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光素子の集積化
単一光回路素子
光/電子素子の高密度集積
Si-wirewaveguide
Ringresonator
Add / drop filter
2005 2010 2015
400 nm
SiO2 cladding
Si core
Si-wire waveguide
5 μmGap : 150 - 300 nm
Lattice type add/drop filter
CMOS Circuit
Ge photodiode*(Ge-PD)* Collaboration with Prof. K.Wada ( Univ. of Tokyo )
Arrayed waveguide grating (AWG)
Ge
Si-wire
今後も通信トラフィックは膨張する一方であり、大容量伝送と低消費電力を両立する通信システムの実現が不可欠です。シリコンフォトニクスはこの要求に応え、通信ネットワークシステムの継続的な発展を可能にします。
NTT研究所が得意とする最先端のシリコンナ
ノ加工技術によって、高機能な波長フィルタや変調器、受光器の開発に成功しています。開発した光素子の性能はいずれも世界トップクラスを誇り、現在、これらの素子のシリコンプラットフォーム上モノリシック集積に向けて研究しています。
通信トラフィックの急激な増加により、光デバイスの高機能化と低消費電力化が求められています。本研究では、光デバイスの飛躍的な高集積化を可能にするシリコンフォトニクス技術により高機能・低消費電力デバイスを実現することを目指しています。
シリコンフォトニクス～小型・高性能通信用デバイスを実現するワンチップ光電子集積技術～
NTT マイクロシステムインテグレーション研究所開 達郎 （Tatsurou Hiraki）
お問い合わせ窓口：[email protected]
One-chip WDM receiver
光/電子素子の集積化
現在VOA-PD
integration
