Tema3_Amplificadores

8/2/2019 Tema3_Amplificadores

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1Mara Jess Martn Martnez : [email protected]

TEMA 3. AMPLIFICADORESTEMA 3. AMPLIFICADORES

IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/

https://reader009.{domain}/reader009/html5/0503/5aea5546f223a/5aea55488078b.jpg


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1.1. IntroducciIntroduccinn

2.2. AmplificadoresAmplificadores..3. Amplificadores bAmplificadores bsicos consicos con BJT.BJT.

4.4. Amplificadores bAmplificadores bsicos con MOSFET.sicos con MOSFET.

5.5. Circuitos integrados (TecnologCircuitos integrados (Tecnologa).a).

6.6. Amplificador Operacional (AO).Amplificador Operacional (AO).

7.7. Osciladores.Osciladores.

8.8. Problemas propuestos.Problemas propuestos.


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Un Circuito Integrado es un circuito electrnico fabricadocompletamente sobre la cara superior de una delgada piezarectangular de semiconductor al que suele denominarse como chip.

Un CI contiene un gran nmero de transistores que realizan variasoperaciones:

Es difcil asignar una operacin o funcin a un solo transistor.

Es til considerar que un CI est formado por subcircuitos (conms de un transistor) que realizan funciones especficas.

INDICE:

Inicialmente, vamos a estudiar las propiedades de los circuitosms sencillos con UN SOLO TRANSISTOR

Despus vamos a estudiar como se fabrican los CIs

A continuacin, analizaremos el AMPLIFICADOROPERACIONAL

TEMA 3. AMPLIFICADORESTEMA 3. AMPLIFICADORES 3.1. INTRODUCCI3.1. INTRODUCCINN

http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/int/sist_digit/image020.jpg


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Los circuitos electrnicos estn diseados para una operacin dinmica (con corrientes ytensiones en alterna):

TEMA 3. AMPLIFICADORESTEMA 3. AMPLIFICADORES 3.1. INTRODUCCI3.1. INTRODUCCINN

Circuito equivalente de pequea seal:

B

)(tvi

BR CR

rci

+

bev

bi

bFi

E

C

BR

CR

CCV

BBV

)(tvi

)(tVBE

)(tVCE

)(tIC

)(tIBB

C

E

Para realizar el estudio el transistor o el circuito electrnico sesustituye por un modelo circuital (Modelo equivalente de pequea seal)

Previamente al estudio en pequea seal, debe estudiarse siempre la

operacin esttica (con corrientes y tensiones de continua): lapolarizacin de los transistores y la obtencin de sus POE.

PARA DISTINGUIR SEALES ac y dc convenio:

Seales DC: Smbolo y subndice en MAYUSCULA

Seales AC: Smbolo y subndice en minscula

Valor total de la seal (ac + dc): Smbolo minscula y

subndice en mayscula.

BI

bBB iIi +=

bi

Hoy en da los circuitos equivalentes son muy complejos, y requieren de herramientas comoSPICE (Simulated Program with Integrated Circuits Emphasis).

Sedra/Smith 2004


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Antes de proceder al estudio de amplificadores concretos, vamos a estudiar con carctergeneral, lo que entendemos por amplificador y sus diferentes tipos.

TEMA 3. AMPLIFICADORESTEMA 3. AMPLIFICADORES 3.2. AMPLIFICADORES3.2. AMPLIFICADORES

iI iKi =0

Un amplificador establece una relacin (generalmente lineal) entre una seal de entrada y unaseal de salida.

En la Figura se muestran las 4 configuraciones bsicas de amplificadores ideales.

Amplificador de corriente ideal: (a)(Fuente de corriente controlada por corriente).

La condicin de transferencia es

(siendo KI la ganancia en corriente del amplificador)

Ejemplo BJT

Amplificador de transresistencia ideal (b)(Fuente de tensin controlada por corriente).


(siendo KR la transresistencia del amplificador)

iR iKv =0

D. Pardo, et al. 1999



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TEMA 3. AMPLIFICADORESTEMA 3. AMPLIFICADORES 3.2. AMPLIFICADORES3.2. AMPLIFICADORES

iV vKv =0

Amplificador de tensin ideal: (c)(Fuente de tensin controlada por tensin).


