cz2 Kompatybilność

8/3/2019 cz2 Kompatybilno

1/14

+JJe l iprzervody znltjdrrja si blisko siebie lecz s odlegle od przelvod w bdcych r dem7'akhice to wpry.l v zaklcefr synte trycznych nrona pomin.Przy dtr ych czstotliwo ciach sygna w zak cajcych nlechiuriirny wszystkich splz ellasynretryczrych (przez przewodzenie, indukcj elektrycm lub m:rgnetyczn sprz enie polowe)stanowi.l szczegolnie istotny prob]cm w konrpatybilno ci elektron-ragnetycznej. obwody sygna wwspolnych s zawsze zanlknite, bowiern iest nienroliwe odseparowanie czy tei odizolorvanieobwodow roboczych i uziemienia (masy). Sygnaty zak cajce wspne emituj poleelektromagnetyczne znacznie silniejsze od sygna ow ro nicowych a obwody wspne s bardziejwruliwe na zak cajce pola elektromagnetycne. Asymetryczne (wspne) prdy zak ceniorvenie w'vrvohlj bezpo redrrio skutkv negatyrvnych w pracy urzdzenia lecz staj si zagroeniemwtedy' gdy przekszta cajsi w zak ocenie r nicowe (prd lub napicie).Aby anniejszry warto napicia zak ca.jcego wskutek sprzenia poIa elc.ktromagnetycznego zobwoclami chronionych urzdzeri nale .y zrrrriejsry_ odlego cinidzy przewodtrmi roboczryni imas (uziemieniem) lubli zmniejszry dfugo ci ych przewodv'W miejscu zainslalo''vania urz4cizcn wr;rliwych, w ktych nie ma dostpnvch powierzchniprzewodzcyclr (np. rodowiskomieszkalne lrrb handlowe) prd zak cenia asymetrycnegowpyrvajcy do urzdzenia kablem lub przewodem wyp ywaz niego inn}mi kablami lubprzewodami. otoczenie przewodzce (np. tam gdzie wykonano powierzchnie ekwipotencjalne lubznajdu.j si uzienriorre metalor've obudowy lub konstrukcje. ktore mog peni funkcj nlasy)zarvsze sprzryja redcji zak ceri i osigniciu kornpatybilrro ci elektromagnetycznej.

I.--i-+ I"."_,.. Fabl poddany/ lko.en|u pIJcm f'i".;| '. ;;;;;'

