Bai Giai Nhdt Trac Nghiem Ckdt

HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG Kmm10 Đường Nguyễn Trãi, Hà Đông-Hà Tây

Tel: (04).5541221; Fax: (04).5540587Website: 0H htt p ://www.e-ptit.e d u.v n ; E-mail: 1 H dhtx@e- p tit.ed u .vn

NGÂN HÀNG ĐỀ THIMÔN: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

Dùng cho hệ ĐHTX ngành ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG

(60 tiết – 4 tín chỉ)

CHƯƠNG I: GIỚI THIỆU CHUNG VỀ CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

Câu hỏi loại 1:

1 / Theo lý thuyết dải năng lượng của vật chất thì độ rộng vùng cấm E

G

của chất bán

dẫn có giá trị:a E = 0eV

G

b E > 6eVG

c E = 0eV ÷ 6eVG

d E = 0eV ÷ 2eVG

2 / Các tính chất vật lý điện cơ bản của chất điện môi là: hằng số điện môi ε, độ tổn

hao điện môi (P ),a

độ bền về điện E

, nhiệt độ chịu đựng và điện trở cách điện.

a

Đúng. bSai.

đ.t.

3 / Dựa theo lịch sử phát triển của công nghệ điện tử thì cấu kiện điện tử được chia

làm 5 loại là cấu kiện điện tửchân không, cấu kiện điện tử bán dẫn, cấu kiện vi mạch, cấu kiện điện tử nanô.

a Saib Đúng

4 / Hệ số nhiệt của điện trở suất α biểu thị:

a Sự thay đổi của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi 10 C .

b Sự thay đổi của điện trở khi nhiệt độ thay đổi 10 C

c Sự tăng của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi 10 C .

d Sự thay đổi của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi một khoảng là ∆t.

5 / Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại N do:a Các i-on âm quyết định.b Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết định.

http://www.e-ptit.edu.vn/

mailto:[email protected]

c Hạt dẫn lỗ trống quyết định. d Hạt dẫn điện tử quyết đinh.

6 / Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại P do:

a Các i-on âm quyết định.b Hạt dẫn điện tử quyết địnhc Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết địnhd Hạt dẫn lỗ trống quyết định

7 / Các tính chất đặc trưng cho vật liệu từ là độ từ thẩm tương đối (µ ), điện trở suất

r

(ρ), hệ số nhiệt của điện trở suất (α).a

Đúng bSai

8 / Tại nhiệt độ phòng, một miếng tinh thể silic nguyên chất hoạt động giống nhưa Chất cách điệnb Một đoạn dây đồng. c Chất dẫn điện kémd Một nguồn điện

9 / Dòng điện trong chất điện môi gồm có 2 thành phần làa Dòng điện phân cực và dòng điện ròb Dòng điện phân cực và dòng điện trôi.c Dòng điện khuếch tán và dòng điện trôid Dòng điện khuếch tán và dòng điện phân cực.

1 0 / Vật liệu bán dẫn quang là hợp chất đặc biệt có liên kết hai, ba hoặc bốn thành phần của các nguyên tố thuộc

a Nhóm 4 và nhóm 5b Nhóm 2 và nhóm 4 c nhóm 3 và nhóm

6 d Nhóm 3 và nhóm 5.


1 1 / Dòng điện trong chất bán dẫn gồm có:a Ba thành phần là dòng điện rò, dòng điện phân cực, dòng điện khuếch tánb Hai thành phần là dòng điện khuếch tán và dòng điện chuyển dịch

(dòng phân cực).c Bốn thành phần là dòng điện rò, dòng điện khuếch tán, dòng điện phân cực và

dòng điện trôid Hai thành phần là dòng điện khuếch tán và dòng điện trôi

1 2 / Ferit từ mềm là vật liệu từ được dùng rộng rãi nhất ở tần số cao do có:a Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão

hòa thích hợpb Điện dẫn suất thấp, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng

từ bão hòa thích hợpc Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu thấp, giá trị cảm ứng từ bão hòa thấpd Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão hòa thấp

1 3 / Ký hiệu dưới đây là của cấu kiện điện tử nào?

a Tụ điệnb Không phải ký hiệu của cấu kiện điện tửc Bộ dao động thạch anh d Điốt bán dẫn

1 4 / Chất điện môi thụ động thường được dùng làma Lõi cuộn dây và biến ápb Tụ điện và chất cách điện. c Điện trởd Điện trở và tụ điện


1 5/ Một miếng bán dẫn silic được pha thêm photpho nồng độ

1,5.1015.cm 3

.

Hãy tính nồng độ hạt dẫn trong miếng bán dẫn tại nhiệt độ 3000 K . (cho biết n =

i

1,5.1010.cm 3

).1,5.1015.cm 3 1,5.105.cm 3a N

=n

b N=

n

; P =

n

1,5.1015.cm 3

; P

=n

.

105.cm 3 .

c N=

n

105.cm 3 ; P

=n

1,5.105.cm 3

.

d N=

n

1,5.1015.cm 3

; P

=n

1,5.10 5.cm 3

.

1 6 / Đồng nguyên chất là kim loại dẫn điện tốt vì điện trở suất của nó là

a 0, 024.m

b 0, 0165.m

c 0, 0175.md 0,030 µΩ.m.

1 7 / Thạch anh thường được dùng làm các bộ dao động thạch anh có tần số dao độnga Rất ổn định b

Trung tầnc Rất thấpd Rất cao

CHƯƠNG 2: CÁC CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ THỤ ĐỘNG

Câu hỏi loại 1

1 / Vật liệu cản điện dùng để chế tạo điện trở là

a Chất dẫn điện có điện trở suất thấp b Tất cả các loại vật liệu trênc Chất dẫn điện có điện trở suất cao d Chất cách điện

2 / Trên thân điện trở thường được các nhà sản xuất ghi các tham số chính sau:

Trị số điện trở, dung sai của trị số điện trở, điện áp làm việc cho phépa

Đúng bSai

3 / Tecmixto là điện trở có hệ số nhiệt mang giá trị âma Saib Đúng

4 / Khi sử dụng tụ điện chúng ta cần chú ý các tham số chính của chúng là: trị số

dung lượng, dung sai, điện áp làm việc a Đúngb Sai

5 / Tổn thất của cuộn cảm được biểu thị trong sơ đồ mạch tương đương bởia Một tụ điện mắc song song với cuộn dây.b Một điện trở và một tụ điện mắc song song với cuộn dâyc Một điện trở nối tiếp với cuộn dây.d Một điện trở song song với cuộn dây.

6 / Biến áp cao tần dùng để truyền tín hiệu có chọn lọc thì dùng loại ghép lỏng, còn biến áp cao tần dùng để biến đổi tổng trở thì dùng loại ghép chặt

a Saib Đúng

7 / Tụ hóa là loại tụ có chất điện môi là dung dịch hóa họca Saib Đúng

8 / Varixto là điện trở mà trị số của nó được điều khiển bằnga Nhiệt độ môi trườngb Dòng điện chạy qua nó. c Điện áp đặt lên nód Từ trường xung quanh nó

9 / Tụ xoay có thể có nhiều ngăn. Mỗi ngăn có các lá tĩnh và các lá động chế tạo từ đồng nguyên chất, đặt xen kẽ nhau

a

Đúng bSai


1 0 / Một điện trở màu có các vòng màu theo thứ tự: vàng - tím - lá cây - vàng kim cótrị số điện trở là

a 470K 10%

b 4700K 5%

c 4, 7M 10%

d 470M 5%

1 1 / “Luật điện trở” là một tham số cơ bản của:a Biến trởb Tất cả các loại điện trở. c Điện trở màng kim.

d Điện trở than tổng hợp.

1 2 / Khi tụ điện làm việc ở tần số cao thì phải chú ý đến:a Tổn hao công suất trong tụ thông qua hệ số tổn hao DF.b Cả 3 tham số trên.c Dung sai của tụ điện tính theo %.d Điện áp làm việc cho phép của tụ điện.

