MOSFET

一、 MOSFET 的種類

1.N 通道空乏型與增強型 MOSFET

2.P 通道空乏型與增強型 MOSFET

N 通道空乏型及增強型 MOSFET空乏型 : 汲極 D 及源極 S 之間以通道連接增強型 : 汲極 D 及源極 S 之間沒有通道

N通道空乏型MOSFET

(1) 結構

(2) 符號

於低摻雜量的 P 型基體內擴散成兩個高雜量之　區域，分別當作源、 汲極。上層覆蓋二氧化矽（　 ）層。閘極未加偏壓時，本身已有通道。

中間的垂直線代表通道。P 型基體：箭頭朝內。N 型通道：源極的箭頭朝外。其符號是模仿 NPN 。

+N

2SiO

N通道空乏型MOSFET

(1) 操作情形DSVGSV 0

GSV < 0

① ，適當的加入　 電壓，則產生　有效的電流（此與 JFET 相同）。② ，通道感應正電荷，並減少通　道多數載子，使得汲極電流減少（空　乏模式）。③ ，通道感應負電荷，並增加通　道的載子，使得汲極電流增加（增強 模式）。

GSV 0

N通道增強型MOSFET的結構與符號

P 型基體（箭頭朝內）、 N 型通道（源極箭頭朝外）。中間的垂直虛線表示無通道存在。

(1) 結構增強型 MOSFET 的結構與空乏型MOSFET 非常類似。汲、源極間沒有實質的通道。

(2) 符號

N通道增強型MOSFET (1) 基本動作原理

操作情形

當　　 時， MOSFET 處於截止狀態。當 時，在閘極下方形成一個空乏區。當　　　（　稱為臨界電壓）時，電子就被引進入這一空乏區，汲、源極間有了 N

型通道，產生電流。

GSV 0

GSV 0

GS thV V thV

P 通道空乏型及增強型 MOSFET

P通道空乏型MOSFET的結構與符號

(1) 結構： N 型基體為製造 MOSFET 元件的基礎層 ，整個元件是製作在一塊基體上的。

(2) 符號N 型基體：箭頭朝外。P 型通道：源極的箭頭朝內。其符號是模仿 PNP 。

P通道增強型MOSFET的結構與符號與空乏型 MOSFET 類似。汲、源極間沒有實質的通道。N 型基體（箭頭朝外）、 P 型通道（源極箭頭朝內）。中間的垂直虛線表示無通道存在。

(1) 結構

(2) 符號

N 、 P 通道增強型 MOSFET 工作原理N 通道 :

利用感應少數載體形成的通到，增加汲極的電流量P 通道 :以 P+ 區為汲極及源極，以電洞為電荷載子，除了 vGS 、 vDS 及臨界電壓Vt為負外，元件的操作方式與 N 通道相同，電流 iD 是由源極流向汲極

二、工作原理 1. 電路符號 2.MOSFET 特性曲線 3.MOSFET 工作特性曲線 4.MOSFET 次導通區

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