1. URZDZENIA oGRANICZA,|CE NAPICIA I PRDY ZAK ,oC'Jj'NtowE4. I Rodzaje pasywnyc h urzdle przeciwzak ceniowyc hMetodyka ochrony od zak celr oraz spe nicnie wymagan zrvizanych z ElIVfC polega zar w,no naoddzia1 valliu rir zr d a zakriceri. jak i na ograniczanitr indukolvanych prd w oraz napiz;r.kt ceniolvych (przep i).W tym celu stosuje si tzw. pasylvne urzqdzcrria przeciwzak ceniowe' do ktych nde -Jiltry,ogranicz'niki przepi oraz ekrany i oslon.y-Filtry s urzdzeniami celowo wprowadzajcymi selektwne czStotliw.o ciowo sprze eniaprzezprzewodzenie i w macznynl stopniu ograniczaj prdy znk oceniowe dla okre lonegopasmaczstotliwo ci.ogranicutiki prepi - SPD (ang' Surge Protection Device) maj na celu ograniczenie przepidocierajcych do urzdzeri (zarwno przewodolvo jak i indtrkowanych) przede wszystkimspowodowiLnych przez rty adowania atnlosf.eryczne lub procesy czenior,ve'W rdniskonapiciowych ogranicmikw przepi w}r nia si: ograniczniki iskiernikowe (w tlmiskierniki gazolve), ograniczniki beziskiemikowe (warystorowe). specjalne rode diod (diodylawinowe) clraz ich kombinacje. ReprezentLrj one sob nieliniory op o duzej warto cirezystancji v4" poziomach napic roboczych oraz op r o niskiej wano ci ezystancji dlaprzepi o warto ciach-macmie wikszych od napi roboczych. Razem z rezystencj(impedancj) zrd a zak cen ograniczniki przepi tworz swoisty rodzaj dzieinikir napicia,krtlry nra nieIiniow wielkostt przekadni napiciolvcj' ograniczajac przepicie (napiciezak ceniowe) do warto cinapicia obni onego.Stosowanie ekrntjw i oslon prowadzi z jednej strony dcl os abienia pol elektryczn;.ch"magnetycznych i elektromagnetycznych. kttire przenikajip do urzdzeri i uk ad'v elektrycznychlub ich elemelrtow powoduj z-ak cenia w ich pracy. Z drugiej strony ekranor,virnic rratwiaograniczenic lvp"v*u iak elr emitowanych z cz ci ub przewocl w zasilajc-vch (np. wurzdzeniach cnergoelektronicznych). Miar skuteczno ciekranorvania jest rvspo c;ryrrniktfun.rienia ekranrr' kttiry jest rrajcz cicjstosunkiem warto ci.nat enia ola ilp. magnetVcZnegowewntrz (Ii*; i na zewntrz ekranu (FI';, wyazany w decybelach. dB.4.2 FiltryFiltr wprorvacizaj selektyr'vilo czstotiiwo ciolvo sprzcnia przez pr,l,t,,vorJzenie. Zakl(lcenia ivprzervodzie (z'asilajcym. sygnabw.ynr) zos{an w1'tumionc jeeli 1lltr jest w ir.czony rv oblvd rvnastpujcy sposob:

-, lrilfi

Iu.r- Po]cznic obudowyI Jt


2/14

Dzia anie filtru polega na podziale napicia sygna u r've.j ciowegoczstotliwo ci.ptt czyfi1 jedna z inlpedancji Z1lub Z2 Inrlsi by znrienna(indukcyjno ' pojemno c).Podzia napicia .za|enty od czstotliwo ci wy},o'hlie w ukadzie nastpujce Skutki:o Cz aklceri zostaje odprowadzona do nlasy przez przcwodzenie (1.2),. Cz aklceri zostaje odbita (I.) lvskutek niedopasowania impedancji,. CZ ak ricezostaje absorbowana, t'Zn. zanieniona w straty cieplne.E1.:ktywno thLrnienia filtrLl jest uz-ale nionLr od stosunku napic zrkloca.;cych pr7-ywystpowaniu i niervystpowaniu impedancji Iltru.Przyk ad

Wielko ciu.tec.zne U., I*oraz wielko ci zak cefr 1J'1, I'1maj rZne czstot liwo ci

Uo - wysokoczsrotliwo ciowe napicie rd a zttk ceit, Z,. impedancja ukadu zak canego, Z,,. impedancja uktadu zakticajcego, Z1' impedancja '/ilrraWarto cinapi zak cajcych;

Dla filtrw stosuje si mane ukady rwnail dla czwnikclw:IJ, = 4,,11' * ^,''', = A.,U, + 4". I,gdzie: r\',, .\,,, ,' ,' s kompleksowymi parametralrli czwnika

1.tumienno ukadu wlnosi:

Il" rv zaleino ciodlv iLtnkc.ji czstot lirvo ci Zrd o zakoceri16Filtr Uk ad zaklcany

v0a

Uif . 1 a-t '/ I,t-llBl=z0to,rl 1t A,, * r A,- * "" ,4-, + zo A,.i -lZn+2, ' Zr+Zr '' Zr+2" '' Zo+2, "l

co oilJ1 cza, zec'.lvnika. a Z wspczynnik tumienno ci est uzale rriony z jednej strony otJ parametros,drugiej od warto ci mpe


3/14

,11

E e me n ko nstr u kcyj ne Ji ltrwPodstawowymi e]ementami korrstlukc,vjn1 ni tlltrw s kondensatorystosowane oddzielni lub w kombirrowanych po czeniach wprzeciwdziaania zak ceniom.

