 부장• 니콘정밀 부사장

경영진 현황

• 삼성전자 반도체부문 FAB 공정기술 부장양창집상무이사

• 삼성전자 반도체부문 자재부장• 삼성전자 본사 업무부장장재영부사장

• 日 히타치국제전기 영업부장스즈키테츠오대표이사부사장약력성명직책

인원 현황

연구직 23 명(30.0%)

생산직 15 명(19.5%)

관리영업직 17 명(22.0%)

기타 2 명(2.5%)

기술직 20 명(26.0%)

( 전체인원 77 명 )

• R&D 및 기술직 인력 : 전체의 56% 차지

국제엘렉트릭코리아㈜

감 사 합 니 다