Lenda : Bazat e Elektronikes kl XI6 Blerim Gashi
Tema 1 : Konstruksionet e veçanta tè MOSFET-ève
Né realizimet praktike sot mbizotèrojné dy tipa MOSFET-èsh:
N-MOSFET-ët dhe C-MOSFET-èt- Tipi i parè është i ndèrtuar si MOSFET
"me kanal tè tipit N, ndèrsa i dyti si bashkim i dy MOSFET-ëve, ku
njëri èshtë me kanal tè tipit N, tjetri me kanal tè tipit P.
-N.
N-MOSFET-i dallohet prej MOSFET-it tè rëndomtè për nga gatèsia e
kanalit. Derisa MOSFET-i i rëndomtë e ka kanalin e gjatë zakonisht
rreth 5 ym, te N-MOSFET-i gjatèsia e kanalit 'éshtê me e
shkurtër.
Përfaqèsuesit tipikëtè MSOFET-ève me kanal tè shkurtër janè
struktura: DMOS (MOSFET me difuzion tè dyfishtë) dhe VMOS (MOSFET
me kanal vertikal né formè tè shkronjès V);
VMOS-i èshtë MOSFET me kanal tè shkurtèr. Shkronja V rrjedh nga
ajo se struktura e këzyre transistorève fitohet duke gèrryer
silicin ne formè tè gropës piramidale qè né prerje e MOSFET-it
duket sikur germa me kanal V. tè shkurtèr perkatësisht VMOS-it
Pèr realizimin shfrytëzohet teknika e lugut- V.
Mënyra e përfitimit éshtè donorike), e këtillë: material
fillestar éshtè tè baza ulët tè N+ , asaj i shtohet antimoni (si
papastérti donorike) cili ka koeficient te ulet te difuzionit. Mbi
bazè, nèpér térë sipërfaqen difundohet bori (si papastërti
aksceptorike). Hapi vijues eshté rritia e epitaksiale e shtresés
èshtè me i pèrçueshmèri te dobét P+ difuztomt tè bont, bori dukshèm
mè fort do difundojè né shtresën epitaksiale
P- formohet shtresa P. papastérti Kjo shtresé donorike) e ka né
trashësinë shtresén pre) epitaksiale0.5
Me difuzionin e fosforit (si zona né sipèrfaqen e pllakès.
pastaj me gërryerje formohet gropa piramidale — Me njé shtresè tè
dioksidit tè silicit sipérfaqja e elementit_mbrohet nga ndikimet e
iashtme. Me procesin e metalizimit formohen kontaktet per zonat
pérkatèse dhe elektroda komanduese e pèrqendruar nè shtresèn
oksiduese tè lugutV si dalie (drejn) D shèrben zona né sipérfaqen e
pllakès, ndèrsa si hyrje (sors)
S baza e Cila éshtè bazén e pèrtokèzuar. N t . Giatèsia Kanali e
kanalit formohet ështè ne e percaktuar sipèrfaqen nga e shtresës
crashësiasé hollè tè zonës P mbi e zonés P dhe pak èshtë me e
rnadhe se kjo trashisi.
Me shkurtimin e kanalit zvogëlohet koha e kalimit tè elektroneve
nga hyrja (sorsi) né dalie (drejni) qè d.m.th. se rritet shpejtêsia
e punès sé VMOS-it si ndérprerès-
Shkurtimi i kanalit rezulton edhe né disa ndèrrime tjera
thelbèsore tè karakteristikave tè VMOS-it nè krahasim me MOSFET-in
e rendomtê:
-karakteristika transmetuese né pjesèn mé tè madhe èshtè
lineare, andaj VMOS-i mund èshté tè elementi realizohet i verèm
pérforcuesi né elektronikë ideal me me një karakteristikë
shtremberim lineare. mimmal Metè
ndihmèn e tij sinjalit tè pèrforcuua . Pér këtè arsye
përforcuesit nga VMOS-i kanè cilësi tè lartè,
— rryma e drejnit, tensioni i drejnit dhe disipasionl i lejuar
janè rnë tè rnëdha, andaj VMOS-i i takon grupit tè MOSFET-ve tè
fuqishme.