(siendo KV la ganancia en tensin del amplificador)

Amplificador de transconductancia ideal (d)(Fuente de corriente controlada por tensin).


(siendo KG la transconductancia del amplificador)

Ejemplo MOSFET

iG vKi =0




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BJT en emisor comn BJT en colector comn BJT en base comn BJT en emisor comn con resistencia de emisor

3 .Amplificadores bsicos con BJTs

TEMA 3. AMPLIFICADORESTEMA 3. AMPLIFICADORES 3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

4 .Amplificadores bsicos con MOSFETs

MOSFET en fuente comn MOSFET en fuente comn con carga de realce


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Un Circuito Integrado es un circuito electrnico fabricado completamente sobre la cara superiorde una delgada pieza rectangular de semiconductor al que suele denominarse como chip.

La fabricacin de un CI completo lleva consigo una secuenciade muchas etapas (entre 3 y 20) de procesos tecnolgicos:

Crecimiento del lingote Oxidacin Difusin y/o implantacin de impurezas

Litografa Metalizacin


5 .Tecnologa de Fabricacin de CIs

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

Todos estos pasos se realizan simultneamente paraun gran nmero (cientos o miles) de circuitos en lamisma oblea de semiconductor.

Posteriormente cada circuito se somete a una prueba automtica de test en la que se examinan deforma individual los circuitos Se desechan los defectuosos o los que no cumplen las especificaciones Los que cumplen las caractersticas Encapsulado

http://www.nist.gov/public_affairs/images/ChipScaleClock2_HR.jpg


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Sala blanca: Las operaciones de fabricacin de un dispositivo se realizan mediante

sistemas robticos controlados por ordenador en salas blancas (milesde veces ms limpias que los quirfanos de hospitales).

Los trabajadores estn vestidos con trajes especiales que cubren a

cada persona de la cabeza a los pies. El aire se filtra continuamente y se hace recircular para mantener el

nivel de partculas de polvo en un mnimo absoluto. La temperatura, la presin baromtrica y la humedad se controlan de

modo que los circuitos microscpicos totalmente protegidos. Una nica partcula de humo podra destruir un proceso de crecimiento

de un chip.

Entrando en una sala blanca


Tecnologa de Fabricacin de CIs

http://en.wikipedia.org/wiki/Cleanroom




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P r o c e s o s d e f a b r i c a c i n d e u n c h i p

S e c c i n t r a n s v e r s a ld e u n H B T d e IB M e nu n p r o c e s o B i C M O S

La e structura de u n chip es com pleja (en su superf ic ie y en su com posicin interna tr idimen sional).

E l chip se fabr ica m ediante m uchas capas, c a d a u n a d e l a s c u le s e s d i s e a d a d e m a n e r a d e t al la d a . Por

ejemplo:

Podem os crecer una capa f ina de Si0 2 (material aislante) en la superf ic ie de la oblea.



Paul, D. J. (1999), Silicon-Germanium Strained Layer Materials in Microelectronics. Advanced Materials, 11: 191204


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Como imprimir un libro en

miniatura

Los diseos son creados en las capas deSi02utilizando una tcnica de impresindenominada fotolitografa.

Una capa fina de polmero sensible a lailuminacin (llamado resina) se aplica

sobre el Si02.

Se proyecta luz ultravioleta a travs deuna mascara de cristal tan fina que seproyecta la imagen de la mscara sobrela resina.

La resina que no ha sido expuesta a laluz se puede lavar mediante disolventes.Tambin se elimina el Si02protectormediante diferentes tcnicas de grabadopara prepararlo para el siguiente paso enel proceso.

Grabado y litografa



http://www.semiconductor-technology.com/projects/philips/images/image_3.jpg


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Fotografa SEM de una matriz delneas de metalizacin (rosas, verdesblancas y amarillas ) que realizan las

interconexiones en una memoria RAM(varias celdas de memoria). El xidoaislante ha sido retirado. Gris (bajometalizaciones es el Si).(Cortesia de IBM)

Metalizaciones: Autopistas minsculas Finalmente, se aaden las delgadas capas metlicas y de polisilicio

(interconexiones entre los transistores individuales y entre otrosdispositivos). Algunos chips contienen ms de seis capas de

cables de interconexin uniendo mas de 4 millones de circuitos.




