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TEMA:TEMA:TRANCITORESTRANCITORES
CURSO :FISICA ELECTRONICA
ALUMNO: DANNY CHARLYDANNY CHARLY CARRIZALES FLORES CARRIZALES FLORES FACULTAD : ING : DE SISTEMASFACULTAD : ING : DE SISTEMAS
TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario.
TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos)
Está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha.
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa.
El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
FICHA TÉCNICA
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO FET
Se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source).
Es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P.
Comprende los MOSFET,JFET, MESFET, HEMT,MODFET,IGBT, FREDFET, DNAT, etc.
FICHA TÉCNICA
TRANSISTOR IGBT
Es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.Usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción.Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción.Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15 V.
FICHA TÉCNICA
TRANSISTOR JFET
Los valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta).
FICHA TÉCNICA
TRANSISTOR MOSFET
Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica.
Es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo.
FICHA TÉCNICA