91
Vlerat e disa parametrave té VMOS-it janê: tensioni i praout té
pêrçimit éshtê pi•ej 2 deri 4 V (ne temp. á50C), tensioni i shpimit
hyrje-dafie ka vler•en IO deri 30 V, varêsisht nga glerêsia dhe
rezistenca specifike e shtresês ndêrmyet daljes dhe zona P. Koha
tipike e voneses sé elementit éshtê 1 ns.
4,4.2. CMOS-i
CMOS-i ¿shtê njê lloj veçantê i MOSFET-éve i realizuar né formé
té çifti komplernentar té MOSFET-êve me kanal té indukuar ku njéri
êshtê me kanal
si elektrodê komanduese e elementit CMOS.
Daljet Dl dhe D2 té té dy transistoreve janê té lidhur ndérmjet
veti dhe paraqesin elektrodên e daljes (drejni). Kêtu, pra, ¿shtê
fjala pêr njê çiftim antiparalel té MOSFET-êve me kanal N dhe
P. - Hyrja SI e MOSFET-it me kanal N êshtê e pértokêzuar,
SI
ndersa dalja S2 êshtê e kyçur per burimin + UDD.
CMOS-i réndom bazên e ka té tipit N té ndêrtuar nga silici. Pér
ta realizuar MOSFET-in me kanal N nê bazên N duhet té formohet
shtresa lokale P, Ajo
mund té fitohet me difuzionin e borit (papastêrtisê
akseptorike). Né zonên P tê fituar, difundohen zonat té hyrjes SI
dhe daljes S2 té MOSFET-it me kanal N. MOSFET-i me kanal P fitohet
me difuzionin e borit dreitpêrsêdrejti nt} bazên N, -me ç'rast
formohen zonat p+ tê hyrjes dhe daljes S2 dhe D2. Baza e elementit
sé bashku me hyrjen S2 ¿shtê e kyçur pêr tensionin e ushqimit +UDD.
Shtresa lokale P e MOSFET-it me kanal N sê bashku me hyrjen SI
êshtê e pêrtokêzuar. Né kêtê ményrê siguruar polarizimi i kundêrt i
kalimit PN ndérmjet bazês N té
elementit dhe shtresês lokale P MOSFE-it me kanal N, andaj ky
¿shté i izoluar nga MOSFET-i me kanal P.
per punên normale tê CMOS-it êshtê e nevojshme tensionet e
pragut té pêrçuarjes sé MOSFET-êve me kanal N dhe P tê jenê
komplementare, d.m.th. té jené té barabartê ndêrmjet veti sipas
madhêsisê dhe té kundêrt sipas parashenjês. Té dy MOSFET-êt kêtê
rast janê té tipit pasurues (me kanal té indukuar), andaj te CMOS-i
shpenzimi i fuqisê êshtê i ulét. Tensioni pragut tê pêrçuarjes, pas
zbatimit
Tema 2 : Vetitê e MOSFET-êve si elemente té qarqeve integruese
digjitale
MOSFET-ét kane rol shum¿ té rêndêsishêm né njê seri zbatimesh,
sidomos janê té réndésshêm né elektronikên digjitale ne qarqet me
shkallê té lartê dhe shumê té larté té integrimit. Arsyeja -e
pérdorimit gjithnjê e mé té shpeshtê té tyre, edhe p¿rkundêr vetive
té mira té transistoreve bipolarê, qéndron né thjeshtêsine e
pêrpummit teknologiik, pérmasat dukshêm mé té vogla dhe vetitê
elektrike relati%.sht tê mira. Kêto arsye vi;né nê shprehje edhe me
shumê, sa mê e lartê té jete shkalla e :ntegrimit qarkut
digiital.