1 3 / Các tham số kỹ thuật cơ bản của cuộn cảm làa Điện cảm (L), điện trở nối tiếp biểu thị tổn hao của cuộn cảm (R

S

), kích thước

cuộn cảmb Hệ số phẩm chất (Q), điện dung riêng của cuộn cảm (C), số vòng dây (N).c Điện cảm (L), tần số làm việc giới hạn (f

gh

), điện dung riêng của cuộn cảm (C).

d Điện cảm (L), hệ số phẩm chất (Q), điện dung riêng của cuộn cảm (C).

1 4 / Cuộn dây không lõi làm việc ở tần số cao thường yêu cầu phải cóa Điện cảm ổn định, hệ số phẩm chất cao, điện dung riêng nhỏ ở tần số làm việcb Điện cảm ổn định, hệ số nhiệt cao, điện dung riêng lớn ở tần số làm việcc Điện cảm thích hợp, hệ số phẩm chất cao, điện dung riêng lớn ở tần số làm việcd Điện cảm cao, hệ số phẩm chất nhỏ, điện dung riêng cao ở tần số làm việc.

1 5 / Lõi trong cuộn dây ferit có thể điều chỉnh được đểa Thay đổi tần số làm việc giới hạn của cuộn dây.b Thay đổi tổn thất của cuộn dâyc Thay đổi điện cảm của cuộn dâyd Thay đổi cả 3 tham số kỹ thuật trên

1 6 / Khi sử dụng điện trở ta phải biết được các tham số cơ bản nào của chúng?a Trị số điện trở, dung sai và công suất tiêu tán (nếu có).b Hệ số nhiệt, công suất tiêu tán và khoảng nhiệt độ làm việcc Trị số điện trở, dung sai, điện áp làm việc cho phép.d Trị số điện trở, hệ số nhiệt và dòng điện cực đại

1 7 / Khi sử dụng tụ điện ta phải biết được các tham số cơ bản nào của chúng?

a Trị số điện dung, dung sai và công suất tiêu tánb Hệ số nhiệt, công suất tiêu tán và khoảng nhiệt độ làm việcc Trị số điện dung, dung sai và điện áp làm việc cho phépd Trị số điện dung, hệ số nhiệt và dòng điện cực đại


1 8 / Biến áp âm tần có đáp ứng tần số không bằng phẳng trong khoảng tần số thấp dưới 100Hz vàcao hơn 10KHz là do ảnh hưởng của điện cảm của cuộn sơ cấp và tổn hao năng lượng của lõi sắt từ

(do điện cảm rò và điện dung phân tán giữa các vòng dây) tăng lên?a

Đúng bSai

1 9 / Một điện trở có ghi tri số là 1 kΩ và dung sai là 5%, hỏi trị số của điện trở có thểlà bao nhiêu?

a Khoảng từ 1K ÷ 1,5K

b Khoảng từ 950 ÷ 1000

c Khoảng từ 950 ÷ 1050

d Khoảng từ 0,95K ÷ 10,5K

CHƯƠNG 3: ĐIỐT BÁN DẪN

Câu hỏi loại 1.

1 / Tính chất vật lý cơ bản của lớp tiếp xúc P-N là khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực thuận và phân cực ngược

a

Đúng bSai

2 / Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận thìa Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăngb Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảmc Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảmd Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng

3 / Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận, dòng điện thuận chảy qua lớp tiếp xúc là doa Các hạt dẫn thiểu số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên.b Các hạt dẫn đa số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nênc Các hạt dẫn đa số chuyển động trôi dưới tác dụng của điện trường tiếp

xúc tạo nên.d Cả hạt dẫn đa số và thiểu số chuyển động trôi dưới tác động của

điện trường tạo nên

4 / Nguyên lý hoạt động của đi ốt bán dẫn dựa vào tính dẫn điện một chiều của lớp tiếp xúc P-N

a Saib Đúng

5 / Trên thực tế, đi ốt bán dẫn được phân cực thuận khi điện áp đặt lên đi ốt phải:

a U AK U D

b U AK U D

c U AK U D

d U AK 0V

6 / Ký hiệu sau đây chỉ cấu kiện nào:

a Đi ốt zenerb Đi ốt Sốt-ky. c Đi ốt tunen.d Đi ốt chỉnh lưu.

7 / Varicap là đi ốt bán dẫn có chức năng như môt:a Cuộn cảm b Tụ điệnc Điện trởd Biến áp

8 / Đi ốt chỉnh lưu chỉ hoạt động khi ở chế độ phân cực thuậna Saib Đúng

9 / Đặc tính cơ bản của đi ốt chỉnh lưu làa Giá trị dòng điện thuận cực đại và nhiệt độ làm việc cho phépb Giá trị dòng điện thuận cực đại và điện áp thuận cho phép.c Giá trị dòng điện thuận cực đại và điện áp ngược cho phépd Giá trị dòng điện thuận cực đại và công suất tiêu tán cực đại

1 0 / Ảnh hưởng của nhiệt độ lên dòng điện ngược bão hòa của đi ốt được tính xấp xỉlà

a Tăng gấp 3 lần đối với sự tăng nhiệt độ lên 100 C .

b Tăng gấp 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên 150 C .

c Tăng gấp 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên 100 C

d Tăng gấp 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên

200 C .

1 1 / Điốt có khả năng biến đổi dòng điện xoay chiều thành một chiều được gọi là

a Điốt chuyển mạch. b Điốt ổn áp.c Điốt tunen.d Điốt chỉnh lưu.

1 2 / Điện áp ngược cho phép của điốt thường được chọn bằnga 0,6 U

đ.t.

b Uđ.t.

c 0,8 Uđ.t.

d 0,5 Uđ.t.

1 3 / Điốt Sôtky là loại điốt có lớp tiếp xúc:a Bán dẫn - chất cách điện b Bán dẫn - bán dẫnc Bán dẫn- vật liệu từd Bán dẫn - kim loại


1 4 / Mối quan hệ giữa dòng điện và điện áp đặt trên đi ốt bán dẫn được biểu diễn bằng công thức:

⎛ U AK ⎞I I a ⎜ e VT

0 ⎜⎝

1⎟⎟⎠ với I

0là dòng điện ngược bão hòa.

Ii

Ii

⎛ U AK ⎞I I

b

⎜ e VT

0 ⎜⎝

1⎟⎟⎠ với

I0

là dòng điện ngược bão hòa.

⎛ U AK 1 ⎞I I

c

⎜ e VT0 ⎜

⎝

⎟⎟⎠ với I

02

là dòng điện ngược bão hòa.

⎛I I ⎜ e 0 ⎜

d ⎝

U AK

VT

⎞ 1⎟

⎟⎠ với I

0là dòng điện ngược bão hòa

1 5/ Điện trở động (R ) của đi ốt là một tham số quan trọng, nó được tính theo công

i

thức

R VT

iIa M với I

Mlà dòng điện của đi ốt ở chế độ động

U DRi b I 0 với I

0là dòng điện ngược bão hòa

R U

D

c M

R VT

d M

với IM

với I

là dòng điện tại chế độ làm việc tĩnh

là dòng điện của đi ốt ở chế độ tĩnh

M

1 6 / Điot bán dẫn được coi như một điện trở có trị sốđộ

R V

T

I M

khi nó hoạt động ở chế

a Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số thấp.b Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số caoc Phân cực thuậnd Phận cực ngược và với tín hiệu nhỏ

1 7 / Sơ đồ tương đương của đi ốt bán dẫn có dạng mạch như hình vẽ dưới khi nó làm việc ở chế độ

a Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số caob Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số thấpc Phân cực ngược và với tín hiệu nhỏ tần số cao

d Phân cực ngược và với tín hiệu nhỏ tần số thấp

1 8 / Khi đi ốt phân cực ngược thì dòng điện chạy qua nó là bao nhiêu?

a 300 mAb 1 mAc Không phải những giá trị trên d 0 mA

1 9/ Sơ đồ tương đương của một điốt phân cực thuận dưới đây được coi như

a Một điện trở thựcb Một nguồn điện áp thựcc Một nguồn điện áp lý tưởng d Một nguồn dòng lí tưởng.