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En cada uno de los pasos del proceso, las obleas son minuciosamente examinadas con un equipodiseado especialmente y controlado por ordenador, algunas de las medidas tienen lugar a escalaatmica.

Cuando se completa el proceso de metalizacin, todos los chips de la oblea son de nuevoanalizados.

Pruebas de test



http://www.a-m-c.com/successes/industry_highlight/semiconductor/semi_wafer_probe.jpg

http://www.plyojump.com/classes/images/hardware/wafer_dicing.jpg


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Los chips que pasan los rigurosos test elctricos sonentonces cortados de la oblea mediante sierras

especiales de diamante y montados en empaquetadosmetlicos o plsticos especiales denominadosmdulos. Estos mdulos son de nuevo comprobados.

Materiales del substrato. Montaje del chip sobre la estructura: leadframe Conexiones elctricas. Tipos de empaquetado. Circuitos hbridos y placas de circuitos impresos.

Montaje y empaquetado




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1. Crecimiento del lingote del semiconductor: oblea

http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html


Fabricacin de un diodo

jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html


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2. Crecimiento del lingote del semiconductor: oblea





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3. Crecimiento de una capa nativa de Si02 para la posterior aplicacin demscaras litogrficas (para la realizacin del dopaje de la regin p en una zonaselectiva del material)





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4. Se aplica sobre la superficie del xido un material denominado resina. Su aplicacin servir para aplicar un proceso fotolitogrfico en el que se abrir una ventana en el

semiconductor a travs de la cul se realizar la posterior difusin de la regin p. Seguidamente, tiene

lugar un calentamiento de la oblea de modo que la resina se solidifica.





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5. Posteriormente se aplica el proceso fotolitogrfico (se proyecta luz ultravioleta,UV, a travs de una mscara).

La luz UV endurece la regin de resina expuesta a ella. Las regiones cubiertas por lamscara se eliminan mediante grabado qumico.

mask

UV light





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6. Se realiza el grabado o eliminacin de la resina fotoreactiva mediante laaplicacin de un cido.





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7. A travs de la ventana abierta mediante el proceso fotolitogrfico tiene lugar ladifusin o la implantacin inica de impurezas (para realizar el dopaje) de boro(impureza tipo p para el Silicio). De este modo se forma la regin p de la unin p-n.





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8. Se realiza la deposicin del aluminio (mediante sputtering) para la realizacindel contacto a ambos lados de la oblea.





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9. Se realiza un nuevo paso fotolitogrfico (no se muestra) utilizando de nuevouna resina para modificar la forma del aluminio y obtener la forma de lametalizacin final.

Finalmente se lleva a cabo la pasivacin de la superficie que proporciona proteccinmecnica y elctrica.





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10. Los chips finales en la oblea tienen el aspecto que muestran las figuras (visintransversal a la izquierda y visin superior a la derecha).

Posteriormente cada uno de ellos se separa de la oblea (se corta) y se miden sus

propiedades elctricas (caracterizacin).





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Adaptadores o acondicionadores de seal

Convierten una seal (elctrica o no) en una seal elctrica de caractersticas especiales

Amplificadores: necesarios paraprocesar o presentar las sealescon la instrumentacin estndar(osciloscopios, ordenadores, etc.)

Adaptacin del rango

Las seales pueden tener ruido (asociado por ejemplo a la red elctrica: 50 Hz) que puedeeliminarse utilizando: FILTROS o INTEGRANDO la seal

Conversores A/D, D/A, etc.

La mayora de estos circuitos estn basados en : Amplificador Operacional

TEMA 3. AMPLIFICADORESTEMA 3. AMPLIFICADORES 3.6. AMPLIF. OPERACIONAL (AO)3.6. AMPLIF. OPERACIONAL (AO)

Av0=Av i

vi

+Vcc

Esquema general de un amplificadorde ganancia en tensin A



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Caractersticas del AO Ideal/Real

Amplificador: circuito que a la salida proporciona ms potencia de la que toma de la sealentrada El Amplificador Operacional Ideal/Real:

Se representa como un tringuloEntrada diferencial y salida simple

Ganancia en tensin infinita:G= v1=v2 (10

5-1010)

Desde el punto de vista de impedancias:

Impedancia de entrada infinita: (Rin = ) : 1 M-100 M toma poca corriente Impedancia de salida nula: (Rout=0): 10-50 proporciona mucha corriente

a la salida

Sus caractersticas no dependen de la frecuencia o la temperaturaEn l no se produce ni distorsin ni ruido