Vetitê themelore té MOSFE,T-êve si elemente té qarqeve
integruese digjitale, janê kéto:
Veua e vetizolimit. Ai automatikisht siguron izolimin ndêrmjet
MOSFET-éve dhe baza sé qarkut integrues kêshtu qê nuk ¿shtê i
nevojshêm izolim posaçern sikur te transistorêt bipolar.
Ecuri e thjeshtê teknologjike e pérfitimit.
Ekzistirni i e.ementeve tipit pasuruar- Kjo veti éshtê shumê e
pérshtatshme pér realizimin e qarqeve logjike.
Rezistenca e hyr;es shumê e madhe. Zakonisht rezistenca statike
e hyrjes éshtê me e madhe se 10'4 Q, andaj prakÜkisht nuk éshté e
nevojshme zryma e hyries pêr mbaitjen e MOSFET-it né gjendje té
pêrçuarjes dhe ngopjes.
Vetia e memorimit ose e té mbajturit mend. Me ngarkesén e
akutnuluar nê kondensatorin e hyrjes, MOSFE-i mund té mbahet nê
gjendje té pérçuarjes. Kjo veti mundêson reallzimin e e.ementeve tê
memories me kohê té memonrnit (té informatés sé caktuar) prei disa
millsekondash deri nê disa wjet.
— Vetia e simetrisé bilaterale. Hyrja dhe dalia mund t'i
shkêmbejn¿ rolet ndêrkaq karaktenstikac elektrike mbeten té
njéjta.
MOSFET-i ne -zonên akuve mund té shérbejê si rezistor linear,
rezistenca e té Cilit mund té akordohet me tensionin nga elektroda
komanduese.
— MOSFET-i me sukses mund té kryej funksionin e elementit aktiv
dhe shpenzuesit pasiv ne qarqet logjike.
Pyetje per reflektim
1.Cka ěshtë tensioni i pragut tě pěrcuaries?
2.Cilët janě parametrat kryesorë ta MOSFET-it?
3.Tě krahasohet skema ekuivalente e MOSFET-it ně frekuenca tě
{arta dhe tě u!ëta?
4.Cka ështé pasojë e temperaturave të hrta dhe e tensioneve tě
larta ?
5.Ci!at janč konstruksionet ti vefanta ti MOSFET-ëve?
6.Cili është daliimi kryesor midis MOSFET-it tě rěndomtë dhe
VMOS-it?
7.Të shpjegohet ecuria e përfitimit tě VMOS-it?
8.Tě shpjegohet pěrfitimi i CMOS-it?
9.Cilat janë përparësitě e strukturěs (NOS?
10Ku përdoren VMOS-ët dhe CMOS-ét?
Keto tema gjenden ne liber ne faqet 90,91,92,93
Pergjigjet te dergohen ne imel: [email protected] os
eviber 045 568 001
Tema 3:PËRFORCUESIT- AMPLIFIKATORËT
Shpesh herë është e nevojshme të forcohet amplituda apo fuqia e
sinjaleve elektrike. Përforcuesi është një strukturë elektronike e
cila ka për detyrë të përforcojë sinjalin që lidhet në hyrjen e tij
dhe në daljen e tij të fitohet sinjal i cili ka të njëjtën formë si
sinjali hyrës, por me amplitudë më të madhe. Me përforcuesit
përforcohet tensioni, rryma apo fuqia. Përforcuesi është i ndërtuar
nga elemente aktive dhe pasive, kështu që duhet të ekzistojë një
burim shtesë i energjisë elektrike.
Thelbi i përforcimit është në atë që nuk kemi rritur rrymën
hyrëse dhe tensionin hyrës, por ndryshim i vogël i tensionit dhe
rrymës hyrëse shkakton ndryshim të madh të tensionit dalës, që
interpretohet si tension ose rrymë e përforcuar hyrëse. Përforcuesi
nga transistori nuk prodhon energji elektrike të re, energjinë e
burimit të ushqimit të vazhduar ai e shndërron në energji të
sinjalit të përforcuar të daljes.