a) dwubiegunowc

b) trbiegilno\\'e(wsposiowe i niewsp


4/14

l) . rclar prdou,' 2a), 1b), 2c), 2d) . pabkgi mpicio dp*'ialajce pscegnyn ogrqnicznikom,'lo). 3U. 3c), 3d) ' l-brunkowyn. 3e.) ' 2'brankovnu, !- *arystor.2"iskiernik, 3'ogranicnik geovl.4.inp*


5/14

)l5l4.3 Iikran5' i oslonYEkranowanieprowa


6/14

5l J,:: |: ra rt o t e n i t pt.i l a It !; t rr c ;il,,: jl

,\t ti ! ; k il t t: c :n e(ztlg. /l o ut i n g 1 to te n I i d !s)

-,. l \Iliz-). llltlllicllir c!'tillliI ilr kt.clnic z:,l|e,v t\.li.:() 0(lrO1i]|()S/-c1lj.| poir iltli!lajilc:Io


7/14

Nie.skuteczne Znuc:uctt pt,frctil ()ltl malnieW obudow.ach urzdzefr (ekrany rzeczyviste) miejscami' ktymi rtnika pole s:- szczeliny rnidzy cz ciamiobudowy'- brzegi drzwiczek, klap' zdejmowanych cianek. tp'.. w1.cicia pod lampki kontroine. wy czniki, pokrt a. pr;ryciski, bezpieczniki, itp.,. przepusty prze lvodw zasilajcych, przewodw sygna orv-v"ckabli rviat owodowych.- pepustY w y ci nieniowych,w z cieczami' itp.,- otwory rventylacyjne, kominki, szpary, itd.,otrvory umieszczon w ekranie w istotny sposb pogarszaj skuteczno ekranowanja i mc'gstanowi prawie wy czny czynnik okre lajcywarto w1padkowego ttumienia ekranowania. Ztego powodu w przypadku ekanw metalowyclr obliczorre teoretyczlie bardzo duie warto citfumienia ekranowania s w praktyce nieosiqgaine. ?Materia stosowane na ekranyNa ekrany stostrje si zarvno rnetale nie elazne, takie jak Cu. Al, ale rt'niei i materia yfunomagnetyczne.N!1iay niernagntvcz-ne przewodz-ce ( p.- l 'o. - 0.6 .'.1). t umienie jest wynikiem rtystporvania prdw wirowych.Sta e oraz przemienlle pola magnetyczre niskich czstotliwo cis' thtnlione w sposobnjewJstarcZajcy. Pola elektryczne sprzz materia'v nienlagnetyczne t umionebarclzo dobrze.lvtqlqlyfcrromagne tyczn (p, '' 1 ' o, < 1)- tfumi gorzej pola clcktrycine niskich czstot]iwo cini rnateria niemagnetyczne lecz rvprzeciwie strvie do nich lepiej tumi sta e pola nragnetyczne-Dla pozostach prz,vpadkv tfumienno pol elektrycznych i magnetycznych ro nieZe wzrostcmczstotlilvo ci.Formy i ptlstacie wykclrrv''vanych ekranw:. segment}'blach czonych przez skrcanie oraz fo]ji spawanych ze stali i miedzi (np. obudouyur zdze i pomieszczen)'- cienkie' atrt'c do oicia i formorvarria lblie z matria w magnetycznic lnikkich cl wystlkie.jreluktarlcii (przewodno cimagnetycznej) stosowanc np. rv lirboratoriach i LLrzdzenjachprotol;'po$rych,. nletalorr'e ta my sJatki (oploty) do kabli,- ta nlyz tkanin metalor 'ych nasuwanych lra kable lub lvitpki kabli.. tkaniny' metalorve, przcrr.odzce folie i rnetalizoq,ane szyby na clkna lv zintcgrrllvanych ekranachkomcir luil ponricszczcn clla urzdzcn rv.cz'.