2 0 / Tham số quan trọng nhất của điốt xung làa Thời gian xuống t .

f

b Thời gian lên tr

c Điện áp đánh thủng Udt

d Thời gian phục hồi chức năng ngắt t .p

2 1 / Sơ đồ tương đương của một điốt phân cực thuận dưới đây được coi như

a Một nguồn dòng lí tưởngb Một nguồn điện áp lý tưởng c Một nguồn điện áp thựcd Một điện trở thực

2 2/ Sơ đồ tương đương của một đi ốt phân cực ngược dưới đây được coi như

a Một nguồn điện áp lý tưởngb Một điện trở thựcc Một nguồn dòng lí tưởng d Một nguồn điện áp thực

2 3/ Một điốt xung có thời gian phục hồi chức năng ngắt t

p

a Tốc độ chậm.b Tốc độ quá chậm c Tốc độ nhanh

< 10ns thuộc loại

n

n

n2

d Tốc độ trung bình.

2 4 / Điốt Sốtky là loại điốt xung có tốc độ chuyển mạcha Tốc độ trung bình. b Tốc độ quá chậmc Tốc độ nhanh d Tốc độ chậm.


2 5/ Cường độ điện trường tiếp xúc (E ) của lớp tiếp xúc P-N khi ở trạng thái cân bằng

0

độngđược xác định theo công thức:

N D N AE0 KT ln2

a i

với N , N

là nồng độ của tạp chất Nhận và tạp chất Cho, tương ứng

D A

N D N AE0 VT ln 2

b i

với N , N

là nồng độ của tạp chất Nhận và tạp chất Cho, tương ứng và V là

D A T

điện thế nhiệtN D

E0 KT ln

cN A

với N , N

là nồng độ của tạp chất Nhận và tạp chất Cho, tương ứng.D A

N D N AE0 VT lni

d

VT ln 2ni

với N , N

là nồng độ của tạp chất Nhận và tạp chất Cho, tương ứng và V là

D A T

điện thế nhiệt

2 6 / Hãy tính cường độ dòng điện chạy qua đi ốt trong sơ đồ mạch dưới đây

a 14 mAb 20 mA. c

0 mAd 14 A

2 7/ Hãy tính công suất tiêu tán của đi ốt zener khi biết điện áp nguồn cung cấp U =

S

24V,điện áp trên đi ốt là 10V và dòng điện qua đi ốt là 20mA

a 200 W

b 200 mW c

280 mW d

480 mW

2 8 / Cho sơ đồ mạch như hình vẽ dưới đây với điốt silic, hãy tính dòng điện chạy trong mạch khi điot phân cực thuận

a 10 mAb 0 Ac 9,3 Ad 9,3 mA

2 9 / Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy cho biết giá trị điện trở là bao nhiêu để có dòngđiện qua điốt xấp xỉ 10 mA?

a 430 KΩb 1 KΩ c 430 Ω d500

Ω

3 0 / Một điốt có điện áp là 0,7V và dòng điện chạy qua nó là 50mA. Hỏi công suất của nó là bao nhiêu?

a 3,5 W. b 50 mWc 35 mWd 35 W

3 1 / Điện áp ổn định U ô.đ

(V ) của một điốt zener phụ thuộc vàoZ

a Phương pháp tỏa nhiệt cho điốtb Dòng điện ngược bão hòa

c Nồng độ tạp chất của chất bán dẫn d Điện áp ngoài đặt lên nó


3 2 / Hai điốt mắc nối tiếp. Điốt thứ nhất có điện áp phân cực là 0,75 V và điốt thứ haicó điện áp phân cực là 0,8 V.Nếu dòng điện đi qua điốt thứ nhất là 100mA, hỏi dòng điện đi qua điốt thứ hai là bao nhiêu?

a 140 mAb 120 mAc 80 mAd 100 mA

3 3/ Cho mạch điện như hình vẽ. Điện áp tại điểm nối giữa R

1

và R2

đo được là 3 V.

Điện áp giữa đi ốt và điện trở 5 KΩđo được 0 V. Hỏi điều gì xảy ra trong mạch điện?

a Đi ốt bị đứt hỏngb Đi ốt bị nối tắtc Mạch hoạt động bình thường d Điện trở bị nối tắt

3 4 / Có hai điốt mắc nối tiếp với nhau với nguồn điện cung cấp cả mạch là 1,4V.Điốt thứ nhất có điện áp là 0,75V. Nếu dòng điện chạy qua đi ốt thứ nhất là 500mA, hỏi điốt thứ hai có công suất là bao nhiêu?

a 325 mWb Cả 3 đáp án trên đều không đúngc 375 mWd 300 mW

CHƯƠNG 4: TRANZITO LƯỠNG CỰC (BJT)


1 / Trong tranzito lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số trong phần gốc làa Cả hai loại hạt dẫn trên. b Các lỗ trốngc Các điện tử tự dod Không phải hai loại hạt dẫn trên

2 / Khi tranzito hoạt động ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc phát-gốc được

a Không dẫn điện

b Phân cực thuận. c Phân cực

ngược.d Hoạt động ở vùng đánh thủng

3 / Khi tranzito hoạt động ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc góp-gốc đượca Hoạt động ở vùng đánh thủng b Phân cực thuận

c Không dẫn điện d Phân

cực ngược.

4 / Phần gốc của các tranzito lưỡng cực rất mỏng vàa Có độ pha tạp thấp b Là kim loại.c Có độ pha tạp cao.d Pha tạp chất là nguyên tố có hóa trị năm.

5 / Trong một tranzito loại N-P-N được phân cực ở chế độ tích cực,các điện tử trong phần phát có đủ năng lượng để vượt qua hàng rào thế năng của

a Tất cả các vùng trên. b Lớp tiếp xúc

góp-gốc. c Lớp tiếp xúc phát-gốc.

d Vùng tái hợp.

6 / Khi một điện tử tự do tái hợp với một lỗ trống trong phần gốc của tranzito thì điện

tử tự do này sẽ trở thànha Một điện tử tự do khác.b Một điện tử trong vùng dẫn. c Một điện tử hóa trị.d Một hạt dẫn đa số.

7 / Yếu tố nào quan trọng nhất để nói về dòng điện cực góp (I )?C

a Nó rất nhỏ.b Nó bằng dòng điện cực gốc (I

B

c Nó được đo bằng miliampe.

) chia cho hệ số khuếch đại dòng điện.

d Nó xấp xỉ bằng dòng điện cực phát (I ).E

8 / Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ ngắt thì:a Tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuậnb Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận.c Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược.d Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược

9 / Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ bão hòa thìa Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược.b Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực

ngược.c Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuậnd Tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận.

1 0 / Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ tích cực thìa Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận.b Cả ba trường hợp phân cực trên đều đúngc Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược

d Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược.

1 1 / Nguyên lý hoạt động của hai loại tranzito lưỡng cực P-N-P và N-P-Nlà hoàn toàn giống nhau kể cả nguồn cung cấp bên ngoài đặt lên các chân cực?

a Saib Đúng

1 2/ Trong vùng tích cực của một tranzito lưỡng cực chế tạo từ silic, điện áp gốc-phát(U ) là

BE

a 0,7 Vb 0 Vc 1 Vd 0,3 V

1 3/ Trong vùng bão hòa của một tranzito lưỡng cực, điện áp góp-phát (U

CE

) là

a 0,3 Vb 1 Vc 0,7 Vd 0 V

1 4/ Một tranzito trong mạch điện được phân cực với các điện áp tĩnh là U

BE

= 0,7V;

U = 0,2 V.CE

Hỏi tranzito đó hoạt động ở chế độ nào?a Tích cực b

Bão hòac Ngắtd Không phải các chế độ trên

1 5/ Một tranzito trong mạch điện được phân cực với các điện áp tĩnh là: U

BE

= 0 V;

UCE EC .Hỏi tranzito đó hoạt động ở chế độ nào?

a Ngắtb Bão hòa. c

Tích cựcd Không phải các chế độ trên

1 6 / Tranzito được coi như một chuyển mạch khi hoạt động ở chế độa Ngắt và tích cực b Không phân cựcc Bão hòa và tích cực.d Ngắt và bão hòa

1 7 / Trong tranzito lưỡng cực loại P-N-P hạt dẫn cơ bản nào tạo ra dòng điện góp?

a Các I onb Hạt dẫn lỗ trống

c Tất cả các loại hạt dẫn trên d Hạt dẫn điện tử

1 8 / Quan hệ giữa hệ số khuếch đại dòng điện α và β được mô tả qua công thức:

1

a

1

b

c 1

d 1


1 9 / Quan hệ giữa dòng điện góp và dòng điện gốc trong tranzito lưỡng cực thể hiện qua công thức

a I = (β+1)I

C B

+ βI

CB0

b I = β + (β+1)I

CCB0

c I = βI

C B

+ ICB0

d I = αI

C B

+ (α+1)I

CB0

2 0 / Quan hệ giữa dòng điện góp và dòng điện phát trong tranzito lưỡng cực thể hiệnqua công thức

a I = αI

C E

+ ICB0

b I = αI

C E

c I = αI

C E

- ICB0

d I = α(I + I)C E CB0

2 1 / Một tranzito có dòng điện phát là 10 mA, dòng điện góp là 9,95 mA. Hỏi dòngđiện gốc là bao nhiêu?

a 1mA

b 0,5 mAc 19,95 mAd 0,05 mA

2 2 / Dòng điện cực góp là 5 mA, dòng điện gốc là 0,02 mA. Hỏi hệ số khuếch đại dòng điện β là bao nhiệu?

a 250b 100c 50d 25

2 3 / Một tranzito có hệ số khuếch đại dòng điện là 125 và dòng điện gốc là 30μA. Hỏi dòng điện cực góp là bao nhiêu?

a 37,5 mAb 3,75 A c 375 μA

d 3,75 mA

2 4 / Tranzito trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

a Phát chung (CE)b Gốc chung (CB). c Góp chung (CC).d Dacling tơn

2 5/ Tranzito trong sơ đồ mạch được mắc theo cách nào?

a Gốc chung (CB).b Phát chung (CE). c Dacling tơnd Góp chung (CC)

2 6 / Trong mạng 4 cực dưới, tranzito được mắc theo cách nào?

a Phát chung (CE).b Góp chung (CC). c Gốc chung (CB)d Dacling tơn

2 7/ Trong mạng 4 cực dưới, tranzito được mắc theo cách nào?

a Phát chung (CE)b Gốc chung (CB). c Góp chung (CC).d Dacling tơn

2 8 / Nếu hệ số khuếch đại dòng điện β = 200 và dòng điện cực góp là 100mA thì dòng điện cực gốc sẽ là

a 2 mAb 2 Ac 20Ad 0,5 mA

2 9 / Cho sơ đồ mạch như hình vẽ, hãy cho biết tranzito hoạt động ở chế độ nào?

a Ngắtb Không phải 3 chế độ trên c Tích cựcd Bão hòa.

3 0/ Hãy cho biết tranzito trong mạch được mắc theo cách nào?

a Cực góp chungb Cực phát chung c Cực gốc chungd Dac ling tơn


3 1/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy xác định điện trở tương đương R

= R //RB 1 2

a 30 KΩb 170 Ωc 5,866 KΩd 14 KΩ

3 2/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy xác định điện trở tương đương R

= R //R ?B 1 2

a 10 KΩb 20 KΩ c 5 KΩ

d 7,5 KΩ

3 3/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ. Hãy xác đinh điện áp U ?B

a 10 Vb 5 Vc 7,5 Vd 6 V

3 4/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ, hãy cho biết tranzito làm việc ở chế độ nào?

a Ngắtb Bão hòac Không phải ba chế độ trên. d Tích cực

3 5 / Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch dưới được phân cực theo cách nào?

a Mạch định thiên cố địnhb Mạch định thiên hồi tiếp điện ápc Mạch định thiên hồi tiếp có ổn định nhiệtd Mạch định thiên phân áp

3 6/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch dưới được phân cực theo cách nào?

a Mạch định thiên hồi tiếp có ổn định nhiệtb Mạch định thiên cố định có mạch ổn định nhiệtc Mạch định thiên phân ápd Mạch định thiên hồi tiếp điện áp

3 7 / Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch dưới được phân cực theo cách nào?

a Mạch định thiên cố địnhb Mạch định thiên hồi tiếp điện áp có ổn định nhiệtc Mạch định thiên hồi tiếp điện áp d Mạch định thiên phân áp

3 8/ Cho mạch điện như hình vẽ dưới: Tranzito Q

1

có hệ số β

1

= 90, tranzito Q

2

có hệ

số β2

= 70.

Hỏi hệ số khuếch đại dòng điện của cả mạch β là bao nhiêu?

a 20b 6300c 160d 320


3 9 / Cho mạch điện như hình vẽ, hãy xác định hệ số ổn định nhiệt S của mạch nếu hệsố khuếch đạidòng điện của tranzito β = 100?

a S = 34,1b S = 101c S = 15,1d S = 9,5

4 0/ Cho mạch điện như hình vẽ có tranzito silic và U

B

= 10V; R

B

= 100KΩ.

Hỏi dòng điện cực gốc I

B

là bao nhiêu?

a 100 μAb 93 μAc 100 mAd 93 mA

4 1/ Cho mạch điện như hình vẽ với dòng điện cực góp I

C

3,6KΩ;

= 1 mA; điện trở R =C

và điện áp nguồn cung cấp V

C

nhiêu?

= 10V. Hỏi điện áp giữa cực góp- phát U

CE

bằng bao

a U = 0,64 VCE

b U = 6,4 VCE

c U = 10 VCE

d U = 9 VCE

4 2 / Cho mạch điện như hình vẽ với dòng điện cực góp là 1 mA; nguồn điện cung cấpV = 10 V;

C

điện áp giữa cực góp-phát U

CE

= 6,4 V. Hãy xác đinh công suất của tranzito trong

mạch là bao nhiêu?

a 6,4 mWb 10 W c 6,4 W

d 10 mW

4 3/ Hãy xác định dòng điện I

C

của tranzito trong sơ đồ mạch điện sau. Tranzito chế

tạo từ silic có β =100 và I

CB0= 0mA

a 2,5 mAb 3,1 mAc 25 μAd 3,3 mA

4 4/ Hãy xác định điện áp U

CE

của tranzito trong sơ đồ mạch dưới đây khi biết dòng

điện IC

= 10 mA;

nguồn EC

=10V; điện trở R

C

= 470Ω; R

B

= 100KΩ?

a 4,0 Vb 6,3 V c5,3 V d4,7 V

CHƯƠNG 5: TRANZITO TRƯỜNG (FET)


1 / FET:a Là một cấu kiện được điều khiển bằng dòng điệnb Có trở kháng và thấpc Có hệ số khuếch đại điện áp rất caod Là một cấu kiện được điều khiển bằng điện áp

2 / Để tạo ra dòng điện trong mạch, một tranzito đơn cực sử dụnga Chỉ mỗi hạt dẫn lỗ trốngb Chỉ một loại hạt dẫn: hoặc điện tử tự do, hoặc lỗ trốngc Chỉ mỗi điện tử tự dod Cả hai loại hạt dẫn là điện tử tự do và lỗ trống

3 / Trở kháng vào của JFETa Không thể đoán trước được b Gần bằng zeroc Gần bằng 1d Lớn vô cùng

4 / Điện áp cực Cửa của FET điều khiển a Độ rộng của kênhb Điện áp “ngắt” tỉ lệc Tất cả các điều kể ra ở đây d Dòng điện máng

5 / Lớp tiếp xúc P-N giữa cực Nguồn và cực Cửa của JFET cần phải:a Hoặc phân cực thuận, hoặc phân cực ngượcb Phân cực ngượcc Không phải tất cả các điều này d Phân cực thuận

6 / Các hạt dẫn trong JFET kênh P là a Các điện tử tự do và các lỗ

trốngb Các lỗ trốngc Các điện tử tự dod Có thể là điện tử tự do hoặc có thể là lỗ trống

7 / Để FET hoạt động ta phải phân cực sao cho các tiếp xúc P-N phải phân cực thuận và các hạt dẫnphải chuyển động từ cực nguồn qua kênh về cực máng để tạo nên dòng điện trongFET?

a

Đúng bSai

8 / MOSFET kênh sẵn hoạt động gần nhưa Một nguồn dòngb Một MOSFET kênh cảm ứng c Một JFETd Một điện trở

9 / Điện áp nào có tác dụng bật cho MOSFET kênh cảm ứng hoạt động?a Điện áp khuỷu (U )