Në rastin e përgjithshëm, përforcuesit tregohen me trekëndësh,
si në figurën me poshte, kur konstruksioni i tyre nuk ka rëndësi
për të treguar funksionimin e gjithë qarkut.
Shenja skematike e përgjithshme e përforcuesit.
Në të hyrje të përforcuesit vendoset sinjali hyrës Uhyr, kurse
në dalje fitohet sinjal Udal me formë të njëjtë, por me vlerë të
zmadhuar. Ata janë të përcaktuar në raport me një pikë të
përbashkët në qark - masën. Njëri pol i burimit të ushqimit shpesh
lidhet në masë. Funksioni i qarkut është të përforcoj sinjalin
hyrës dhe të bartet në ngarkesën që ka rezistencë RL.
Gjithsesi se një përforcim kaq i madh, që është i nevojshëm në
shembullin e përmendur të fotodiodës, nuk mund të realizohet me një
përforcues, por janë të nevojshme më tepër stade përforcuese, të
lidhur në kaskadë . Përforcuesit në kaskadë do ti mesojme me
vone.
Ndarja e përforcuesve
Në kryerjen e një detyre të caktuar marrin pjesë më shumë qarqe
përforcuese, të cilat mes veti ndryshojnë sipas mundësive të tyre
ose sipas karakteristikave të tyre. Përforcuesit mund të ndahen në
disa grupe: sipas llojit të përforcimit, sipas brezit të
frekuencave apo sipas regjimit të punës.
Ndarja e parë është në përforcues të sinjaleve të vogla dhe
përforcues të sinjaleve të mëdha. Sinjalet e vogla janë më shpesh
në fillim të kaskadës përforcuese, kurse të mëdhenjtë në fund.
Sipas llojit të përforcimit kemi përforcues të tensionit,
përforcues të rrymës dhe përforcues të fuqisë. Në një zinxhir të
përforcuesve, siç është e nevojshme, për shembull, për përforcimin
e tensionit të fotodiodës, përforcuesi i tensionit ose rrymës
gjendet në vet fillimin, kurse në fund gjendet përforcuesi i
fuqisë.
Sipas gjerësisë së brezit të frekuencës dhe sipas pozitës së KAF
(karakteristikës amplitudë-frekuencë) në boshtin e frekuencës, janë
dy ndarje të veçanta, përforcuesit ndahen në: përforcues të brezit
të gjerë, brezit të ngushtë ose selektiv, të frekuencave të ulëta,
të frekuencave të larta dhe në përforcues të sinjalit të vazhduar.
Karakteristikat ideale të frekuencave të tyre, sa për krahasim,
janë dhënë në figurën me poshte.
Karakteristikat ideale amplitudë-frekuencë të përforcuesve të
ndryshëm
Përforcuesit e brezit të gjerë mund të përforcojnë sinjal me
brez frekuence të gjerë, siç janë sinjalet video në televizion apo
për përforcimin e impulseve (për këtë arsye edhe quhen video
përforcues ose përforcues impulsiv).
Përforcuesit selektiv përforcojnë sinjal me brez të ngushtë të
frekuencës rreth frekuencës bartëse f0. Përdoren zakonisht në
pajisjet e telekomunikacionit dhe radio pajisjet, kur duhet të
bëhet selektimi i një sinjali nga më shumë sinjale me frekuenca
bartëse të ndryshme.