)o. porvoki napylane z'e srebra, niklrr lub mieclz'i na obtrdowy z tworzp\. sztucznych.- matcriay do czcnia tworz}\'sztuczllych z dotlatkicnl przervoclzcynr (proszki metali' w knametalowe, grafit, itp.)- tkaniny bawe nianez wplecionymi ninri stalowymi do np. ubran ochronnych dla osbpracujcych przy vrza1Jzeniach w.cz. ( t umienie ok. 30 dB przs,f : 100 kilz '.. 40 GHz). Spawane stalorve zbrojenia w budynkach z- clbetu (t umienicpll dalekich ok.2.5..'30 dBpodcz;s gdy w budynkach bcz zbrojenia 6 ... 10 dB).

a.,/Neper 'uI T,eorecznetlum ie n ie po la nTagne lyc:ne goprzez klutkelcranujc1co retlnicy}0 m

to-L Loo lol \e ld Io{ lo5 loo lo7--- Czestotliu.o c [Hz)Natenia pll nie s jednakowe na caej powierzchni ekrartu; s wiksze w pobliu ostrychkrawdzi i zmniejszaj si we wklsych cz ciachekranu (tzw. eiekt cienia). lvIa to rniejscenawet w prz,adku prostych ksztahow np. ktownik, korytko kablowe, itp. Prowadzzp przewdwzdLr akiego ekranu lepiej jest go ukada w strefie ,'zimnej.' ni,,gorcej',.

.-----> Lillie si pola E--) Linic sit Pola l l

55

-Strcfa duj gstoci pra.du

. -. - - Strclamaiej gsto ciprduStre'ftl ,,gorctl,, i stre.ftt ,,zimnu t' ka!ovniku


8/14

-)/CZC lrI

5. METODYKA I ZAKRES BADAN oDPoI'(NoCI U]IZADZE NA ZAK ,oCE'NIAELIt KTRONI AG NETYCZN I.]5'l Charakterystyka rodor'r,iskelcktromagnetycznych pod rvzgldcrn nara e naz-akkicen iaZe wzgldu na nara enia urzdzen i s,vstemow rodzajami zakloce rozro,mia Siodpowiednio sklasyfikowarre rodowiskczyli miejsca u ytkowarria urza1dzenia okre lonepoziomem i charakl-erenr zak cclr elektromagnetvczrrych, ktore mog tam rv'vstipi,Klasy1ikac- ja ta jest ci lewia?^ana z odporno cituzdze na z'ak oceniaelektromagnetyczne, '.akresem i metodani badan tej odpomo ciurt'arunkowan1'rniprzewidylvanyn] miejscem ich z-ainstalowania oraz sposclbem po czenia z instalacjamiwr'chodzcyni na Zewntrz urzdze . Przedstawiono j w tab)icy 5.'fablica 5. Zestawienie zakresu bada odpomo ci urzdzen na zak ocenia cila okre |onejklaq.fikacji rodorviska elektromagnetycznego

5.2 Zakres batla odporno ci urzqdzcfi na zaklcenia elektromagneiy_czneW przepiszich nlidzvilaroclorr),ch ora/- etrropejskich. 1 kmUrniarkowany poziom zak ce . ponlieszczenia biurou.ei handloweWysoki poziom promieniolvania elektronragnetycznegoNadajniki przeno neo niocy>2W w bezpo rednirllssiedztlvie urzdzen - tvpowe otoczenic przemvs oweSz1,bkic wii4


9/14

Opis rodzajulrada odporno ciurzadzeriNumerdokumentu IEC(nor r)

NurnerdokumentuCI]NELEC(J ranicme rt arto ciprobiercze lubzrkres stosou.a|no ci

\letody badan.ldporno ci tEcr 6I000-4-1 EN 61000-4-l Nie dotvczryPuziomv odporn.r(ci nie dotl czv EN 50082- rEN s0082-2