B0

b Điện áp ngưỡng (U )GSth

c Điện áp ngắt (U )GSngắt

d Điện áp bão hòa (U )DSbh

1 0 / Khi một JFET ở chế độ ngắt thì các lớp tiếp xúc P-N (lớp nghèo hạt

dẫn) sẽ:a Chạm vào nhau

b Dẫn điệnc Cách xa nhau rad Trùm phủ lên nhau

1 1 / Trong một JFET kênh N, khi điện áp cực cửa càng âm hơn thì kênh dẫn nằm giữa hai lớp tiếp xúc sẽ trở nên:

a Rộng hơn b

Hẹp hơnc Không dẫn điện d Dẫn điện

1 2 / Ở vùng thuần trở của đặc tuyến ra trong FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo qui luật

a Đường thẳngb Đường cong parabol c Không thay đổid Đường cong hypecbol

1 3 / Ở vùng bão hòa của đặc tuyến ra trong FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo qui luật

a Đường cong hypecbolb Đường cong parabol c

Không thay đổid Đường thẳng

1 4 / Vật liệu phần Nguồn và phần Máng của MOSFET kênh cảm ứng loại N là:

a Kim loạib Bán dẫn thuầnc Bán dẫn tạp loại Nd Bán dẫn tạp loại P

1 5/ Trở kháng vào của JFET có giá trị nằm trong khoảng:

a (106 108 )

b (1013 1015 )

c (1010 1013 )K

d (1010 1013 )

1 6 / Trở kháng vào của MOSFET có giá trị nằm trong khoảng

a (1010 1013 )

b (1013 1015 )

c (106 108 )

d (1014 1016 )K

1 7 / Vật liệu kênh dẫn của JFET kênh N là chấta Bán dẫn loại N

b Hợp kimc Bán dẫn thuần d Bán dẫn loại P

U

U

U

U


1 8 / Muốn cho MOSFET kênh cảm ứng loại P hoạt động ta phải cấp nguồn điện phân cực sao cho

aU GS

bU GS

cU GS

dU GS

U GSth

U GSth

U GSth

U GSth

và U < 0DS

và U < 0DS

và U > 0DS

và U > 0DS

1 9/ Một JFET có IDbh

= 10mA và UDSbh

= 2V, thì điện trở một chiều R

DS

sẽ bằng

a 2 KΩb 400 Ωc 200 Ωd 5 KΩ

2 0 / Một JFET có dòng điện máng bão hòa I Db

h

= 20mA và điện áp máng bão hòa

UDSbh

= 5V.

Hỏi điện trở một chiều của JFET ở vùng thuần trở là bao nhiêu?a RD

S

b RDS

c RDS

d RDS

= 100 Ω

= 250 Ω

= 2,5 KΩ

= 250 KΩ

2 1 / Công thức tính dòng điện máng của tranzito trường là:2

⎛ U ⎞⎜ GS ⎟I D I D 0 ⎜

1 a ⎝

⎟GSngat ⎠

2⎛ U ⎞⎜ GS ⎟I D KI D 0 ⎜

1 b ⎝

⎟GSngat ⎠

⎛ U ⎞I I

⎜1 GS ⎟D D 0 ⎜

c ⎝⎟

GSngat ⎠2

⎛ U ⎞⎜ GS ⎟I D I D 0 ⎜

1 d ⎝

⎟GSngat ⎠

2 2 / Tranzito 2N5902 có dòng điện máng bão hòa là 500µA và điện áp máng-nguồnbão hòa U

DSbhlà 2V,

Hỏi điện trở máng R

DS

trong vùng thuần trở là bao nhiêu?

a RDS

b RDS

c RDS

d RDS

= 10 KΩ

Ω= 4 K

= 100 Ω

= 40 Ω

U

U

U

U

2 3 / Tranzito 2N5457 có giá trị dòng điện máng bão hòa I Db

h

là 5 mA và điện áp ngắt

UGSngắt

là -6 V.

Hãy tính hệ số K khi điện áp U

GS

là 0 V?

a K = 1b K = 2. c

K = 6. d

K = 5.

2 4/ Tranzito 2N5902 có các tham số I

G

phòng.

là 5 pA tại điện áp U

GS

bằng 20 V ở nhiệt độ

Hỏi trở kháng vào của nó là bao nhiêu ở nhiệt độ phòng?9

a ZV 4.10

b ZV 4.1015

c ZV 5.1010 12

d ZV 4.10

2 5/ Trong công thức tính dòng điện cực máng I

D2

= KID0

của JFET, hệ số K là:

⎛ U ⎞⎜ GS ⎟K ⎜1

a ⎝⎟

GSngat ⎠2

⎛ U ⎞K ⎜ GS ⎟

⎜ ⎟b ⎝ GSngat ⎠

2⎛ U ⎞⎜ GS ⎟K ⎜1

c ⎝⎟

GSngat ⎠

⎛ U ⎞K ⎜1 GS ⎟

⎜ ⎟d ⎝ GSngat ⎠

2 6 / Trong sơ đồ mắc cực nguồn chung, hệ số khuếch đại điện áp lớn nhất của mộtFET có thể đạt được là:

a 10 30

b 150 300

c 1

d 5 10

2 7 / Trong sơ đồ mắc cực máng chung, hệ số khuếch đại điện áp lớn nhất của mộtFET có thể đạt được là

a 150 300

b 10 30

c 5 10

d 1

2 8/ Đặc tuyến điều khiển của FET : I

D

a Đường thẳng.b Đường cong parabol.c Đường cong hypecbol.d Đường không xác định trước.


= f(UGS

) khi UDS

không đổi là một:

2 9/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy cho biết điện áp máng-nguồn U

DS

là bao nhiêu?

a UDS

b UDS

c UDS

d UDS

= 11 V

= 17 V

= 5 V

= 9 V

3 0/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy cho biết dòng điện máng I

D

là bao nhiêu?

a ID = 17 mAb ID = 20 mAc ID = 7,5 mAd ID = 7,5 A

3 1 / Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch được mắc theo cách nào?

a Cửa chung.b Phát chung.c Nguồn chung d Máng chung.

3 2/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

a Phát chung.b Cửa chung.c Máng chung. d

Nguồn chung

3 3 / Tranzito trong sơ đồ được phân cực cách nào?

a Tự phân cực.b Phân cực hồi tiếp. c Phân cực cố định.d Phân cực phân áp.

3 4/ Hãy cho biết tranztito trong sơ đồ được phân cực theo cách nào?

a Phân cực tự cấp.b Phân cực hồi tiếp. c Phân cực phân áp d

Phân cực cố định.


3 5/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy cho biết điện áp máng-nguồn U

DS

là bao nhiêu?

a UDS

b UDS

c UDS

d UDS

= 1,2 V.

= 11V.

= 4 V.

= 13,8 V

3 6/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ, hãy cho biết điện áp máng-nguồn U

DS

là bao

nhiêu?

a UDS

b UDS

c UDS

d UDS

= 11 V.

= 0 V.

= 9 V.

= 7,5 V.

3 7 / Cho sơ đồ mạch như hình vẽ.Hỏi điện áp trên cực cửa là bao nhiêu nếu biết dòng điện máng là I

D

= 15 mA?

a UG = 10 Vb UG = 0 Vc UG = 15 Vd UG = 5 V

3 8 / Cho sơ đồ mạch như hình vẽ.Hỏi điện áp trên cực máng là bao nhiêu nếu biết dòng điện máng là I

D

= 12 mA?

a UD = 25 Vb UD = 0 V c UD = 15 V d UD = 13

V

3 9/ Cho mạch điện như hình vẽ.Hỏi điện áp U

DSlà bao nhiêu nếu biết dòng điện máng I

D

= 10 mA?

a UDS

b UDS

c UDS

d UDS

= 5 V

= 20 V

= 15 V

= 10 V

4 0 / Cho mạch điện như hình vẽ. Hỏi dòng điện máng là bao nhiêu?

a ID = 5,55 mAb ID = 0,25 mA. c ID = 0,5 mA. dID =

4,72 mA

CHƯƠNG 6: CẤU KIỆN THYRISTOR


1 / Thyristo có thể sử dụng như:a Một điện trở.b Một bộ khuếch đại.c Một công tắc chuyển mạch

d Một nguồn dòng.