Përforcuesit e frekuencave të ulëta (FU) përforcojnë sinjalet me
frekuenca të ulëta. Burimet e frekuencave të ulëta janë të
ndryshme. Fuqia maksimale e këtyre burimeve sillet mes 10-10 W deri
10-6 W. Kështu, për shembull, mikrofoni me shirit mund të jep rreth
10-6W, ndërsa mikrofoni me karbon jep deri në 10-6 W. Për sinjalet
e zërit (në telefoni), brezi i frekuencave shkon nga 300 Hz deri në
3400 Hz, kurse për sinjalet muzikore nga 20 Hz deri në 20000
Hz.
Përforcuesit e frekuencave të larta (FL) i përforcojnë sinjalet
që zënë pjesën e sipërme të spektrit të frekuencave dhe ata janë të
ngjashëm me përforcuesit selektiv, vetëm se me brez frekuence më të
gjerë. Ata përdoren në pajisje të ndryshme radio, radarë, pajisje
satelitore dhe pajisje tjera.
Përforcuesit e sinjaleve të vazhduar shërbejnë për përforcimin e
sinjaleve me ndryshim të ngadalshëm me frekuencë kufitare të
poshtme të barabartë me zero. Përdorimi i tyre më i shpeshtë është
në teknikën e matjeve.
Regjimi i punës së përforcuesit është e përcaktuar me pozitën e
pikës së punës të tij. Sipas kësaj, përforcuesit ndahen në
përforcues në klasën A, klasën AB, klasën B dhe klasën C. Vendi i
pikës së punës në drejtëzën e punës në karakteristikën dalëse, në
karakteristikën rrymë-tension të transistorit është paraqitur në
figurën me poshte. Nga figura shihet se drejtëza e punës, nga pika
B e tutje shtrihet në boshtin e abshisës.
Pika e punës e përforcuesit në regjime të ndryshme të punës.
Përforcues në klasën A ka pikë të punës, të vendosur në mes të
drejtëzës së punës, me çka fitohen deformime më të vogla jolineare
të cilat krijohen nga jolineariteti i karakteristikës rrymëtension
të transistorit. Në këtë regjim pune ndodhen përforcuesit e
tensionit dhe rrymës.
Pika e punës e përforcuesit në klasën B ndodhet në fillimin
drejtëzës së punës. Përforcuesi më shpesh ndërtohet me dy
transistorë.
Përforcuesi me klasë AB ka pikë të punës e cila është e vendosur
ndërmjet pikave A dhe B. Me pikë pune të vendosur në këtë mënyrë
merren më pak deformime në krahasim me pikën B. Pika e punës e
përforcuesit në klasën C është e vendosur në rajonin e polarizimit
të kundërtinvers. Kjo do të thotë se përforcuesi nuk do të reagojë
në sinjal deri sa ai nuk do ta sjellë në regjimin në pikën B. Në
këtë regjim punon përforcuesi i fuqisë në brez të ngushtë të
frekuencës, si, për shembull, përforcuesi dalës i
radioantenave.
Tema 4: Përforcuesi si një katërpolar aktiv
Përforcuesi mund të trajtohet si një katërpolar, i përbërë nga
një ose më shumë celula përforcuese. Celula përforcuese bazë
ndërtohet me transistor bipolar dhe unipolar, përforcues
operacional, rezistenca, kondensatorë dhe bobina. Bllok-skema e tij
me lidhjet hyrëse dhe dalëse dhe lidhjen e burimit të ushqimit
është dhënë në figurën me poshte.
Bllok-skema e përforcuesit bazë.
Në hyrje të përforcuesit lidhet burimi i sinjalit US me
rezistencë vetjake RS, kurse në dalje rezistenca e ngarkesës
RL.
Sinjali me ndryshim të vazhdueshëm në kohë quhet sinjal analog ,
kurse qarqet për përpunimin e tyre quhen qarqe analoge. Sinjali
analog mund të ketë një formë valore komplekse si në figurën 3.6
ose të jetë i përsëritshëm ose periodik, siç është sinjali
sinusoidal nga figura . Duke u bazuar në sinjalin sinusoidal
përcaktohen karakteristikat e shumë qarqeve elektronike dhe
sistemeve.