Srodowisko mieszkalne, handlou'e rlekko uprzemysowioneSrodowisko DIZcmvS oweWy,adorvaniaelektrostatvczne -ESD IEC 61000-4-2 EN 6080 r - 2 - 8 kV metod stykow]-l 5 kV metod powictrznaZak lceniaradioelektryczne - RFI(promieniowane)

tEC 61000-4-j EN 50140 80 ivll{z - I GHz, E do l0 VimSzy.bkie rvizkiinloulsv - EFT/B IEC 6l000-'-. Brak ]50 V. 2 kV wej.ryi. linii0.5 - 4 kV prz1|cza zasilaniaLldary napiciotve lubDradowe IEC 6 I 000-4-5 EN 50i4 W zaleno ci d rodzaju urzdzentaPrzervodzone (induko-rvane) zak cenia odpol o cz.stotlitt'o ciradiowei - RF

lEC 1000-.-6 EN 50141 I 50 kHz - 80 Nt tlzI - 10 V.80% AM. lkt{zZak cenia od polarnagnetycznego siecier')erqetvcznei

lEC l000-.-8 EN 6 1 000-1,8 H=].i00Aim.cig elrnpulsowe polamasnetvczn rEC 6 l 000-4-9 EN 6 l 000-1-9 H - I00 - 1000 AlntPola magneczne ocharakterzet urrrionych oscr,iacii

rEC 6r000-4-10 EN 6r000-1-10 H=I0-100A/mZapady, zaniki iwaIrania napiciaz-asilania

IEC 6i000-4-t I EN 61000-,1-11 W zaleno ci od rvymaga dla badat1-pu danego urzdzenia

59tT:rblica 7' Normy rnidzyrurodowe i eurclpejskie dotyczce badaflz'ak lceniaelek tromagnetyczl e' odpot.no ci urzdze na

5.3 Warunki bada i kryteria oceny odporno ciurzdzei na zak ceniaele ktromagnctyczne

o kolllpatybilno ciurzdzenia ]ulr Systemu decydrrj wszystkie drogi, ktlrymiLlrzdzenie, S!'Stenr czy instalacja s po czone ze wiatemZewntrznym. Drogami takimi sprzycza (we.i cia/w-vj cia) bwodw z-asilania sieciowego, uziemienia, obwody wej /w.vj obiektowych, obwody poczone z lirriami transmisyjnymi Zewnetrzn}mi, obwodyinterfejsorve i in.. ktorymi rozprzestrzeniaj si zakocenia przew.odzone.Badania nale4' przeprowadza podczas takiego trybu pracy urzdzenia' przy kt rymobserwuje si .iego najwiksz wrazlirvo na zak ccnia. W celu okre ienia maksynalnejptldatno ci badanego ur'dzenia naley odporviednio znlieniirc jego konfiguracj oraz Sposbi zakres ieso dziaania'

60 P rzy}i1czc (rvej cidwr1 ce)iinii s1,gnaolvej

Prz1}tcz'e (rvcj cie/wyi cie)zasilania Obudowa|lapIcIr prZeInlL-nnego

P rz-v cze( rvej c e/tyj ce)zasilania napicia staego W pomiarowej lub sterowzrntaUziemienie