Av0=Avi

vi

v1

v2

+Vcc

-Vcc

ivAvvAv == )( 210




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El Amplificador Operacional Real El ms utilizado es el A 741 Viene en una gran variedad de empaquetados, la mas usual es la de 8 pins duales en lnea:

Pin n 4: - Vcc= -10 Voltios y Pin n 7 + Vcc= +10 V de alimentacin continua Pin n 2: Entrada inversora, Pin n 3: Entrada inversora Pin n 6: Salida del AO


J. Turner, et al. 1999


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Estructura del Amplificador Operacional RealVCC

VCC

VCC

-VEE

12 9 138

14

19

18

15

21

23

20

2224

1 2

3

4

5

7

6

1011

16

17

R5

R4

R1 R2

R8 R9

R10

39K

5K

1K 1K

50K

vi1 vi2CC

50K 100 50K

40K

R6

R7

22

22

Ajuste externo de offset

vo




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Entradainversora

Entrada no

inversora

v1

v2

Salida

Etapas de

amplificacin

Etapa de salidaEtapa diferencial

El Amplificador Operacional Real: El diseo de un AO real est encaminado a que sus propiedades se aproximen a las delideal

Los lmites de amplificacin vienen dados por la alimentacin dc: Vcc Constitucin interna genrica (en bloques) de un amplificador operacional real y sus

caractersticas de transferencia



TEMA 3 AMPLIFICADORES


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Generalmente, el AO se utiliza bajo realimentacin: REALIMENTACION NEGATIVA

A es la ganancia en lazo abierto

Como la ganancia A del AO es muy elevada: la salida no depende de la ganancia A sino que

slo depende de la de la red de realimentacin

La ganancia en lazo cerrado:

Amplificador

A

Entrada

viv0

Salida

Amplificador

A

Bloque derealimentacin

Entrada

vi vvr

v0

Salida

ivAv =0

0

0

vv

vvv

vAv

r

ri

=

=

=

ivA

A

v += 10 ivv

10 =

10 =iv

v



TEMA 3 AMPLIFICADORESTEMA 3 AMPLIFICADORES 3 6 AMPLIF OPERACIONAL (AO)


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Reglas que han de cumplirse en prcticamente todos los circuitos de AOideales con realimentacin externa:

Regla n 1= Dado que la ganancia G= asumir que no hay diferencia de voltaje entrelos dos terminales de entrada

El AO ajusta v0

de modo que la realimentacin sea capaz de hacer que (v1-v2) sea lo msprxima a cero.

En caso contrario la salida v0

tomara el valor de saturacin: +VCC

o - VCC

Regla n 2= Debe asumirse que la

impedancia de entrada Rin=

No entra corriente a ninguna delas dos entradas del operacional:

21 vv =

v2

vx

v0

1 2

vy

1 2

v1i1

i20

0

2

1

=

=

i

i



TEMA 3 AMPLIFICADORESTEMA 3 AMPLIFICADORES 3 6 AMPLIF OPERACIONAL (AO)3 6 AMPLIF OPERACIONAL (AO)


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Ejemplo n 1: Circuito Amplificador NO INVERSOR

Aplicando las reglas

Podemos plantear

De donde, obtenemos la ganancia: 120

R

R

v

v

i

=

21 vv =0

0

2

1

=

=

i

i vi v0

1 2

1

20 1R

R

v

v

i

+=Montar en el Laboratorio


Ejemplo n 2: Circuito Amplificador INVERSOR

Se plantea:

Obtenemos la ganancia:

Si elegimos R1=R2 (es slo INVERSOR: ganancia = - 1)

vi

v0

1 2

Montar en el Laboratorio

2

0

1

0R

vvRv ii =

2

0

1

00

R

v

R

vi =

1

20

RR

vvi

=





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Ejemplo n 3: Circuito SUMADOR

Podemos plantear:

De donde

La salida es (con signo menos) la sumaponderada de todas las entradas (cada entradava ponderada por su resistencia)

Si se verifica que

1

20 1R

R

v

v

i

+=


v0

RF

v1

R1

v2R2

vnRn

Fn

n

R

v

R

v

R

v

R

v 0

2

2

1

1

... =+++

RRRR n ==== .....21

0

2

2

1

1 ... vRv

Rv

RvR

n

nF =

+++

RRF =

( )nvvvv +++= ....210




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Ejemplo n 4: Circuito RESTADOR

