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可控硅基础 知识 讲座

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可控硅基础 知识 讲座. 2009-02-25. 单向可控硅等效结构. 单向可控硅晶体管模型. 单向可控硅平面和纵向结构. K. G. 玻璃钝化. 玻璃钝化. 可控硅工作原理 - 导通. 栅极悬空时, BG1 和 BG2 截止 , 没有电流流过负载电阻 RL 。 栅极输入一个正脉冲电压时 , BG2 道通, VCE(BG2) 下降, VBE( BG1) 升高。 正反馈过程使 BG1 和 BG2 进入饱和道通状态。 电路很快从截止状态进入道通状态。 由于正反馈的作用栅极没有触发将保持道通状态不变。. 可控硅工作原理 - 截止. 阳极和阴极加上反向电压 - PowerPoint PPT Presentation

Text of 可控硅基础 知识 讲座

  • 2009-02-25

  • KG

  • BG1BG2,RL,BG2VCE(BG2)VBE(BG1)BG1BG2 -

  • -BG1BG2RLBG1BG2

  • IL) I-VVTM)(IT)Idrm)(Vdrm)Irm)(Vrm)IH)IL

  • J2J1J2J1J3ORURRM

  • J1J3J2PNOAUDRM

  • J2J2J2J2J1J2J3PN---

  • GJ3IGTIGTOAIGT

  • 1 2 1 2 1 2

  • 1IT(RMS)2 IT(AV)3IT(TSM)4VDRM5VRRM6 IDRM7 IRRM8VTM9IGT10VGT

  • T1G

  • I-V

  • T1 1. IGT -> IG2. IG > IG 3. dIT/dt > dI/dt 4. IL 1->IGIL

  • aVGT(b)dVCOM/dtdVCOM/dtc dICOM/dtdIT/dt MT1-MT2 dIT/dt dIG/dt IGdIG/dt IG(d) dVD/dtVDRM8

  • 3Q 4Q 3+3+4Q 1+3-1-3-IC 3+

    3Q 1. dVCOM/dt ,2dVD/dt ,3. dICOM/dt

  • BTBT131=1A134=4A136=4A137=8A138=12A139=16A

    400=400V600=600V800=800V1000=1000V1200=1200VDIGT 1-35mA IGT 410mAEIGT 1-310mA IGT 425mAFIGT 1-325mA IGT 470mAGIGT 1-350mA IGT 4100mA

  • 1. IGT IL 2.
  • 6. VDRM H dIT/dtMOV 7. 3+dIT/dt 8. dIT/dt H 9. 10.Rth j-a Tj Tjmax ,