EIetlenty urzdzenia' do ktorych nalezy dopro*-tldza symulou,t ne zaklcenia'Rozronia si tr.'y rodzaje kr'Vteriv oceny odporno ci|Lridze na zakocenia lv czasiebadan.Kryterium typu A. IJrzdzenie powinno pracowa zgodnie z przeznac7eem' Nie dopuszczasi zadnej degradaoji jego parametrow tcchnicznych lub utraty funkcji do poziomou'niszychni okre loneprzez proditcenta. W pewnych pr''ypadkach poziom Zgodno cimoze byczast.piony przez dopuszcfaln utrat rv asno cir ytkovlYch. Je l iproducent nie okre laminimalnego poziomu Zgodno ci ub utraty w4asno ci' w(>wczas kr1.teria oceny moi:la ustalina podstawie opisu i dokumentacji wlrobu.Kryteriuh, typu B. Urzdzenie powinno dzia a zgodnie z p|zezI1acz,enjenl po Zakonczenlubadan. Nie dopuszcza si trdnej degradacji jego parrrnretrow technicznych lub utraty funkcjit1o poziomv nizsvch ni oke loneprzez producenta. W pewnych pr2rypadkach poziomZgodno cimoeby Zast]iony pr.fez dopLLszc./Aln utrat w asno ci zytkowych. |)opuszczasi obnienie parametrw technicmych w c7nsie badania. Nie jest dopttszczalna 2dna zmianastanu pracy urzdzenia lub utraty Zapa Iitanych danych. Jeeli producent nie okre laminimalnego poziomu zgodno ci ub dopuszczalnej utraty wa ciwo cirzdzenia' t .owczaskr!.teria oceny mo na ustalic na podstalvie opisu i dokumentacji w1'robu oraz oozeki\\'ruwkownika r-l'obec urzdzenia, gdy je st ono u ywane z-godn,ie z pfte7'nczeftiem,Kryteriunt typu C. Dopuszczalna jest chwilolva utrata funkcji urzdzenia pod walunkiem ichSamoistnego odtworzenia si lub nxl lir,vo cich odtworzenia Za pomoc odpov'iednichelementw rogtrlacyjnych.5.4 Metodyka badali odptlrno ciulzdzefi na zak| cenia elektromagncczne5.4.t 7,ak ricenia prtlnlicnitlwane

Radania odporno civrzdzen rlrr zak cenia pronrielriorvatre s $7kon}.wane wspecjalnym polnieszczenirt probierczynl. Ilazywany-nl konror bezodbiciow (ang. anechoiccha nber). w. ktorej unieszcza si urzdzerrie badane oraz szerokopasmorv anten emitujcokre lonyrcld zak ceil. Specjalna konstrukcja komory bezecholve.i (ekranowalre cianyrvy.oone najcz ciej i:lr1towymi pi1'tkami absorbujcymi {ale elektromagnetyczne)zrrpewnia. 'e na badane tlr;.4clzenie oddzia uje tylko poIc enritorvane prz-ez anten.Zanriast komlr bezcchowych rnona stosowa tz*'. s)mulatory z fa\prorvadzon lubpromicniorvani1. rv ktcirych pole w przcstrzeni ponriarorvej .jest zblione do pola rv rvolne.iprzestrZCni tzl't. tIl - Z - irrlpr-dancjir charakterystyczna ]inii tr 'orz-i1cej Sylllulator (rv rvolnejprzcstrzoni L'/II = |f0 x' 317 Q). Wtktor pola elektrycz-nego w ccntralnej cz ciprlcslrz(-nlporniarolvcj jcst prostopa.1ty dcl przcwodnikv. a wektor pclla trragnetyczncgo lest

Ul{ZDZEN1}.,


10/14

rorvnolegty. Zapcwniona jest rvvczasniuviclkie (kornora ttpu 1'l.lM) lubelektronragnetYcZnego do rodou,iska.a)

Llkaciprobterczoporniarowy

D)

61'dtra .|ednorodno pclla elektrolnagltetycznegozcrowe (komora G"l'EM) proluieniorvanic

Komora bezodbiciowa

Ukad opornik rvdopaso rvtr; cvch

oTaz.-.,1^

()f

TabIica 8. Poziomy bada odporilo ciur'.dzen na z.k ccnia promienio\\,al]eczstotli\ o ci radiolvej tlraz klasy rodowiska pracy urz4dzell zgodnie z IEC 61 000-4-3.7.akres cz-estotliwo ci 80 MtIz - 1 GHzI'ozionlbadair Warto natzenia polaelektrycznego (Y/m) Srodowisko pracv urzdztnia

I

l lt0

Specjalna

Klasa l . niski poziom zaktice . np.odlego > 2 knr od anten radio/.fVKlasa 2'Sredni poz'ionl zakocen' np.powe rodowiskomieszkalne Iub hand|oweKlasa J . Wysoki poziom zak cefr. np.typowe rodorvisko przenrvs orveKlasa X - Poziom specjalny, np. uzgodnionydla daneqr: wvrobu