Podemos plantear:

Como se cumple:

Este circuito es restador de dos seales

21

2

R

v

R

vv ++=

v+

v1

v0

R1 R 2

v2

R1 R2

v -

i1

i2


( )yx vvRR

v =1

20

2

0

1

1

R

vv

R

vv =

+

= vv 12

2

0

1

1

R

v

R

v

R

v

=+ D. Pardo, et al. 1999



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Ejemplo n 5: Circuito con DIODO

Podemos plantear:

De donde

Este circuito nos da en la salida una seal proporcional al logaritmo de la entrada.


vi

v0

Ri

1

0

R

vi iR

=

TV

v

D eIi

00

0

=

TVvi

eIR

v /0

1

0

= Ti

VvIR

v

/ln 00

=

=0

0 lnIR

vVv iT




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vi

v0

Cic

i

Ejemplo n 6: Circuito INTEGRADOR:Este circuito es idntico al Amplificador Inversor en el que laresistencia R2 ha sido sustituida por un condensador

Podemos plantear

Teniendo en cuenta que en un condensador la corriente que loatraviesa y la diferencia de potencial entre sus terminalescumplen:

Obtenemos, para este caso concreto:

Igualando

i

R

vi = 0

CdtvCR

v i += 10La seal a la salida,a la salida, vvvv

0

00

0

, es la integral de la entrada, es la integral de la entrada vvvvi

ii

i

yy

ademadems ests est invertida (signoinvertida (signo -- ))



dt

dvC

dt

dv

dv

dQ

dt

dQi cc

cc

===

dt

vdCic

)0( 0=

v

dt

vdC i=

)0( 0




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Ejemplo n 7:Circuito

DIFERENCIADOR:

Este circuito es idntico al Amplificador Inversor en el que laresistencia R1 ha sido sustituida por un condensador

Podemos plantear

Igual que en el caso anterior:

Obtenemos, para este caso concreto:

De donde

i

R

v=

00

dt

dv

CRv

i

=0



dt

dvCi cc =

dt

vdCi ic

)0( =

v

dt

vdC i 0

)0(=

vi

v0

Ric C

i

La seal a la salida,a la salida, vvvv0

00

0

, es la derivada de la entrada, es la derivada de la entrada vvvvi

ii

i

yy

ademadems ests est invertida (signoinvertida (signo -- ))


TEMA 3. AMPLIFICADORESTEMA 3. AMPLIFICADORES 3 7 OSCILADORES3.7. OSCILADORES


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Generadores de funciones:

Fuentes de seal calibrada y estable.

Para transmitir, recibir o procesar informacin:necesitamos de seales elctricas de formas

y frecuencias prefijadas.

Generadores de seales temporales:

Senoidales: sus parmetros son : Frecuencia Amplitud de oscilacin

Rectangulares: adoptan dos valores de tensin diferentes Ondas cuadradas : t1= t2

Impulsos de ondas rectangulares

Triangulares: pueden ser simtricas Simtricas: pendiente ascendente = descendente No simtricasdiente de sierra

TEMA 3. AMPLIFICADORESTEMA 3. AMPLIFICADORES 3.7. OSCILADORES3.7. OSCILADORES

E. Mandado, et al. 1995





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AO se utiliza bajo : REALIMENTACION POSITIVA

Amplificador

A

Entradavi v0

Salida

Amplificador

A

Bloque de

realimentacin

Entrada

vi vvr

v0

Salida

ivAv =0

0

0

vv

vvv

vAv

r

ri

=

+=

=

ivA

Av

=

10


)( 00 vvAv i +=




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En el amplificador con realimentacin positiva se cumple:

Osciladores lineal: circuito electrnico cuya funcin esproducir una onda de salida senoidal sin aplicar excitacin deentrada:

Si conseguimos Iguales en mdulo Fases diferentes

La ganancia tiende a infinito Podramos eliminar vSy laseal de salida se mantendra sin entrada

nicamente habr una frecuencia en la que aparecer unaseal donde se cumplen las condiciones anteriores.