2 / Để kích thích một cấu kiện thyristo dẫn điện ta sử dụnga Hồi tiếp dương. b

Hồi tiếp.c Tranzito lưỡng cực.d Sử dụng một dòng điện.

3 / Dòng điện vào nhỏ nhất mà nó có thể bật thyristo dẫn điện được gọi làa Dòng điện đánh thủng.b Dòng điện duy trì I .

H

c Dòng điện kích thích I .G

d Dòng điện ngược bão hòa.

4 / Dòng điện anốt nhỏ nhất giữ cho thyristo dẫn điện được gọi là:a Dòng điện ngược bão hòa. b Dòng điện kích thích.c Dòng điện đánh thủng. d Dòng điện duy trì.

5 / Chỉnh lưu silic có điều khiển (SCR) có a Ba vùng pha tạp chất bán dẫn.b Ba lớp tiếp xúc P-N.c Hai lớp tiếp xúc P-N. dBốn lớp tiếp xúc P-

N.

6 / Để kích thích cho SCR dẫn điện người ta thường:a Dùng dòng điện duy trì. b Dùng cái ngắt điện.c Dùng hiện tượng đánh thủng lớp tiếp xúc P-N.d Kích thích cực điều khiển G.

7 / Triac tương đương với:a Hai SCR đấu song song và cùng chiều nhau.

b Điốt có bốn lớp bán dẫn. c Hai diac mắc

song song.d Hai SCR mắc song song và ngược chiều nhau.

8 / Điện áp cần thiết đặt lên cực phát của UJT để nó dẫn điện được gọi là:a Điện áp đỉnh U .

P

b Điện áp trũng U .V

c Điện áp kích khởi U .K

d Điện áp đỉnh khuỷu U .B0


9 / Dùng UJT để tạo dao động xung người ta sử dụng đoạn đặc tuyếna Điện trở âm và điện trở dương b Ở vùng ngắt.c Điện trở dương. dĐiện trở âm.

1 0 / Điện áp đỉnh của UJT được tính theo công thứca UP = η U

BB

b UP = η UBB

+ 0,7 V

c UP = UBB

d UP = η U

+ 0,7 V

- 0,7 VBB

1 1 / Điều kiện để mạch dao động phóng nạp sử dụng UJT hoạt động tốt là

a Dòng điện I > I

V

và tụ điện 1 F CT 0, 01 F

b Dòng điện I

V

> I > I

P

và tụ điện

c Dòng điện I < I

P

và tụ điện 1 F CT 0, 01 F

d Dòng điện I < I

P

và I > I .V

1 2 / Khi SCR đã dẫn điện, ta ngắt dòng điện điều khiển thì SCR sẽ ngừng dẫn?

a

Đúng. bSai.

1 3 / Tác dụng của dòng điện kích thích đưa vào cực G của SCR làa Giảm hạt dẫn đa số cho lớp bán dẫn P .

1

b Giảm hạt dẫn thiểu số cho lớp bán dẫn N1

c Gia tăng hạt dẫn thiểu số cho lớp bán dẫn P2

d Gia tăng hạt dẫn đa số cho lớp bán dẫn P2

CHƯƠNG 7: VI MẠCH TÍCH HỢP (IC)


1 / Vi mạch tích hợp là cấu kiện có ưu điểm cơ bản:a Tiêu thụ ít năng lượng.b Tất cả các điều kể ở đây. c Kích thước nhỏ.d Độ tin cậy cao.

2 / Loại vi mạch tích hợp được sản xuất và sử dụng nhiều nhất làa Vi mạch lai.b Vi mạch màng mỏng. c Vi mạch bán dẫn.d Vi mạch màng dày.

3 / Công nghệ chế tạo vi mạch bán dẫn là:a Công nghệ bốc hơi và lắng đọng trong chân không.b Kết hợp tất cả các công nghệ này.

c Công nghệ plana và plana-epitaxi. d Công nghệ quang khắc.

4 / Điốt trong vi mạch được tích hợp dưới dạnga Điốt nguyên thể.

b Một lớp tiếp xúc P=N. c Một tụ điện.d Tranzito được nối tắt chân cực.

5 / Vi mạch khuếch đại thuật toán thuộc loại:a Vi mạch lai. b Vi mạch số.c Vi mạch tuyến tính.d Tổ hợp vi mạch tranzito-điốt.

6 / Tầng vào của IC khuếch đại thuật toán là bộ khuếch đại vi sai để có:a Trở kháng vào lớn và hệ số khuếch đại lớn.b Đảm bảo an toàn cho các tranzito trong IC.c Trở kháng ra nhỏ.d Dải tần số làm việc rộng.

7 / IC khuếch đại thuật toán có a Hai lối vào và hai lối ra.b Một lối vào và một lối ra. cBa lối vào và một lối

ra. d Hai lối vào và một lối ra.

8 / Một bộ khuếch đại thuật toán tốt cần cóa Hệ số khuếch đại vi sai nhỏ và hệ số khuếch đại đồng pha lớn.b Hệ số khuếch đại vi sai lớn và hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ.c Trở kháng vào lớn và hệ số khuếch đại đồng pha lớn.d Hệ số khuếch đại vi sai lớn và hệ số khuếch đại đồng pha lớn.

9 / Vi mạch số hiện nay được chế tạo trên cơ sở:a Chỉ các tranzito trường.b Các tranzito, các tụ điện, các điện trở và cuộn dây.c Chỉ các tranzito lưỡng cực.d Các tranzito lưỡng cực và tranzito trường.

1 0 / Vi mạch số được sử dụng rộng rãi hiện nay là loạia Họ TTL và họ CMOS. b Họ DTL.c Họ RTL. d Họ TL.

1 1 / Vi mạch nhớ là một cấu kiện điện tử có khả năng:a Lưu trữ dữ liệu và các chương trình điều khiển dưới dạng số thập phân.b Lưu trữ các chữ cái và các chữ số.c Lưu trữ các dữ liệu dưới dạng số nhị phân.d Lưu trữ dữ liệu và các chương trình điều khiển dưới dạng số nhị phân.

1 2 / ROM là bộ nhớ có khả năng đọc và viết?a

Đúng. b

Sai.

1 3 / RAM là bộ nhớ tạm thời, khi mất điện cung cấp thì tin tức trong nó bị xóa ngay?

a Sai.b Đúng.

1 4 / EPROM là bộ nhớ:a Chỉ được viết một lần do người sản xuất.b Chỉ được viết một lần do người sử dụng.c Có thể xóa đi và viết lại. d Có khả năng đọc/viết.

1 5 / LSI là vi mạch tích hợp có chứa a Từ 10 đến 100 phần tử.b Lớn hơn 100 phần tử.c Lớn hơn 1000 phần tử. d Đến 10 phần tử.


1 6 / Bộ khuếch đại thuật toán có thể khuếch đại:a Chỉ tín hiệu xoay chiều (ac).b Cả tín hiệu xoay chiều (ac) và một chiều (dc).c Không tín hiệu xoay chiều (ac) và không tín hiệu một chiều(dc).d Chỉ tín hiệu một chiều (dc).

1 7 / Tầng vào của một bộ khuếch đại thuật toán thường là:a Bộ khuếch đại cao tần.b Bộ khuếch đại mắc cực phát chung (CE).c Bộ khuếch đại vi sai.d Bộ khuếch đại công suất chế độ B.

1 8 / Tại tần số khuếch đại đơn vị, hệ số khuếch đại điện áp của bộ khuếch đại thuật toán bằng:

a K = ZeroU

b K = 1.U

c KU KV 0 / 2

d K = K .U U0

1 9 / Trở kháng vào của bộ khuếch đại thuật toán có tầng vào dùng JFET là:

a Trung bình. b Rất cao.c Thấp.d Cao.

2 0 / Nếu hai nguồn cung cấp của một bộ khuếch đại thuật toán là ±15 V, thì điện áp ra cực đại của nó là bao nhiêu?

a 30V

b 12V

c 15V

d (12V 14V )

2 1 / Độ dốc đặc tuyến truyền đạt của bộ khuếch đại thuật toán thể hiện

a Trở kháng vào.b Hệ số khuếch đại điện áp.

c Trở kháng ra. d Điện áp ra.