Badania odpomo ci na dzia anie impulsowego pola magnetycznego o paIfunetrachwa ciwych la lvyadowa piorunoi-'ych przy trafieniu w budynek lub w inny obiekt jestwymagane dla urzadzefi elektronicznych instalowanych w elektro\\riach lub rozdzielniachw.n. bd w cntrach telekomtrnikacyjnych, Inrpulsowe pole magnet}'czne o kszta cie 6,4/|6p s jest w}'twar'.ane za pomoc genelatora udarowcgo i doprorvadz-ane do uk aduptliindukcyjncj (jednozwojowych cewek) obejmujapych ca e badane urzdzenie rv kazdejp aszcz1 nie (trzry orto go nalne po zycje).Badania mog byc wykonyw.lne zrwno w komorze ekranow.anej (klatka Faradaya)Iub rv otlvartej przestrzeni laboratorir.rm pod warunkiem, e natenie pola zewntrznego w rodowisku aboratorium jest co najmni o 20 dB s absze od impulsu probierczego pola

magnetycznego. Poziomy badafi wg IDC 6l 000.4-9 s zamieszczone iv tablicy 9.

GRP - phta uziemionaA - uziemienie ochronneS - podstawa izolacyjnaELJT - urzdzenie badaneIc - cewkaC [ - prvcze zasilaniaC2 - przy cze obwodu s.vgna wL - linia telekonrunikac/naB - do rda zasiIaniaD - do generatora sygnaorvG - do generatora probierczego(generatora inrpulsw polamagnetycznego)

Ptvtki absorpcljnena cianachZrc:d ozak oceri

WzrnacniaczI(orrola G'f EVI

Kr'lmora bezoclbiciowa (a) oraz komora typtt GTE\{do batlail otlporno ci urztlzen ntzak cetlia ;;romienioll'une'. EUT - butlant ur:dzenia (.tug. Equipme n! Llntler 7 est1'Zgodnie z badaniami lvg IEC 61000.4-3 urzdzenie porvirmo bY eksponowane na

mclduiowanamplitud l krlz (80% A'lt pola elektrycznego o warto ciirclrnatenia od 1 dol0 V/m rv zakresie czstotLiwo ci 80 MHz do 1 GHz. W czasie badalr czstcltliwo zaktcenjest zmieniana co lolo rvarto ciw sposob kontrolowany przez odpowieclnio zaprogralnowirnysystem probicrczo-pomiarowy.Warto ciparan]etr w promieniowanych zak loeri adioelektrycznych oraz klasyLrrz'irdzen w zale no ciod pozionlu :rak lceri s podane w tablicy 8. Ukatl tlo t adania odporno, ci urzt{zeit nu impt'tlsovl'e po!e magne|1,czn


11/14

63Tablica 9. Poziomy badari odporrrcl ci na ilnpulsorvc roc.lolviskapracy urzdzefi zgodnie z lEC (ll000-4-9. pole magnctyczne oraz klasY

Impu sr' pola nngnetYgznego o kszta cie 6'41|6pPoziombadarl Warto n;rtenia polamasnetvcznL'go H, AJm S ro


12/14

665uziemionv) i rv-muszeniu r nic potencjatorvobudowic trrzdzenia badanego ( b).a)

na ckranie i po czonej z ninr nlctalorvej

Siecza s i la.1 a-c a

nl Transfonnatorizolacyjn;.' Transfonnatorizolacljn vLN

Uktad probiercz.v przy badanit odporno ci prz1ttpzy zasilania urzdzeh na zakrjceniauJarov.e 1lr:cutld:onc..(Q) - Spr:(,nie poj(mno ci(n'v: iniami :lt'\'il(lnio' |h) - 's1lr::tnteprzewodzone z obudou, i lini ekranou,an'V/arto ciudarowych napi probierczych prtry otwartych zaciskach genratora (bardzodu a inrpedancja obiektu) podczas badan odporno ci urzdzeir na udary s poclanc rv tablicy