Condicin de oscilacin

ivA

Av

=

10

AmplificadorA

Bloque de

realimentacin

vrv0

Salida

0

0

vv

vAv

r

r

=

=

1=A

1=A

0= A

3. C O S 3.7. OSCILADORES

Amplificador

A

Bloque derealimentacin

Entradavi v

vr

v0

Salida





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Oscilador de puente de Wien: genera seal senoidal

Un circuito oscilante que utiliza un puenteequilibrado como red de realimentacin

Elemento activo Ampl. OperacionalGanancia muy elevada: GVResistencia de salida: R0=0

Resistencia de entrada Ri=

Para encontrar la ganancia del lazo:

Se rompe el lazo de realimentacin en el punto 3 Se aplica una tensin externa V0entre terminales 3 y 4

Aviv0

Z1

Z2

2

3

1

4

R1

R2

R

R

C

C

A

iAvv =0 Av

v

v

vA i

'

0

'

0

0 =='

0

'

0 v

vv

v

vi+

==

+ = vvvi




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Igualando la fase de Z1 y Z2 (arctg:Im/Re) se obtiene la frecuencia

Para esa frecuencia adems se cumple:

Avi

v0

Z1

Z2

2

3

1

4

R1

R2

R

C

R

C

Oscilador de puente de Wien: genera seal senoidal (continuacin)

( )+ = vvAv0

2

210

Z

ZZvv

+= +

2

21

0 R

RRvv

+=

C

jRCZ

=1

( )2222 1

1

CR

RCjRZ

+

=

)( jRZ = 11

( )jR

Z = 12

2

32

21

2

21 =+

=+

Z

ZZ

R

RR21 2RR =

0=1/RC




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Av i

v0

Z1

Z2

2

3

1

4

R1

R2

R

C

R

C

Oscilador de puente de Wien: genera seal senoidal (continuacin II)

Circuito a montar en el laboratorio

Utilizar los siguientes valores

R= 5.6 K

C= 10 nF

R1= 10 K

R2= 5 KOscilacin 21 2RR =

0=2 f00=1/RC

f0

=2842 Hz

Utilizar un potencimetro oresistencia variable

10 K

10 k




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VCC

V

t

-VCC T

Realimentacinnegativa:el circuitooscila con

v0 ensaturacin

VCC

V

t

-VCC T

Oscilador de puente de Wien: genera seal senoidal (continuacin III)

R2 muy elevada: aumenta v-

R2 muy baja: disminuye v-

Gvi

v0

Z1

Z2

2

3

1

4

1

2

C

C

Realimentacin

positiva:

O OSCILA

VCC

V

t

-VCC T

Oscilacin R2 =R1/2 f0=2842 Hz




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Circuito generador de onda cuadrada

La realimentacin positiva siempresigue a la salida: v+= v0

En la salida el AO da los valoresde saturacin: +VCC, -VCC

Si v0=+VCC v+

= VCCLa corrienteItiende a cargar el condensador C

Si v0=-VCC v+= - VCC

La corrienteItiende a descargar el condensador C

Dependiendo de la carga y descarga del condensador C: la corriente I circula en uno uotro sentido se genera una onda cuadrada

Gvi

v0

C 1

2

I

21

2

RR

R

+=




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VCC

V0

t

-VCC T

VCC

v+

t

-VCC

VCCv-

t

-VCC

Gvi

v0

C 1

2

I

Circuito generador de onda cuadrada (continuacin )

+=

1

2212RRRCT ln

f0=4550 Hz

2

1

21

2

=+= RR

R

En el laboratorio

R1=R2=10K R= 10 K

C= 10 nF El periodo de la oscilacin:

T=0.22 ms




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Agradecimientos Daniel Pardo Collantes. Departamento de Fsica Aplicada. Universidad de Salamanca.

Figuras cortesa de: Pardo Collantes, Daniel; Bailn Vega, Lus A., Elementos de Electrnica. Universidad de

Valladolid. Secretariado de Publicaciones e Intercambio Editorial.1999.

E. Mandado, P. Mario y A. Lago, Instrumentacin Electrnica. Marcombo. 1995. Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith. Copyright 2004 by Oxford University

Press, Inc.

J. Turner, M. Hill. Instrumentation for Engineers and Scientists. Oxford UniversityPress.1999.

http://www.semiconductor-technology.com/projects/philips/images/image_3.jpg

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