Analiza grafike e punës së përforcuesit me transistorë
Analiza grafike zbatohet kur kemi sinjale hyrëse me amplitudë të
madhe. Me këtë metodë merret parasysh jolineariteti i
karakteristikave. E gjithë analiza grafike është bërë në
përforcuesin me transistor me lidhje me emiter të përbashkët.
Nën ndikimin e ndryshimit të sinjalit në qarkun hyrës, vjen deri
te ndryshimi i tensionit në dalje UCE. Ajo do të thotë se pika e
punës, e treguar në karakteristikat hyrëse dhe kalimtare kërcen nga
njëra në tjetrën karakteristikë, me çka e përshkruan
karakteristikën hyrëse dinamike
Në figurën me poshte paraqiten karakteristikat statike dalëse,
kalimtare dhe hyrëse të transistorit, të vendosura ashtu që mund të
shihet fitimi i karakteristikës dinamike kalimtare dhe hyrëse.
Diagrami i karakteristikave dinamike të hyrjes dhe drejtëza
dinamike e punës nuk dallohen nga diagrami i karakteristikave
statike dhe drejtëza statike e punës. Karakteristika dinamike
kalimtare dhe hyrëse fitohen me zhvendosjen e pikave të prerjes a1,
a2, a3, a4 dhe M të drejtëzës së punës me karakteristika dalëse për
IB=const. në sistemin e karakteristikave statike kalimtare dhe të
hyrjes.
Formimi i karakteristikës dinamike kalimtare dhe hyrëse.
MBAJ MEND:
Analiza grafike është metodë për përcaktimin e parametrave nga
karakteristika dinamike e elementit aktiv për sinjale hyrëse të
dhënë me amplitudë të madhe.
Sinjali në dalje përmban komponentë të vazhduar dhe
alternative.
Tema 5:Lloje të konfiguracioneve të përforcuesve
Përforcuesi i sinjaleve të vogla është përforcues linear në të
cilin ndryshimet e sinjal rreth pikës së punës janë mjaft të vogla
që të mund të neglizhohen deformimet jolineare dhe të thjeshtohen
llogaritjet e parametrave. Në praktikë kjo do të thotë, ndryshimi i
tensionit të sinjalit të mos kalojë brezin prej disa qindra
milivoltësh.
Në analizën konsiderohet se përforcuesi punon në pjesën e mesme
të brezit të lëshimit të frekuencave për të cilat është caktuar. Ky
brez i frekuencave të sinjalit është mjaftueshëm i lartë, kështu që
të gjithë kondensatorët për bashkim kanë impedancë të vogël dhe
llogariten si lidhje e shkurtër për komponentin alternativ të
sinjalit. Përveç kësaj, impedanca e të gjitha kapaciteteve
parazitare të lidhjeve të transistorit është mjaftueshëm e lartë,
kështu që ata paraqesin qark të hapur dhe nuk merren parasysh.
Në pjesën e mesme të brezit të lëshimit, numri më i madh
përforcuesve kanë përforcim konstant me vlerë maksimale. Përforcimi
bie në skajet e zonës së brezit të lëshimit.
Përforcues me konfiguracion - emiter të përbashkët
Ky konfiguracion paraqet lidhje më të përdorshme të
përforcuesit. Skema elektrike e përforcuesit është dhënë në figurën
me poshte.
Përforcues me transistor bipolar me konfiguracion emiter të
përbashkët.
Polarizimi
Transistori do të funksionojë si një përforcues kur kalimet e
tij PN janë të polarizuar në mënyrë të rregullt edhe atë kalimi i
emiterit të jetë drejtë kurse i kolektorit me polarizim të kundërt.