Tablica 11' warto cinapic trdarort'rch prv bzr


13/14

. Ze\\T.I1r7Jre fiagmerrt,v kabli a.czcyr:hurz'dzenia nrog dochodzic do urzdzeli wysokiegonapiqc ia.. wartcl ci przepic nie prztkraczaj 4 kV.Klasa -' - rodowiskodla untlze elektronicznych po cpnychz liniamirelekontunikacyjnymi i liniami zasitajcymi napowietrutymi na terenach o maej gsto cizaludnienia. wszystkie linie naporvietrzrre i kablowe s chrorlione od przepi (pient's:,,y stopienochrony).- uz-ienlic.,rio,ve spadki napicia przy prdach zlvarciowych (prdy do 10 k) lubr,lryadowaniach pioruntlwych (prdy do l00 kA) mog by ekstremalnje due,. dla tej klasy badania urz.clzeti udarzrrr-ri nale wykonyrvac przy poziomie badan 4 (tabl.1 l ).Ktasa X - rotlowisko specjalne wyszcr'egniane w dokumentacji w1l70[[w.

Wyb poziomu badarl o


14/14

Zalcznik p51

(l>30 Mhz)

llemla )lec 5y9nalSc ile mctty c:n1; ob rtlz zak c en ocdzi aluj cych n a urzdze ni e

rc3IIpiLr

Zasigi s|re,f pola e!ektronclgnerycfnego bliskiegofali Pole bliskic

6 000 km ok. 1000 knr30 km

69.l.ablica 1,l. W.vlrlagania clotyczce odporno cina zirk ccnia sprztu irr|ornratycznego

Ilibliografial. E. I{abiger - Elektromagnetische Veftraglichkeit. Fliithig Buch Verlag GmbH, Fleiclelberg.1992.2. A. Schwab - Elektromagnetische Verlriiglichkeit. Springer Verlag. Berlin -Heidelherg-r 991.3. D. Peier.1iiektrorr1agnetische Vertr iglictrleit. Htithig Buch Verlag Grrrb|I' lleiclr.lherg,l 990.4. P, Chatterton - EMC. Electromagnetic Theory to Practical Design. John Wiley & Sons Inc..Chichester. 1 992.5. Clayton R. Paul - Introduction to Electromagnetic Compatibility. Joirn Wiley & Sons lnc.,Ncw York/Chichester,Brisbane/Toronto/Singapore' 1 992'6. williams T., Amstrong K.EMC for Systems and installations. Newness 2000'7. T. Wickorvski . Badanie pclpomo civzdzeil elektronicznych na impulsowe llara cniaelektromagnetyczne. Prace Naukowe Insry.tulu Telekomunikacji i Akustyki PolitechnikiWrocawskiej Nr 72, Seria |vIonografie 37, Wroc aw l993.lJ, Praca zbiorowa pod redakcj D.]. I]cma . Impulsowe narazenia cIektromagnetyczne.}]iblioteka Konlpatybilno ciE'lcktromagnetycmej. Wydaw.nictwo Politechniki Wroc awskiej,Wroc aw 1994.9. Charoy A. Kornpaty'bilno elektromagnetyczna. Zak cenia w urzdzeniachelektronic:trych. Tonl 1. ,rd ,a. sprzenia sktrtki. Tom 2. l.Jziemjenia, nlasy,oprzewodowanie. Tom 3. likrany, filtry, kable i przewody ekranowane. Tom 4 Zasilanie.ochrona odgronrclva, rodkizaradcze' \Vl.'l.f Warszawa l999 - 2000.10. Praktyczny l)oradnik. Ccrty|rkat CE r,v zakresie konrpatybilno ci ellektronragnetycz.neJ.AI-FA WEKA sp. z o.o., Warszawa 1999

F alaE_ (/

Documents

cz2 Kompatybilność