2 2 / Một bộ khuếch đại thuật toán có hệ số khuếch đại điện áp là 500.000. Nếu điện áp ra là 1 V, thì điện áp và sẽ là

a 2 mV. b

5 mV.c 2 µV.d 10 mV.

2 3 / Ở tần số cao hơn tần số cắt, hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại thuật toán giảm với tốc độ

a 0,707/decade.

b 2 / 2 dB/decadec 10 dB/decade d

20 dB/decade

2 4 / Hệ số khuếch đại điện áp của một bộ khuếch đại thuật toán bằng 1 tại:

a Tần số dao động. b Tần số cắt.c Tần số khuếch đại đơn vị.d Dải tần số làm việc.

2 5 / Một IC 741C có các tham số:a Trở kháng vào khoảng 2 MΩb Tất cả các tham số đã nêu ra.c Hệ số khuếch đại điện áp bằng khoảng 100.000d Trở kháng ra khoảng 75 Ω


2 6/ Cho mạch như hình vẽ. Hỏi hệ số khuếch đại của mạch là bao nhiêu?

a Ku = 10b Ku = -100c Ku = 11

d Ku = -10

2 7 / Hệ số khuếch đại điện áp của mạch là bao nhiêu?

a Ku = -10b Ku = 11c Ku = -11d Ku = 110

CHƯƠNG 8: CẤU KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ


1 / Bức xạ ánh sáng là một dạng của bức xạ điện từ có dải tần số dao động:

a Từ 106 109 Hz

. b Từ 108 1010 Hz

c Từ 1014 1015 Hz

d Từ 1019 10 20 Hz

2 / Vùng hồng ngoại có bước sóng :a Từ 380 nm ÷

780nm b Từ 50 nm ÷ 380nm c Từ 100µm ÷ 10 mm d

Từ 780 nm ÷ 100µm

3 / Độ dài bước sóng bức xạ của vật chất phụ thuộc vào:a Số lượng nguyên tố hóa học có trong vật chấtb Năng lượng vùng cấm.c Nồng độ tạp chất trong vật chất. d Hóa trị của nguyên tố vật chất

4 / LED hồng ngoại là điốt có khả năng bức xạa Tất cả các loại ánh sáng kể ra ở trên. b Ánh sáng cực tím.c Ánh sáng hồng ngoại. d Ánh sáng nhìn thấy.

5 / Vùng ánh sáng nhìn thấy có bước sóng

a Từ 50 nm ÷ 380nm b Từ 780 nm

÷ 100µmc Từ 100µm ÷ 10 mm

d Từ 380 nm ÷ 780nm

6 / LED chỉ thị là điốt có khả năng bức xạa Ánh sáng hồng ngoại. b Ánh sáng cực tím.c Tất cả các loại ánh sáng kể ra ở trên. d Ánh sáng nhìn thấy.

7 / Các LED bức xạ ở các bước sóng khác nhau sẽ có điện áp phân cực khác nhau?a

Đúng. bSai.

8 / Khi nhiệt độ làm việc tăng thì độ dài bước sóng bức xạ của LED ngắn lại?a

Đúng. bSai.

9 / LED hồng ngoại cấu trúc dị thể kép có thêm:a Ba lớp giam giữ hạt dẫn và ánh sáng.b Hai lớp giam giữ hạt dẫn và ánh sáng.c Hai lớp giam giữ hạt dẫn.d Hai lớp giam giữ hạt dẫn và một lớp giam giữ ánh sáng.

1 0 / So với vùng tái hợp, hàng rào thế năng của hai lớp giam giữ hạt dẫn trong LED dịthể kép

a Bằng nhau. b Thấp hơn.c Có thể cao hơn hoặc có thể thấp hơn d Cao hơn.

1 1 / Chiết suất của chất bán dẫn trong vùng tích cực của LED dị thể kép làa Thấp nhất b

Cao nhất.c Bằng các vùng lân cận. d Bằng zero.

1 2 / Hai dạng cơ bản của LED hồng ngoại cấu trúc dị thể kép dùng cho sợi quang là loại bức xạbề mặt và loại bức xạ

cạnh a Sai.b Đúng.

1 3 / Chất bán dẫn dùng để chế tạo LASER phải được pha tạp với nồng độa Không xác định b Trung bình.

c Rất cao.d Thấp.

1 4 / Cấu trúc của điốt LASER phức tạp hơn của LED cơ bản làa Có kích thước lớn hơn.b Có nhiều lớp giam giữ hạt dẫn hơn.c Có nhiều lớp bán dẫn hơn. d Có hốc cộng hưởng.

1 5 / Hốc cộng hưởng Fabry Perot của điốt LASER được tạo ra nhờ:a Hai lớp giam giữ hạt dẫn trong cấu kiện.b Hai cạnh bên xù xì của LASER.c Một cái hộp được chế tạo bên trong cấu kiện.d Hai gương phản chiếu được định hướng.

1 6 / Muốn LASER hoạt động phải cấp nguồn phân cực thuận cho cấu kiện?

a Sai.b Đúng.

1 7 / Đặc tính quan trọng của LASER là:a Đặc tuyến truyền đạt. b Đặc tuyến tần số.c Đặc tuyến vôn-ampe. d Đặc tuyến bức xạ.

1 8 / Mặt chỉ thị tinh thể lỏng (LCD) là một cấu kiện bán dẫn phát quang?

a

Đúng. bSai.

1 9 / Để LCD hoạt động ta cần cấp cho nó một điện ápa Một chiều.b Xoay chiều.c Xoay chiều hoặc một chiều đều được.d Xoay chiều không lẫn điện áp một chiều.

2 0 / Vật liệu bán dẫn chế tạo điện trở quang được gọi làa Vật liệu bán dẫn cảm quang. b Tất cả các tên gọi trên.c Vật liệu bán dẫn suy biến.d Vật liệu bán dẫn nhạy quang.

2 1 / Điốt quang hoạt động khi nó được phân cực thuận?a Sai.b Đúng.


2 2/ LED chỉ thị bức xạ ánh sáng màu đỏ có điện áp phân cực thuận là:a U = (1,6 ÷ 1,8) V

D

b U = 3,0 VD

c U = (2,4 ÷ 2,7) VD

d U = (2,0 ÷ 2,2) VD

2 3 / LED hồng ngoại chế tạo từ chất GaAs có điện áp phân cực thuận là

a U = (2,0 ÷ 2,2) VD

b U = (2,4 ÷ 2,7) VD

c U = 3,0 VD

d U = (1,6 ÷ 1,8) VD

2 4 / Nguồn sáng của LED là đẳng hướng và có độ rộng phổ

a Khoảng từ (40 ÷ 100) nm. b Khoảng từ (2 ÷ 40) nm.c Khoảng < 2 nm.d Khoảng từ (1 ÷ 2) nm.

2 5 / LASER bán dẫn là cấu kiện có khả nănga Tạo ra ánh sáng có cường độ cao.b Tạo ra ánh sáng từ quá trình hấp thụ quang.c Tạo ra ánh sáng đẳng hướng và có độ rộng phổ lớn.d Tạo ra và khuếch đại ánh sáng đơn sắc có tính kết hợp về pha.

2 6 / Tham số chính của LASER là:a Hiệu suất lượng tử vi phân ngoài. b Tất cả các tham số vừa kể ra.c Tần số cộng hưởng.d Độ rộng phổ bức xạ.

2 7 / Chiều dài hốc cộng hưởng L của LASER lớn hơn nhiều độ dài bước sóng bức xạnên

a Có duy nhất một mốt dọc tồn tại trong LASER.b Có rất nhiều mốt dọc tồn tại trong LASER.c Có ba mốt dọc tồn tại trong LASER.d Có hai mốt dọc tồn tại trong LASER.

2 8 / Khi chiếu ánh sáng vào điện trở quang thì điện trở của nó:a Tăng lên.b Không đổi.c Giảm xuống.d Không xác định

2 9 / Độ nhạy tương đối của điện trở quang phụ thuộc vào quang phổ chiếu vào nó?a

Đúng bSai.