Me ndarësin e tensionit, të përbërë nga dy rezistenca R1 dhe R2,
polarizohet drejtë kalimi PN i emiterit të transistorit,
gjegjësisht përcaktohet rryma e bazës, ashtu që pika e punës e
transistorit të gjendet në zonën aktive dhe ai të punoj si një
përforcues. Me rezistencën RC përcaktohet pozita e pikës së punës,
kurse me rezistencën RE sigurohet stabiliteti nga temperatura e
pikës së punës.
Kondensatori elektrolitik CE dhe rezistenca RE e lidhur
paralelisht krijon lidhje të shkurtër për sinjalin alternativ dhe e
eliminon ndikimin e kësaj rezistence mbi përforcimin. Kondensatorët
për bashkim C1 dhe C2, gjithashtu paraqesin lidhje të shkurtër për
sinjalin alternativ. Nga ana tjetër, këto kondensator e bllokojnë
rrymën e vazhduar dhe gjithçka që është majtas kondensatorit C1 dhe
djathtas nga kondensatori C2 nuk ka ndikim mbi polarizimin e
transistorit.
Ky është ekuacioni i drejtëzës statike të punës. Në
karakteristikat dalëse të transistorëve, për drejtëzën e punës
zgjidhet pozita më e përshtatshme, dhe kjo është të jetë nën
hiperbolën fuqisë maksimale të lejuar të disipacionit-shpërndarjes
dhe të sigurojë brez më të gjerë të lëvizjes së pikës së punës në
pjesën lineare të karakteristikës . Nga pika prerëse e drejtëzës së
punës me boshtin e abshisës përcaktohet vlera e duhur e tensionit
të vazhduar të burimit UCC. Në drejtëzën e punës përcaktohet vendi
i pikës të punës, kurse me atë përcaktohen edhe vlerat e rrymës së
bazës IB, tensionit UCE dhe rrymës IC.
Përcaktimi grafik i pikës statike të punës së transistorit.
Mbani ne mend:
Transistori punon si përforcues kur kalimi i emiterit është i
polarizuar drejt, kurse i kolektorit invers (për transistorin NPN
UC > UB > UE, për transistorin PNP UC
Për sinjale të vogla konsiderohen sinjalet që shkaktojnë pak
ndryshime në pozitën e pikës së punës, ashtu që të mos futet në
pjesën jolineare të karakteristikës.
Në brezin e lëshimit të përforcuesit,kondensatorët për bashkim
dhe burimet e ushqimit
konsiderohen si lidhje e shkurtër në raport me komponentin
alternativ të sinjalit. Drejtëza e punës vendoset ashtu që të jetë
nën hiperbolën e dispacioni- shpërndarjes.
Me caktimin e pozitës sëpikës së punës, përcaktohen vlerat e
rrymës së bazës, tensionit të kolektorit, tensioni kolektor-emiter
dhe rryma e kolektorit.
Me rezistencën RE, në qarkun e emiterit arrihet stabilizimi i
pikës së punës gjatë ndryshimit të temperaturës.
Pyetje per reflektim :
1. Çfarë lloje të përforcuesve ekzistojnë sipas llojit të
përforcimit?
2. Si ndahen përforcuesit sipas gjerësisë së brezit të
frekuencave?
3. Ku përdoren përforcuesit e brezit të gjerë?
4. Ku përdoren përforcuesit selektiv?
5. Ku aplikohen përforcuesit e frekuencave të ulëta e ku ata të
frekuencave të larta?
6. Ku ndodhet pika e punës e përforcuesit në klasën A, B, AB dhe
C në karakteristikën dalëse të përforcuesit?
7.Vizato bllok-skemën e përforcuesit si një katërpolar.
8.Cilët parametra të sinjalit sinusoidal mund të ndryshohen?
9. Kur nje transistor punon so perforcues?
Keto tema jane ne liber nga fq. 95 e tutje por eshte kombinuar
edhe me literature tjeter prandaj nese hasni ne paqartesi , ju
lutem shkruani.
Pergjijget njejt ne adresat e meparshme!