3 0 / Điốt quang hoạt động dựa trên nguyên lý:a Quá trình hấp thụ quang trong chất bán dẫn.b Quá trình bức xạ và quá trình hấp thụ quang trong chất bán dẫnc Quá trình bức xạ kích thích trong chất bán dẫn.d Quá trình bức xạ tự phát trong chất bán dẫn.

3 1 / Điốt quang chế tạo từ silic có độ nhạy cao ở vùng bước sónga Từ (0,65 ÷ 0,85) µm. b Từ (0,56 ÷ 0,65) µm.

c Từ (1,3 ÷ 1,6) µm. d Từ (0,85

÷ 0,9) µm.

3 2 / Tại sao đi ốt quang loại PIN có độ nhạy cao hơn đi ốt quang loại tiếp

xúc P-N?a Vì nó có vùng hấp thụ quang là bán dẫn nguyên tính và khá rộng.b Vì nó có khả năng khuếch đại dòng điện quang lên M lần.c Vì nó được chế tạo từ chất bán dẫn có nồng độ tạp chất cao.d Vì nó có lớp tiếp xúc P-N rộng hơn.

3 3 / Điốt quang thác có cấu trúc đặc biệt nhằm mục đích tạo ra vùng có điện trường

mạnh gọi là vùng thác để tạo raa Hiện tượng nhân điện tích do quá trình hấp thụ quang.b Hiện tượng nhân điện tích do phát xạ thứ cấpc Hiện tượng nhân điện tích bởi quá trình ion hóa do va chạm.d Hiện tượng tăng dòng điện quang do sự tái hợp ồ ạt của các hạt dẫn

3 4 / So với tranzito quang thì điốt quang có:a Tần số hoạt động cao hơn nhưng độ nhạy thấp hơn.b Tần số hoạt động và độ nhạy xấp xỉ nhau.c Tần số hoạt động cao hơn và độ nhạy cao hơn.d Tần số hoạt động thấp hơn nhưng độ nhạy cao hơn.

3 5 / Tế bào quang điện là cấu kiện bán dẫn có khả năng chuyển đổi tín hiệu quang sang tín hiệu điện?

a

Đúng. bSai.

3 6 / Về mặt cấu trúc có thể coi tranzito quang như một mạch tích hợp gồm có một điốt quang và

a Một thyristo thường. b Một tranzito thường.c Điốt thường. d

Một LED.

3 7 / Trong thyristo quang, tín hiệu quang chỉ có nhiệm vụ:a Kích cho thyristo quang dẫn điện. b Khuếch đại điện áp.c Kích cho thyristo quang dẫn điện và khuếch đại dòng điện qua nód Khuếch đại dòng điện.

3 8 / Cấu tạo của một bộ ghép quang gồm cóa Một điốt quang và một tranzito quang.b Một điốt phát quang (LED) và một điện trở quang.c Một điốt phát quang (LED) và một cấu kiện thu quang.d Một tế bào quang điện và một cấu kiện thu quang.

3 9 / Tham số quan trọng nhất của bộ ghép quang làa Điện thế cách li.b Điện dung cách điện. c Điện trở cách điện.d Hệ số truyền đạt dòng điện (CTR)

4 0 / Dùng tranzito quang Dacling tơn nhằm mục đícha Tăng trở kháng vào của tranzito quang.b Tăng độ nhạy của tranzito quang.c Tăng tần số hoạt động.d Giảm trở kháng ra của tranzito quang.


4 1 / Trị số điện trở cần thiết mắc nối tiếp với LED được tính theo công thức:

⎞

⎝⎠

⎞⎠

R

T

f

f

U DRT a I

U UCC D

Tb I

R U

CC

U D

c I

U CCRT

d I

4 2 / Điều kiện để có phát laser về biên độ là: I(2L) = I(0) với I(2L)- mật độ trườngquang tại Z = 2L;L- chiều dài hốc cộng hưởng; I(0)- mật độ trường quang gốc và về pha là:e j 2 L 1 với β- hằng số lan truyền của ánh sáng?a Sai.b Đúng.

4 3/ Độ nhạy của điốt quang được tính theo công thức

S P0

aI ph.

I phS .h

b P0

I phS c P0

dS P0 .I ph

4 4 / So với các loại điốt quang thì điốt quang thác APD yêu cầu nguồn điện cung cấp

a Cao.b Cũng giống như các loại điốt khác.c Thấp và ổn địnhd Cao và ổn định về nhiệt.

4 5 / Dòng quang điện trong tranzito quang được tạo nên là doa Các hạt dẫn mới sinh ra do quá trình hấp thụ quang ở trong

phần gốc của cấu kiện.b Các hạt điện tử tự do mới sinh ra trong quá trình hấp thụ quang..c Các hạt dẫn từ phần phát khuếch tán sang.d Các hạt dẫn lỗ trống mới sinh ra trong quá trình hấp thụ quang

4 6/ Dòng điện quang sơ cấp I

ph

của điốt quang được tính theo công thức

I q P0

⎛ e⎜1 w

⎟1 R ph

h ⎜a1 L p

⎟

I P0

⎛ e⎜1 w

⎟1 R

⎝ph

h ⎜b

1 L p ⎟

⎞

⎝⎠

⎝⎠

d

f

f

d

I P0

⎛ e⎜1 w

⎟1 R ph

h ⎜c

⎛

1 L p ⎟

w ⎞I q P0

⎜1 e ⎟1 R ph

h ⎜d

1

L p ⎟

4 7 / Hệ số khuếch đại dòng điện quang trong điốt quang thác APD được tính theocông thức

M ph

a

M ph

b

I

M

I ph

I

M

I ph

I ph

1

1 V / Vdt

1

1 V / V n

1

M ph

c

I M

I ph

1 V / Vdt

1M ph I

d M1 V / V n

4 8 / Bước sóng bức xạ đỉnh λ là một hàm của năng lượng vùng cấm biểu diễn bằngcông thức

(nm)

a

(m)

b

(m)

c

(m)

d

1,24

EG (eV )

1240

EG (eV )

1,24

EG (eV )

hEG (eV )

4 9 / Hiệu suất lượng tử hóa của đi ốt quang được tính theo công thức:I ph

a P0

I ph

b P0 / h

I ph / q

c P0

I ph / q d P0 / h

5 0 / Một bộ ghép quang có dòng vào là 2 mA, dòng ra là 100 mA.Hỏi hệ số truyền đạt dòng điện là bao nhiêu?

a 500%b 5000%

c 50%d 100%


5 1/ Một laser chế tạo từ Ga

Al As với x = 0,15 thì có E

= 1,6 eV.1-x x G

Hãy tính độ dài bước sóng bức xạ ra?a λ = 775 nm b λ= 1300 nmc λ = 1,55 µm d λ = 1100 nm

5 2 / Năng lượng ánh sáng có bước sóng là 1550 nm là bao nhiêu electron vôn?

a EG = 1,43 eVb EG = 0,65 eV c EG = 0,75 eV d

EG = 0,80 eV

5 3 / Một laser hoạt động ở bước sóng là 1100nm có chiều dài hốc cộng hưởngL=500µm và chiết suất n = 3,7.Hỏi khoảng cách tần số bức xạ là bao nhiêu?

a fΔ = 2,2 GHz b f = 68 GHzc Δf = 81 GHz d f = 50 GHz

5 4 / Một laser hoạt động ở bước sóng là 1100nm có chiều dài hốc cộng hưởngL=500µm và chiết suất n = 3,7.Hỏi khoảng cách bước sóng bức xạ là bao nhiêu?

a Δλ = 0,22 nm b Δλ = 0,33 nmc Δλ = 0,5 nm d Δλ = 1,1 nm

5 5 / Một điốt quang thác (APD) có dòng điện quang sơ cấp là 0,25µA và dòng điện nhân quang là 10µA.Hỏi hệ số nhân M của điốt này là bao nhiêu?

a Mph

b Mph

c Mph

d Mph

= 400

= 25

= 40

= 2,5

5 6 / Một photodiode có độ nhạy là 0,65 A/W.

Nếu chiếu lên nó một công suất quang là P

0= 10µW. Hỏi dòng quang điện là bao

nhiêu?a I

P

b IP

c IP

d IP

= 6,5 µA

= 10 µA

= 0,065 µA

= 6,5 mA

Documents

Bai Giai Nhdt Trac Nghiem Ckdt